磁场中环状碳纳米卷电子结构的紧束缚法研究

磁场中环状碳纳米卷电子结构的紧束缚法研究

论文摘要

通过考虑波矢■周期性边界条件,在石墨烯紧束缚模型基础上,构造了磁场中环状碳纳米卷模型,研究了其电子结构性质.结果表明环状碳纳米卷的电子结构以磁通量子Φ0为周期随磁通量Φ周期性变化,通过控制手性和磁场,可将其调制成金属或不同带隙的半导体,其中m=3I(I为整数)、θ=2π/3的锯齿型环状碳纳米卷的带隙受磁场的影响比较小,m=18时变化幅度仅为7 μeV.

论文目录

  • 1 引 言
  • 2 模型与计算方法
  • 3 结果与讨论
  •   3.1 TZCNS及TACNS的能带结构
  •   3.2 TZCNS及TACNS的能隙变化
  •   3.3 TZCNS及TACNS的态密度
  • 4 结 论
  • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 王昭

    关键词: 环状碳纳米卷,紧束缚模型,电子结构,磁通量子

    来源: 四川大学学报(自然科学版) 2019年01期

    年度: 2019

    分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑

    专业: 物理学,无机化工,材料科学

    单位: 德宏师范高等专科学校

    分类号: TB383.1;TQ127.11;O441

    页码: 119-124

    总页数: 6

    文件大小: 3050K

    下载量: 64

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