导读:本文包含了多热源合成碳化硅炉论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:热源,碳化硅,温度场,数值,压力,均匀,实验研究。
多热源合成碳化硅炉论文文献综述
孟祥鑫,韩俨[1]（2018）在《多热源合成碳化硅温度场及压力场的叁维数值模拟》一文中研究指出采用计算流体力学软件(CFD)对合成碳化硅的多热源和单热源炉内的温度及压力的变化情况进行数值模拟,同时采用工业试验的方法对模拟结果验证。研究结果表明多热源由于将单个炉芯进行多个分散布置,使得适合碳化硅合成的温区面积明显增加,同时热源的分散也使得温度场更加均匀,未出现局部过热现象,从而减少高温带来的碳化硅过量的分解,而从两种合成炉压力分布情况来看,单热源的局部高压集中在炉底部位最大压力位154.5k Pa,相比而言多热源炉内压力分布较为均匀比较适宜碳化硅的合成,其最高压力为127.3k Pa。(本文来源于《工业加热》期刊2018年03期）
李阳,陈杰,王旭阳,王飞,王晓刚[2]（2017）在《多热源合成碳化硅温度场及压力场变化规律研究》一文中研究指出过数值模拟及工业实验的方法分别对多热源和单热源合成炉内的温度场及压力场进行分析,研究了两种合成炉内温度及压力的演变规律。结果表明由于多热源的能量迭加效应,使得适合于碳化硅合成的温度区域明显高于单热源,且分散的热源避免了能量过于集中从而减少碳化硅的分解量,同时从两种合成炉压力分布图可以看出,单热源炉内压力最高为1.525×101 kPa极易发生喷炉事故,而多热源最高压力为1.256×101 kPa,此压力相比而言能保证合成过程的平稳进行。(本文来源于《硅酸盐通报》期刊2017年10期）
王晓刚,陈杰[3]（2013）在《多热源合成碳化硅温度场的均匀性研究》一文中研究指出通过对碳化硅冶炼炉内温度场的数值模拟,研究了单热源炉与多热源炉温度梯度的分布与演变规律,并采用X衍射对多热源与单热源合成炉中不同部位的合成产品的物相进行了对比分析。研究表明,多热源合成炉内温度场均匀性更好;适合碳化硅生长的高温区域,多热源法要大于Acheson单热源法;多热源合成炉内无高温聚集区,生产更平稳、更安全。(本文来源于《矿冶工程》期刊2013年06期）
庄飞[4]（2006）在《多热源“熔透”法合成碳化硅的实验研究》一文中研究指出目前，大规模工业生产SiC的方法有Acheson法和多热源法两种。Acheson法经过多年的应用已经很成熟，但生产的产品能耗高、产量低、质量差，生产成本居高不下。现在应用比较广泛的多热源合成SiC技术具有温度梯度小，热场均匀，SiC生成区域宽，合成的产品能耗低、产量高的特点。但是如果工艺控制不严格，产品结合部易石墨化、晶体缺陷多，影响了产品质量。多热源熔透法合成SiC经过实验室试验和工业化试验已经很成熟，在新疆得到了广泛推广。它在反应前期由多个热源发热，在反应后期由一个热源发热，降低了单耗提高了单产，合成出的产品品质高，对工业生产意义重大。 在传热学基础上，利用解析法对合成炉内反应前期热源迭加区和后期炉内传热方程进行计算，得出合成炉内不同时期的温度分布方程。利用模拟软件对多热源熔透法合成炉由多炉芯到单炉芯变化过程中炉内温度、热流强度、温度梯度变化规律进行研究。根据多热源熔透法反应前期和后期热源数目不同的特点，利用模拟软件研究了不同炉芯形状和间距对产品发育的影响。对反应结束后炉内只有一个热源和结晶筒的特点进行传热分析，利用能量守恒原理进行炉芯数目判定，结合生产实践对模型进行检验，证明其有较强的实用性。 以多热源熔透法技术进行工业合成试验，研究了不同原料、装炉设计、炉芯间距、供电工艺等对合成产品的影响。应用X衍射和扫描电镜对多热源法结合部产品和多热源熔透法产物进行测试。结果表明焙烧后的原料有利于工业生产，炉芯间距和供电工艺对多热源熔透法产品影响很大，应根据实际情况选择合适参数；多热源熔透法产品晶体缺陷少，高温型晶体含量高，结晶类型、晶体形貌趋于单一，有利于工业化生产高品质SiC产品。(本文来源于《西安科技大学》期刊2006-04-18）
刘永胜[5]（2002）在《多热源合成碳化硅炉温度场数值模拟及实验研究》一文中研究指出多热源合成碳化硅炉炉内温度分布、热量传递及温度梯度变化对碳化硅产品的产量、质量和能耗都有重要的影响。因此，研究合成炉内温度场规律和工艺条件对合成炉温度场的影响，采取一定措施改善生成碳化硅的温度区域，对于从根本上提高碳化硅的产量和质量，降低产品能耗和安全生产具有重要的意义。 对传统的单热源合成炉(Acheson炉)和课题组研究发明的多热源合成炉的温度场进行了传热分析，进行了简化、假设和约定，确定了初始条件和边界条件，建立了数学模型。采用有限元法建立了单热源合成炉和多热源合成炉温度场的有限元几何模型和数值计算模型。分析了所建立的数学模型与ANSYS软件数学基础的一致性，表明采用ANSYS软件对多热源合成炉温度场进行数值模拟研究是可行的。 通过查表及相关运算，确定了采用ANSYS软件所需的热性能参数。通过模拟及实验研究了单热源合成炉温度场随时间和功率的变化规律。分析了不同炉型多热源炉温度场的温度分布、热流量及温度梯度的模拟结果的差异，表明多热源合成炉炉芯之间的热屏蔽作用、温度场迭加作用及相互之间的保温作用是其具有节能、提质和高产等优点的内在原因，并通过实验进行了验证；模拟探讨了不同供电功率时，多热源合成炉内温度分布、热量传递和温度梯度的变化状况，表明供电功率对合成炉的温度分布、热量传递和温度梯度变化具有重要的影响，确定了模拟炉型的最佳供电功率，多热源合成工艺实验表明实验结果和模拟结果基本相符；研究了立体四热源炉内温度场随时间的变化趋势，表明供电时间对炉内温度分布状况和碳化硅反应区域的大小有影响。 研究了热源数目趋于无穷时的合成炉温度分布、热流量和温度梯度的演变规律。表明随热源数目的增多，热源之间的温度场迭加区域的温度分布趋于一致，热流量和温度梯度很小且趋于一致。热源数目为无数多个时，炉芯之间的温度大小一致，炉芯之间温度场成为一个均匀的温度场。利用无数多个热源温度场的启示，提出将导电体掺入反应料使之导电发热合成碳化硅材料的方法，即无芯炉法。 对提出的无芯炉合成碳化硅材料的方法的进行了实验验证研究。研究了反应料配比、供电功率和供电时间等供电制度对碳化硅合成的影响；采用XRD和SEM等 分析测试手段分析了合成的不同类型碳化硅产品的微观形态和特性，并指出了其可－－＿能的应用领域。(本文来源于《西安科技学院》期刊2002-04-25）
多热源合成碳化硅炉论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
过数值模拟及工业实验的方法分别对多热源和单热源合成炉内的温度场及压力场进行分析,研究了两种合成炉内温度及压力的演变规律。结果表明由于多热源的能量迭加效应,使得适合于碳化硅合成的温度区域明显高于单热源,且分散的热源避免了能量过于集中从而减少碳化硅的分解量,同时从两种合成炉压力分布图可以看出,单热源炉内压力最高为1.525×101 kPa极易发生喷炉事故,而多热源最高压力为1.256×101 kPa,此压力相比而言能保证合成过程的平稳进行。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
多热源合成碳化硅炉论文参考文献
[1].孟祥鑫,韩俨.多热源合成碳化硅温度场及压力场的叁维数值模拟[J].工业加热.2018
[2].李阳,陈杰,王旭阳,王飞,王晓刚.多热源合成碳化硅温度场及压力场变化规律研究[J].硅酸盐通报.2017
[3].王晓刚,陈杰.多热源合成碳化硅温度场的均匀性研究[J].矿冶工程.2013
[4].庄飞.多热源“熔透”法合成碳化硅的实验研究[D].西安科技大学.2006
[5].刘永胜.多热源合成碳化硅炉温度场数值模拟及实验研究[D].西安科技学院.2002
论文知识图
