导读:本文包含了机械抛光论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:机械,化学,氧化剂,金相,衬底,过氧化氢,材料。
机械抛光论文文献综述
李思,张雨[1]（2019）在《化学机械抛光技术发展及其应用》一文中研究指出化学机械抛光技术是集成电路制造中的关键技术之一,是唯一可实现全局平坦化的工艺技术。根据集成电路技术节点与CMP的发展之间的对应关系,简述了化学机械抛光技术的产生、发展、应用、典型设备及其工艺耗材,并展望CMP技术的未来发展趋势。(本文来源于《电子工业专用设备》期刊2019年05期）
毛美姣,刘舜,胡自化,陈小告[2]（2019）在《不同磨料对硬质合金刀片化学机械抛光的影响》一文中研究指出为了提高硬质合金刀片前刀面化学机械抛光(CMP)的材料去除率和表面质量,采用6种不同硬度磨料(金刚石、碳化硼、碳化硅、氧化铝、氧化锆、氧化硅)对硬质合金刀片CMP加工,采用表面粗糙度测量仪和超景深叁维显微系统观察抛光前后刀片的表面形貌,探讨硬质合金刀具CMP材料去除机制。实验结果表明:碳化硼磨料因粒径分散性大,造成硬质合金刀片表面划痕较多;低硬度的氧化硅、氧化锆、碳化硅磨料只能去除硬质合金刀片表面局部划痕区域;接近硬质合金刀片硬度的氧化铝磨料,可获得较好的表面质量;硬度最大的金刚石磨料在CMP加工时,在硬质合金刀片表面上产生机械应力,促进化学反应,获得比其他磨料更高的材料去除率和更好的表面质量。因此,在硬质合金刀片粗加工时可以选用氧化铝磨料,精加工时选用金刚石磨料。(本文来源于《润滑与密封》期刊2019年10期）
易德福[3]（2019）在《砷化镓衬底化学机械抛光材料去除机理及抛光特性研究》一文中研究指出砷化镓单晶是继单晶硅之后发展起来的第二代半导体材料,具有优异的物理化学特性,是国防军工、航空航天、节能环保等领域不可或缺的微电子和光电子基础材料。无论是用于制作集成电路还是功能器件,都要求砷化镓衬底具有极佳的平整度和超光滑表面,否则将直接降低产品性能。目前,普遍采用化学机械抛光实现砷化镓衬底的超光滑加工。但是,砷化镓衬底化学机械抛光过程中存在诸多亟待解决的关键问题,例如:抛光过程材料在微观尺度的去除机理、抛光过程参量对衬底平整度的影响机制等,制约着砷化镓衬底化学机械抛光技术的发展。本文通过理论分析、计算模拟和实验相结合的方法,对砷化镓衬底化学机械抛光过程的材料去除机理和抛光特性进行了系统研究。采用分子动力学方法分析了砷化镓衬底抛光过程中的微观材料变形机制和衬底表面粗糙峰对于材料去除的影响规律。由于砷化镓不同晶体方位的原子结构不同,导致在外力作用下不同晶体方位的砷化镓亚表面非晶化和相变区域的分布是不同的,抛光过程微观尺度上的材料变形以相变和非晶化为主。磨粒作用下衬底粗糙峰发生了复杂的弹塑性变形,接触区域高压引起了非晶化和从闪锌矿向岩盐结构的相变的产生,抛光过程中材料去除表现出的明显的各向异性源于不同晶面的砷化镓的原子面密度和面间距的差异。通过开展划痕实验,明确了砷化镓在外力作用下的材料特性,发现砷化镓衬底的材料去除、可加工性、材料去除率存在显着的各向异性。同时对砷化镓衬底开展了初步抛光实验,结果表明:在抛光过程中,只有压力达到一定程度之后,衬底表面各处的材料去除率才会趋于一致。只有抛光盘转速增加到特定速度后,才能实现抛光过程化学作用和机械作用的平衡,获得较好的表面质量。使用有限元仿真及数值计算的方法建立了基于材料去除过程的衬底表面平整度分析模型,研究发现:抛光过程中对平整度影响较大的加工条件为衬底表面相对于抛光盘的速度,而抛光压力对平整度变化的影响并不显着;为了降低平整度并且获得较大的材料去除效率,应选择合适的抛光工艺参数,使衬底表面各点可获得较高的相对速度。通过砷化镓衬底化学机械抛光实验验证了平整度模型,实验结果和平整度分析模型所获得的结果相一致。随后分析了主要工艺参数对衬底表面粗糙度和平整度的影响规律,获得了可实现砷化镓衬底超光滑加工的最优工艺参数。(本文来源于《北京交通大学》期刊2019-10-01）
王玉松,江亮,钱林茂[4]（2019）在《过氧化氢对轴承钢化学机械抛光性能的影响》一文中研究指出为了获取高完整性轴承钢表面,课题组采用化学机械抛光技术对轴承钢进行超精密加工;研究了过氧化氢对轴承钢化学机械抛光性能的影响以及材料去除机理。实验结果表明:在乙二胺四乙酸二钾盐存在的条件下,随着过氧化氢质量分数增加,轴承钢的抛光速率先急剧增大,然后逐渐减小并趋于稳定;而静态腐蚀速率先急剧减小然后趋于稳定;表面粗糙度Ra先急剧降低然后趋于稳定。结合电化学实验和X射线光电子能谱实验结果,轴承钢的材料去除机理描述如下:当过氧化氢质量分数较低时,轴承钢表面生成一层强度低、容易去除的反应层,包括铁氧化物和铁离子的乙二胺四乙酸络合物,抛光速率高;当过氧化氢质量分数超过0. 05%转折点并逐渐增加时,铁氧化物向叁价态转变,表面反应层变得致密,强度增大,抛光速率减小,表面粗糙度降低。(本文来源于《轻工机械》期刊2019年05期）
刘浩,李佳君,李震睿,徐锴,陈正佳[5]（2019）在《金属粉末增强机械抛光单晶金刚石》一文中研究指出目的研究具有催化活性的镍、钴金属粉末对单晶金刚石机械抛光的影响,以期获得低成本高效率的单晶金刚石抛光工艺。方法以高温高压法(HPHT)制备的Ⅱa型单晶金刚石为样品,采用机械抛光的方法沿单晶金刚石(100)晶面的[100]晶向进行抛光,抛光介质分别为金刚石研磨膏、金刚石微粉、金刚石微粉与镍粉混合粉末、金刚石微粉与钴粉混合粉末。样品表面粗糙度通过原子力显微镜(AFM)进行测定,通过扫描电镜(SEM)及能谱仪(EDS)对样品表面形貌及元素成分进行分析表征。结果金刚石微粉作研磨粉时,抛光速率最高,达到900μm/h,但表面粗糙度相对较差,为4.15 nm;镍粉或钴粉与金刚石微粉的混合粉末作抛光介质时,可以实现单晶金刚石的高效抛光,其中以钴粉与金刚石微粉的混合粉末作为抛光介质时的抛光效果最佳,抛光速率为875μm/h时,表面粗糙度为1.52 nm。结论镍、钴金属粉末与金刚石微粉混合作为抛光粉料,可以实现单晶金刚石的高效率、高质量抛光。(本文来源于《表面技术》期刊2019年09期）
佟晓明[6]（2019）在《化学机械抛光后清洗专利技术综述》一文中研究指出化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,CMP)清洗的目的就是把CMP中的残留粒子和金属沾污减少到可接受的水平,后清洗是CMP加工的重要部分。文章通过对全球专利申请量、专利申请在不同国家的分布、重要申请人分布进行分析,概述了CMP后清洗技术的发展脉络,为日后CMP后清洗技术的发展提供了借鉴。(本文来源于《科技创新与应用》期刊2019年26期）
陈天[7]（2019）在《金相试样机械抛光质量影响因素及解决措施》一文中研究指出抛光是金相制样过程中必不可少的环节,直接影响金相显微组织的显示。文章主要介绍了金相试样机械抛光的原理、操作要点和注意事项,讨论了金相试样抛光的影响因素与解决措施,为初学者提供金相抛光的基础知识与技巧。(本文来源于《化工管理》期刊2019年23期）
考政晓,张保国,于璇,杨盛华,王万堂[8]（2019）在《单晶SiC电化学腐蚀及化学机械抛光》一文中研究指出通过电化学工作站对4英寸(1英寸=2.54 cm)n型单晶SiC(4H-SiC)进行电化学腐蚀特性研究,采用36GPAW-TD单面抛光机对其Si面和C面进行了化学机械抛光(CMP)。结果表明,采用H_2O_2和NaClO作为氧化剂,均可促进SiC的电化学腐蚀并提高其抛光去除速率,其促进作用与氧化剂浓度和抛光液的pH值密切相关。选择含体积分数5%的H_2O_2、pH值为12的SiO_2抛光液对SiC进行CMP,得到的Si面抛光速率可以达到285.7 nm/h。在含H_2O_2抛光液中引入适量的NaNO_3和十二烷基硫酸钠,SiC表现出较高的腐蚀电位绝对值和去除速率。在H_2O_2和NaClO抛光液体系中,SiC的去除速率与其腐蚀电位的绝对值正相关,该结果对实际应用有一定的借鉴意义。(本文来源于《半导体技术》期刊2019年08期）
孟凡宁,张振宇,郜培丽,孟祥东,刘健[9]（2019）在《化学机械抛光液的研究进展》一文中研究指出化学机械抛光(CMP)技术是集成电路制造中获得全局平坦化的一种重要手段,化学机械抛光液是影响抛光质量和抛光效率的关键因素之一,而抛光液中的磨粒和氧化剂决定了抛光液的各项化学机械抛光性能。将抛光液磨粒分为单一磨粒、混合磨粒以及复合磨粒,综述了近年来国内外化学机械抛光液磨粒发展现状,其中重点分析和总结了SiO_2、Al_2O_3、Ce O_2叁种单一磨粒,Si O_2/Al_2O_3、Si O_2/Si O_2、SiO_2/Ce O_2混合磨粒,Ce O_2@SiO_2、PS@Ce O_2、PS@SiO_2、s Si O_2@m SiO_2、PMMA@CeO_2、PS@mSiO_2等核-壳结构复合磨粒,Co、Cu、Fe、Ce、La、Zn、Mg、Ti、Nd等离子掺杂复合磨粒的研究和应用现状,并针对目前存在的问题进行了详细的分析。针对目前化学机械抛光液不同材料氧化剂(高锰酸钾和过氧化氢)的选择和使用进行了分析总结。此外,介绍了一种新型绿色环保抛光液的研究和使用情况,同时对化学机械抛光液存在的共性问题进行了总结,最后展望了化学机械抛光液未来的研究方向。(本文来源于《表面技术》期刊2019年07期）
阳志强,李宏,郭忠达[10]（2019）在《蓝宝石磁流变化学机械抛光工艺研究》一文中研究指出针对超光滑平面蓝宝石衬底片存在亚表层损伤的问题,文中利用磁流变抛光技术进行蓝宝石衬底片抛光以满足现有生产需要,研究了磁流变抛光中抛光压力、抛光盘转速、工件盘转速及抛光液温度等工艺参数对C向蓝宝石衬底片表面粗糙度和去除率的影响。采用正交实验方法获得了一组最佳工艺参数为:抛光压力为25 kg,抛光盘转速为40 r·min~(-1),工件盘转速为20 r·min~(-1),抛光液温度为38℃。研究结果表明:蓝宝石抛光后最优表面粗糙度R_a为0.31 nm,去除率达到2.68μm·h~(-1)。(本文来源于《西安工业大学学报》期刊2019年03期）
机械抛光论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
为了提高硬质合金刀片前刀面化学机械抛光(CMP)的材料去除率和表面质量,采用6种不同硬度磨料(金刚石、碳化硼、碳化硅、氧化铝、氧化锆、氧化硅)对硬质合金刀片CMP加工,采用表面粗糙度测量仪和超景深叁维显微系统观察抛光前后刀片的表面形貌,探讨硬质合金刀具CMP材料去除机制。实验结果表明:碳化硼磨料因粒径分散性大,造成硬质合金刀片表面划痕较多;低硬度的氧化硅、氧化锆、碳化硅磨料只能去除硬质合金刀片表面局部划痕区域;接近硬质合金刀片硬度的氧化铝磨料,可获得较好的表面质量;硬度最大的金刚石磨料在CMP加工时,在硬质合金刀片表面上产生机械应力,促进化学反应,获得比其他磨料更高的材料去除率和更好的表面质量。因此,在硬质合金刀片粗加工时可以选用氧化铝磨料,精加工时选用金刚石磨料。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
机械抛光论文参考文献
[1].李思,张雨.化学机械抛光技术发展及其应用[J].电子工业专用设备.2019
[2].毛美姣,刘舜,胡自化,陈小告.不同磨料对硬质合金刀片化学机械抛光的影响[J].润滑与密封.2019
[3].易德福.砷化镓衬底化学机械抛光材料去除机理及抛光特性研究[D].北京交通大学.2019
[4].王玉松,江亮,钱林茂.过氧化氢对轴承钢化学机械抛光性能的影响[J].轻工机械.2019
[5].刘浩,李佳君,李震睿,徐锴,陈正佳.金属粉末增强机械抛光单晶金刚石[J].表面技术.2019
[6].佟晓明.化学机械抛光后清洗专利技术综述[J].科技创新与应用.2019
[7].陈天.金相试样机械抛光质量影响因素及解决措施[J].化工管理.2019
[8].考政晓,张保国,于璇,杨盛华,王万堂.单晶SiC电化学腐蚀及化学机械抛光[J].半导体技术.2019
[9].孟凡宁,张振宇,郜培丽,孟祥东,刘健.化学机械抛光液的研究进展[J].表面技术.2019
[10].阳志强,李宏,郭忠达.蓝宝石磁流变化学机械抛光工艺研究[J].西安工业大学学报.2019
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