La掺杂ZnO光电性质的研究

La掺杂ZnO光电性质的研究

论文摘要

采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,计算了不同原子百分比含量的La掺杂ZnO超晶胞的电子结构和光学性质。结果表明,随着La掺杂量的增加,掺杂体系的体积增加,形成能增加,稳定性降低。La掺杂后禁带宽度明显减少,费米能级向上移动进入导带,转化为n型半导体。与未掺杂ZnO相比,La掺杂后引起光吸收边发生蓝移,高能区的吸收峰发生红移。

论文目录

  • 1 前言
  • 2 理论模型和计算方法
  •   2.1 理论模型
  •   2.2 计算方法
  • 3 结果与讨论
  •   3.1 晶体结构和稳定性分析
  •   3.2 能带结构
  •   3.3 态密度分析
  •   3.4 光学性质分析
  • 4 结论
  • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 张蕾,王海芳,安宁,王星星

    关键词: 掺杂,第一性原理,电子结构,光学特性

    来源: 精细化工中间体 2019年05期

    年度: 2019

    分类: 工程科技Ⅰ辑,信息科技

    专业: 无机化工,无线电电子学

    单位: 中北大学环境与安全工程学院

    基金: 国家自然科学基金项目(21806147),山西省自然科学基金项目(201801D121268)

    分类号: TN304;TQ132.41

    DOI: 10.19342/j.cnki.issn.1009-9212.2019.05.010

    页码: 37-40+46

    总页数: 5

    文件大小: 1729K

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