A、B位空位比对PZT压电性能的影响

论文摘要

以La3+和Nb5+分别为A、B位不等价取代离子,研究了A、B位不等价离子掺杂引起的空位比对[(Pb0.93La0.07)1-αα][（Zr1-y-zTiyNbz）1-ββ]O3（PLZTN）陶瓷性能的影响,并找出了A、B位同时掺杂取代时影响锆钛酸铅（PZT）陶瓷性能的关键因素。在该文的y、z、α、β取值范围内制备出的压电陶瓷均具有较纯净的钙钛矿结构,表现出弛豫铁电体特性。当摩尔比r（Ti）/r（Zr）=39/61,Nb在B位的摩尔分数z=0.02,空位比α/β=2/1时,陶瓷样品具有最佳的压电性能:压电应变常数d33=800pC/N,平面机电耦合系数kp=71.85%。该陶瓷样品具有较大的电致伸缩系数。以其制作的0.22mm×7.8mm×45mm压电片的横向机电耦合系数k31达0.46。该陶瓷片组装的双晶片在180V电压驱动下,其悬臂梁结构的自由端推力为32g,空载位移量为0.8mm。该材料是纺织经编机压电贾卡制造的较理想材料。

论文目录

• 0 引言
• 1 实验
•   1.1 PZT陶瓷配方的设计
•   1.2 PZT陶瓷样品的制备
•   1.3 样品的性能及表征
• 2 实验结果与讨论
•   2.1 晶体结构分析
•   2.2 显微结构分析
•   2.3 PZT陶瓷的介电性能
•   2.4 PZT陶瓷的压电性能
•   2.5 PZT陶瓷的热稳定性
•   2.6 压电薄片振子和双晶
• 3结论

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 成炎炎,李坤,陈森,杨国庆

关键词: 锆钛酸铅陶瓷,空位比,电学性能,热稳定性

来源: 压电与声光 2019年01期

年度: 2019

分类: 信息科技,工程科技Ⅰ辑

专业: 无机化工

单位: 常州大学材料科学与工程学院

基金: 国家自然科学基金资助项目(51577015)

分类号: TQ174.1

页码: 25-29+33

总页数: 6

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