论文摘要
硫可以用作生长促进剂制备具有不同形态的碳纳米结构,例如:Y型和海胆状结构,单壁碳纳米管（SWCNTs）,双壁碳纳米管薄膜等.此外,研究表明低浓度的硫和低气体流量可实现碳纳米管中高压Fe7C3和Fe5C2相晶体的填充.然而,碳纳米管中高压相的填充条件以及连续垂直取向的碳纳米管薄膜的合成和形貌控制的条件尚需进一步研究.本文采用化学气相沉积（CVD）,使用硫和二茂铁的混合物作为生长促进剂和碳源,在氩（Ar）气环境中将Si/SiO2基底作为局部生长区域,实现了在碳纳米管内填充碳化铁相,并通过对所得碳结构进行详细表征,揭示填充的碳化物相（Fe5C2和Fe7C3）之间可能存在结合,这些结果在磁数据存储方面将有潜在应用.
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文章来源
类型: 期刊论文
作者: 石林,王家禹,向钢,BOI Filippo S
关键词: 碳纳米管,碳化铁,化学气相沉积,磁数据存储
来源: 四川大学学报(自然科学版) 2019年05期
年度: 2019
分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑
专业: 化学,材料科学
单位: 四川大学物理学院,四川大学中英联合材料研究所
基金: 国家自然科学基金(51671137,11404227)
分类号: O614.811;TB383.1
页码: 944-950
总页数: 7
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