导读:本文包含了沉积温度计算论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:偏压,温度,离子,脉冲,电弧,化学平衡,基体。
沉积温度计算论文文献综述
阿伦[1]（2016）在《用基于云计算的镀液温度控制系统优化镀铁层的沉积速率》一文中研究指出采用单因素试验法,得出镀液温度对镀铁层沉积速率的影响规律。以期通过控制镀液温度进而优化镀铁层的沉积速率,设计出一种基于云计算的镀液温控系统。该系统借助于DS18B20温度传感器实时采集镀液温度信号,并引入云计算进行数据处理,实现对镀液温度的智能化控制,从而达到优化镀铁层沉积速率的目的。(本文来源于《电镀与环保》期刊2016年05期）
欧阳旭,胡仰栋[2]（2010）在《气相反应产物中固相沉积始现的反应温度点计算》一文中研究指出许多气相反应不希望出现固相产品,如燃烧过程不希望有积碳。本文研究气相反应产物在什么条件下出现固体。根据Gibbs自由能最小等热力学原理,提出1种将化学反应平衡和固体饱和蒸汽压数据相结合,求气相反应产物中固相沉积始现的反应温度点的计算方法。举出氯硅烷氢化等7个体系的算例。结果表明:本法与传统的Gibbs自由能最小法结果相同;在同样的进料条件下,每个体系均存在1个固相沉积的温度范围。本文确定的这种温度范围对探讨气体反应的固相沉积现象具有很好的指导意义,所选算例得出:SiHCl_3氢化等4个体系有2个沉积温度点(TD_1,TD_2),即这些平衡体系有2个沉积的温度转折点,如果不希望有沉积,就必须使进料温度小于TD_1或者大于TD_2;而CH_4部分氧化等3个体系只有1个沉积温度点TD,此类平衡体系如果不希望有沉积,进料温度就应大于TD。(本文来源于《计算机与应用化学》期刊2010年03期）
白晓,林国强,董闯[3]（2004）在《脉冲偏压电弧离子镀沉积温度的计算》一文中研究指出针对脉冲偏压电弧离子镀技术,分析了影响基体沉积温度的各项因素及其影响程度.在直流偏压电弧离子镀沉积温度计算模型的基础上,在偏压输出波形为近方波的相对规范形状的条件下,将脉冲离子轰击输入能量功率等效成直流输入功率与占空比的乘积,再基于能量平衡原理建立脉冲偏压电弧离子镀基体沉积温度的理论计算模型,最后用实测的沉积温度对计算模型进行检验,在-1000-0 V的偏压范围内,理论与实验得到了好的吻合.(本文来源于《金属学报》期刊2004年10期）
白晓[4]（2004）在《脉冲偏压电弧离子镀基体沉积温度的计算与纳米多层硬质薄膜的初步研究》一文中研究指出基体沉积温度是离子镀工艺中影响薄膜性能和限制可镀基体范围的最重要参数之一。与传统的以直流负偏压为基础的电弧离子镀(direct current bias arc ion plating，DCAIP)相比，脉冲偏压电弧离子镀技术(pulsed-bias arc ion plating，PBAIP)不仅能够有效降低沉积温度，适合于具有较低的回火温度或应力释放温度点的基体材料；同时，在相同沉积温度下，PBAIP技术中利用脉冲偏压和占空比等电参数的优化组合可以改善薄膜性能。但是，目前对于PBAIP技术中沉积温度的降低及工艺参数对沉积温度的影响还缺乏系统认识，如果能够通过计算来预测不同工艺参数下的沉积温度，达到通过工艺参数的调整来实现控制沉积温度的目的，对于薄膜的性能优化、基体材料的选择和沉积工艺的合理设计都具有重要意义。 PBAIP与DCAIP的不同在于基体偏压的作用形式，本文从脉冲偏压的作用形式出发，用实验的方法分析了脉冲偏压电参数的特点，得到了近方波的相对规范形状的偏压偏流输出波形。同时详细探讨影响沉积温度的各因素对沉积温度的影响趋势及影响程度，分析表明：离子轰击、基体的热辐射、通过基体支撑轴的热传导散热是影响基体沉积温度的主要因素。在此基础之上，基于基体获得能量与释放能量相平衡原则，建立包含离子轰击功率密度、辐射功率密度、热传导功率密度、材料的比热容、质量及面积和温度变化等参量的温度计算模型。最后以沉积TiN为例，用实测的沉积温度对计算模型进行检验，在-1000～0V的偏压范围内理论与实验得到了好的吻合。对模型的进一步理论分析表明，脉冲偏压工艺降低沉积温度的本质在于其离子能量输入密度是相同偏压幅值下直流偏压工艺能量输入密度的D(占空比D＜1)倍；在既定设备和基体上，通过脉冲工艺电参数可以实现对沉积温度的有效控制。 脉冲偏压电弧离子镀温度控制和低温沉积机制的明确为在硬质合金等基体上制备纳米多层硬质薄膜奠定了基础。本文以Ti／TiN为例，采用间歇送人N_2的方法，制备纳米多层薄膜，展开PBAIP技术纳米多层薄膜的初步研究，为优化沉积工艺，制备纳米多层硬质薄膜提供基本实验依据。经分析证明，利用一定时间间隔送入N_2的工艺可以实现Ti／TiN纳米多层薄膜的制备；脉冲偏压电弧离子镀制备的调制周期为100nm左右的Ti／TiN多层薄膜的结合力和显微硬度，与常规直流和脉冲工艺下的TiN均质膜相比，有大幅度提高，结合力可达90N，显微硬度在Hk3000kgf／mm~2左右。通过调整Ti／TiN薄膜的调制周期和周期比，制备了具有超硬特性的Ti／TiN多层薄膜，显微硬度最高可达Hk4799 kgf／mm~2；分析表明，引起纳米多层薄膜硬的提高的原因可能有两个，一是Hall-Petch关系的晶粒细化效应，二是由于位错源在层间产生和运动受到抑制所致。(本文来源于《大连理工大学》期刊2004-02-01）
白晓,黄美东,林国强,闻立时[5]（2003）在《脉冲偏压下的电弧离子镀基体沉积温度的计算预测》一文中研究指出脉冲偏压电弧离子镀在低直流偏压保证等离子体中的离子定向运动的条件下,利用高幅值的脉冲偏压和低的占空比可以有效降低沉积温度。基体的沉积温度是影响薄膜质量和使用性能的主要参数之一,它不但限定了用于沉积薄膜的基体材料和范围,而且还影响薄膜的内应力及膜基结合强度。因此,预测并控制基体的沉积温度具有重要的现实意义。本工作在详细分析影响电弧离子镀基体沉积温度的主要因素的基础上,基于(本文来源于《TFC’03全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集》期刊2003-09-01）
黄美东,林国强,董闯,孙超,黄荣芳[6]（2001）在《电弧离子镀基体沉积温度计算》一文中研究指出较详细地考察了电弧离子镀时影响基体沉积温度的因素及影响程度 ,应用能量平衡原理建立了计算基体沉积温度的数学模型。采用该计算模型分析了基体材质、形状与电弧离子镀膜工艺参数改变时基体温度的变化 ,经实验验证 ,模型计算与实验数据基本吻合。(本文来源于《金属热处理学报》期刊2001年04期）
汪爱英,孙超,王冰,宫骏,黄荣芳[7]（2001）在《热丝化学气相沉积大面积金刚石膜温度场的模拟计算》一文中研究指出对热丝化学气相沉积（ＨＦＣＶＤ）生长金刚石膜过程中影响衬底温度场的热丝几何参数及其他相关沉积参数进行了模拟计算．结果表明，通过优化参数，用８０ｍｍ ×８０ｍｍ的热丝阵列可以获得７６ｍｍ × ７６ ｍｍ面积的均匀衬底温度区，进一步利用辅助热丝则可将均温区面积扩大到 １００ｍｍ×１００ｍｍ．这些结果可以为沉积高质量、大面积金刚石膜的工艺参数提供理论依据．(本文来源于《金属学报》期刊2001年11期）
沉积温度计算论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
许多气相反应不希望出现固相产品,如燃烧过程不希望有积碳。本文研究气相反应产物在什么条件下出现固体。根据Gibbs自由能最小等热力学原理,提出1种将化学反应平衡和固体饱和蒸汽压数据相结合,求气相反应产物中固相沉积始现的反应温度点的计算方法。举出氯硅烷氢化等7个体系的算例。结果表明:本法与传统的Gibbs自由能最小法结果相同;在同样的进料条件下,每个体系均存在1个固相沉积的温度范围。本文确定的这种温度范围对探讨气体反应的固相沉积现象具有很好的指导意义,所选算例得出:SiHCl_3氢化等4个体系有2个沉积温度点(TD_1,TD_2),即这些平衡体系有2个沉积的温度转折点,如果不希望有沉积,就必须使进料温度小于TD_1或者大于TD_2;而CH_4部分氧化等3个体系只有1个沉积温度点TD,此类平衡体系如果不希望有沉积,进料温度就应大于TD。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
沉积温度计算论文参考文献
[1].阿伦.用基于云计算的镀液温度控制系统优化镀铁层的沉积速率[J].电镀与环保.2016
[2].欧阳旭,胡仰栋.气相反应产物中固相沉积始现的反应温度点计算[J].计算机与应用化学.2010
[3].白晓,林国强,董闯.脉冲偏压电弧离子镀沉积温度的计算[J].金属学报.2004
[4].白晓.脉冲偏压电弧离子镀基体沉积温度的计算与纳米多层硬质薄膜的初步研究[D].大连理工大学.2004
[5].白晓,黄美东,林国强,闻立时.脉冲偏压下的电弧离子镀基体沉积温度的计算预测[C].TFC’03全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集.2003
[6].黄美东,林国强,董闯,孙超,黄荣芳.电弧离子镀基体沉积温度计算[J].金属热处理学报.2001
[7].汪爱英,孙超,王冰,宫骏,黄荣芳.热丝化学气相沉积大面积金刚石膜温度场的模拟计算[J].金属学报.2001
论文知识图
