论文摘要
对富铟磷化铟(InP)晶体中铟夹杂物的基体特征进行了分析和表征。在富铟熔体中制备了InP单晶,利用金相显微镜及红外透射显微镜研究InP晶体中的铟夹杂物形态及其基体周围的影响区的形成。研究发现在铟夹杂物周围的InP基体上存在一些轮廓线。基于铟夹杂物的形成过程和其对周围InP基体的影响,分析了铟夹杂物及其周围轮廓线的形成机理。通过位错腐蚀发现,铟夹杂物周围的InP基体上存在高的位错区,沿着晶体生长方向的位错密度偏高。通过力学分析发现,这种位错分布不均匀主要是由于富铟熔体结晶过程中沿着温度梯度方向的体积膨胀较大所致。
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文章来源
类型: 期刊论文
作者: 王昊宇,杨瑞霞,孙聂枫,王书杰,田树盛,陈春梅,刘惠生
关键词: 晶体生长,化合物半导体,非配比熔体,铟夹杂物
来源: 半导体技术 2019年05期
年度: 2019
分类: 信息科技,工程科技Ⅰ辑
专业: 化学
单位: 河北工业大学电子信息工程学院,中国电子科技集团公司第十三研究所,专用集成电路重点实验室
基金: 国家自然科学基金面上项目(61774054,51871202),国家自然科学基金青年基金资助项目(51401186)
分类号: O614.372;O766
DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.05.011
页码: 386-389
总页数: 4
文件大小: 1693K
下载量: 92
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