导读:本文包含了单刀双掷开关论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:单刀,结构,射频,混频器,磁路,电子战,晶体管。
单刀双掷开关论文文献综述
孙吉胜,张陶陶,文春华,熊为华,卜祥蕊[1]（2019）在《基于磁路非对称结构的失效保护型单刀双掷同轴开关设计》一文中研究指出介绍了一种非对称结构的失效保护型单刀双掷同轴开关的设计,重点论述了器件的整体结构、工作原理和磁路系统设计,最后给出实际测试结果。(本文来源于《磁性材料及器件》期刊2019年05期）
刘方罡,要志宏[2]（2019）在《一种正电压控制的单片微波集成单刀双掷开关》一文中研究指出设计了一款GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)单片微波集成正电压控制开关。该电路设计采用片上集成隔直电容,对传统负电压控制开关的拓扑结构进行改进。针对PHEMT开关低频(0.1 GHz)下1 dB压缩点输入功率(P_(i(1 dB)))陡降问题进行分析,提出了改进栅极输入阻抗的方法,有效提高了PHEMT开关低频下的P_(i(1 dB))。采用中国电子科技集团公司第十叁研究所0.25μm GaAs PHEMT工艺进行了仿真和流片,芯片的面积为1.0 mm×1.0 mm。测试结果表明,在频率为0.1～4 GHz内,插入损耗小于0.8 dB,隔离度大于42 dB,P_(i(1 dB))大于15 dBm。控制电压为0 V/5 V。该款GaAs PHEMT微波单片集成正电压控制开关设计全部达到了预期性能,并实现了改善低频下的P_(i(1 dB))的目标。(本文来源于《半导体技术》期刊2019年07期）
刘婷婷[3]（2019）在《基于40-nm CMOS工艺单刀多掷开关的研究》一文中研究指出近几十年来,无线通信系统经历了爆炸式增长,而射频(RF,Radio Frequency)收发模块是无线通信系统中必不可少的部分,其中的收发器需要一个单刀双掷(SPDT,Single-pole Double-throw)的收发(T/R,Transmit/Receive)开关来提供发送器和接收器之间的隔离;降低SPDT开关的插入损耗、带宽扩展等性能对超宽带、多模无线通信系统的进一步发展十分关键。本文研究了单刀多掷(SPMT,Single-pole Multi-throw)开关的基本工作原理、经典电路结构和端口匹配网络。首先对应用于RF收发模块中的单刀双掷开关和应用于开关光束阵列的单刀多掷开关展开了调研,并对工作在直流(DC,direct-current)至50GHz频段内的单刀多掷(包括单刀双掷、单刀四掷、单刀六掷、单刀八掷)开关的电路结构及相应的优缺点等进行了理论研究与分析。重点研究了晶体管串联、串-并联、差分等结构的SPDT开关,分析了不同的端口阻抗匹配网络(T型、π型、L型)对SPMT开关的影响,同时研究了能够改善SPMT的插入损耗(IL,Insert Loss)、隔离度度(ISO,Isolation)等性能的技术——深n阱技术、衬底浮动技术等。最终分析比较得出晶体管串-并联结构适用于单刀双掷、单刀四掷和单刀六掷开关,而晶体管串联的结构适用于单刀八掷开关;同时π型的输入端口阻抗匹配网络能使SPMT开关具有最佳的谐振。经过上述研究分析,本文基于40nm低泄露CMOS工艺,分别对SPDT、SP4T(Single-pole four-throw)、SP6T(Single-pole six-throw)和 SP8T(Single-pole eight-throw)开关电路的电路结构、匹配网络等进行了设计与分析。本文完成了具有高于20GHz的超宽带、低于-18dB的回波损耗(RL,Return Loss)、小于-3dB的插入损耗和大于32dB的高隔离度的单刀双掷、单刀四掷、单刀六掷和单刀八掷开关的设计与仿真。最后,对SPMT开关电路进行了版图设计,其中SPDT开关的芯片面积是561*571um2;仿真结果表明后仿真结果与前仿真结果相比,单刀多掷开关的插入损耗和回波损耗有所增加。本文设计的SPMT开关能够满足多频段、多模等无线通信系统对开关的性能要求。(本文来源于《北京交通大学》期刊2019-06-05）
肖哲[4]（2019）在《基于MEMS技术的单刀双掷开关与可重构天线阵列的研究》一文中研究指出射频微机电(Radio Frequency Micro-electromechanical Systems,RF MEMS)开关具有尺寸小,重量轻,对加速度不敏感,在微波频率下无直流损耗,并具有高隔离度和低插入损耗等优点,广泛应用于射频系统中。方向图可重构天线可通过改变天线表面电流分布,从而可改变波束辐射方向,实现方向图可重构。在方向图可重构天线中,频率与极化方式应保持稳定不变。将方向图可重构天线运用于天线阵列时,可以通过改变单元的波束方向,使不同单元的波束方向都集中于某个方向而提供更高的阵列增益。本文围绕设计出高性能的MEMS单刀双掷开关并将其应用于方向图可重构天线阵列,针对电容式单刀双掷开关的设计难题,提出了一种新型具有双层电极结构的单刀双掷开关,并将其应用于方向图可重构天线阵列中,仿真和测试结果表明,本文设计的单刀双掷开关的隔离度小于-35dB,插入损耗大于-ldB,达到了优异的性能,可重构天线阵列的扫描角度有±16°的偏转,验证了模型与设计方法的正确性。本文主要研究成果与创新如下。第一,针对如何设计出独有独立电极的MEMS单刀单掷开关的难题,设计出具有特殊迭放电极结构的高性能MEMS开关并进行理论分析。对于本课题研究的电容式MEMS开关而言,迭放电极结构会对原有结构的电路模型造成影响。对于这种特殊结构的高性能的MEMS单刀单掷开关的建模和计算至关重要,本文在原有的模型基础上提出了一种计算方法,解决了这种具有独立电极结构MEMS开关的设计难题,为以后的SPDT设计打下了基础。同时,硅基共面波导上设计MEMS开关的过程中,为了达到预定的电磁电路性能,需要在MEMS开关锚区附近的共面波导地上开槽,形成非连续性结构。非连续性结构的存在,必会对流过信号线的信号造成影响,为了准确设计非连续性结构,这些参数的计算是首要要解决的问题。通过使用保角变换如本文所使用的幂变换以及施瓦茨变化等方法,结合第一类与第二类椭圆积分,解决非连续性地共面波导参数的计算问题。第二,针对如何能使电容式开关在具有独立电极的情况下实现一通一断的功能,设计出具有公共地结构的MEMS单刀双掷开关并进行分析与仿真。现有的射频MEMS单刀双掷开关并联技术是直接在共面波导信号线处并联单刀单掷开关,为了使开关梁下拉,要通过对开关梁加直流驱动电压,由于共面波导结构的限制,此时会导致公共地处电势不等,需要额外搭建空气桥来控制各处的公共地形成等势面,使得开关结构复杂。具有独立电极结构的并联式开关虽然可以对电极加电,不会引起公共地处电势不等的问题,但是由于在Ka波段共面波导的沟道结构很窄,使得容纳的独立电极大小受限制,从而会导致产生的静电力变小而无法使开关梁弯曲下拉。本方法拟设计出具有共地结构的共面波导,相比于传统方法(在CPW信号线上直接并联MEMS单刀单掷开关),该方法所设计的SPDT开关公共地部分连接在一起构成等势面,不需要连接空气桥,信号线与开关梁直接接在在一起。最后,设计出一款具有扫描功能的方向图可重构天线阵列,通过MEMS单刀双掷开关控制能够达到方向图扫描范围在±16°左右,实现可重构功能,进行仿真,测试并验证实验结果。(本文来源于《北京邮电大学》期刊2019-05-24）
施雨[5]（2019）在《基于BiCMOS的W波段单刀双掷开关与混频器设计》一文中研究指出随着射频集成电路与现代半导体工艺的迅速发展,微波毫米波电路在无线通信,电子对抗,雷达探测,成像等领域的工作频段和集成化程度越来越高。硅基工艺的特征尺寸不断减小,硅基毫米波和亚毫米波芯片的工作性能也得到了很大提升。本文基于130nm SiGe BiCMOS工艺,针对W波段单刀双掷开关(SPDT)与W波段下变频混频器进行分析与设计。首先介绍了毫米波频段的优势与主要应用领域,以及毫米波单刀双掷开关与混频器的发展现状。其次介绍开关与混频器的基本原理及结构分类,分析了上述器件性能优化的技术方法。再根据设计指标选取合适拓扑结构并进行芯片设计。主要研究内容和成果如下:(1)差分单刀双掷开关采用并联MOS管的核心结构与电容电感滤波匹配网络,在版图布局中对原本占用面积较大的匹配电感进行优化,将两个传输差分信号的电感迭加为等效变压器模型的螺旋耦合结构,能够在减小原本面积一半的同时抑制系统共模信号。在90~100 GHz的后仿结果显示开关在频带内实现了良好匹配,在94GHz频点处差模与共模信号的插入损耗分别为-4.1dB与-7.4dB,隔离度都为-22 dB,故能够在面积更小的条件下实现对共模信号的衰减与抑制。差分转单端开关流片测试结果显示,插入损耗在94GHz处为4.6dB,全频段内隔离度在-24dB以下。输入与输出反射系数在-10dB~-8dB与-12dB~-8dB之间。芯片应用于系统中的核心面积570μm×140μm,单片流片尺寸为1370μm×900μm。(2)下变频混频器采用双平衡吉尔伯特结构,能够实现高隔离度以及良好的转换增益。通过巴伦实现宽带输入匹配,通过中心抽头接入直流电压偏置,同时改善巴伦不平衡度。将传统尾电流源改为电流镜提供电流偏置,避免在较高频段节点呈现负阻导致电路不稳定。射频信号为90.5GHz-97.5GHz,本振信号为84GHz,后仿结果显示输入本振功率0dBm时变频增益为7.5dB,在中频输出10GHz处噪声系数为13.6dB,输入1dB压缩点的功率为-8.9dBm,各端口隔离度均在-30dB以下。芯片面积430μm×320μm。综上,本文基于130nm SiGe BiCMOS工艺线,研究了W波段开关和混频器的设计方法,在传统电路结构形式的基础上,针对器件应用背景和设计指标,进行了电路优化,取得了较好的器件性能,实现了设计目标,缩小了芯片面积,论文具有较强的实用价值。(本文来源于《合肥工业大学》期刊2019-04-01）
施雨,徐余龙,庞东伟,陈涛,桑磊[6]（2019）在《基于SiGe BiCMOS工艺的90～100 GHz单刀双掷开关》一文中研究指出采用0.13μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种频带为90～100GHz的差分单刀双掷开关。首先对比分析了并联MOS管与串联MOS管,根据隔离度与损耗性能选择了并联结构。其次采用差分螺旋电感进行匹配,将双端口电感网络等效为变压器模型,显着抑制了共模信号。采用平面叁维电磁仿真软件进行联合仿真。结果表明,在中心频点处,差模插入损耗为-4.1dB,共模插入损耗为-7.4dB,隔离度大于-22dB,输入反射系数S_(11)<-12dB,输出反射系数S_(22)<-10dB。芯片尺寸为570μm×140μm。(本文来源于《微电子学》期刊2019年01期）
王璐,胡永军,马建军,汤寅[7]（2018）在《一种高可靠大功率单刀叁掷开关模块设计》一文中研究指出利用叁维电磁仿真工具,选取自主开发的大功率PIN二极管芯片,结合不同结构的管壳进行了仿真,同时考虑了管壳的气密性、腔体内部多余物的控制和引线的牢度等可靠性问题,设计出一种串联式高可靠大功率单刀叁掷开关模块。该模块工作频率小于1 GHz,在150 W连续波输入功率下,带内插损小于0.12 d B,隔离度大于25 d B。(本文来源于《电子与封装》期刊2018年11期）
[8]（2018）在《美国Macom公司新推出GaAs基单刀双掷开关针对电子战和宽带通信系统等应用进行了优化》一文中研究指出近日,美国Macom公司发布新的MASW-011102SPDT非反射开关,扩展了其RF开关技术组合。基于Macom的GaAs基单刀双掷(SPDT MASW)系列开关的既定性能标志,新型MASW-011102针对跨越测试和测量、电子战和宽带通信系统的应用进行了优化。Macom的新型MASW-011102低功耗SPDT非反射型开关支持从直流到(本文来源于《半导体信息》期刊2018年05期）
[9]（2018）在《Pasternack推出采用50欧姆反射式设计的单刀双掷高功率PIN二极管射频开关新产品线》一文中研究指出业界领先的射频、微波及毫米波产品供应商美国Pasternack公司推出一系列适用于发射和接收信号路由应用的单刀双掷(SPDT)高功率PIN二极管射频开关新产品。这些产品的典型用途包括雷达系统、电子战、基站基础设施、中继器、军用/微波无线电、公共安全/陆地移动无线电、UHF/VHF无线电以及测试测量。(本文来源于《半导体信息》期刊2018年05期）
任乾男,杨非[10]（2018）在《E波段行波式单刀双掷开关的设计》一文中研究指出本文基于70nm GaAs mHEMT工艺设计了一款E波段宽带单刀双掷开关。设计采用行波结构,利用HEMT器件反向偏置时的寄生电容构造等效传输线,实现宽带特性。首先通过对模型的测试得到晶体管的等效电路模型,然后通过对模型电路的计算确定电路参数,最后对电路进行仿真验证并设计版图。仿真结果表明:在60~90GHz频带内,开关的插入损耗小于3dB,隔离度大于35dB,芯片尺寸为1.5mm*1.5mm*0.1mm。(本文来源于《2018年全国微波毫米波会议论文集(上册)》期刊2018-05-06）
单刀双掷开关论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
设计了一款GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)单片微波集成正电压控制开关。该电路设计采用片上集成隔直电容,对传统负电压控制开关的拓扑结构进行改进。针对PHEMT开关低频(0.1 GHz)下1 dB压缩点输入功率(P_(i(1 dB)))陡降问题进行分析,提出了改进栅极输入阻抗的方法,有效提高了PHEMT开关低频下的P_(i(1 dB))。采用中国电子科技集团公司第十叁研究所0.25μm GaAs PHEMT工艺进行了仿真和流片,芯片的面积为1.0 mm×1.0 mm。测试结果表明,在频率为0.1～4 GHz内,插入损耗小于0.8 dB,隔离度大于42 dB,P_(i(1 dB))大于15 dBm。控制电压为0 V/5 V。该款GaAs PHEMT微波单片集成正电压控制开关设计全部达到了预期性能,并实现了改善低频下的P_(i(1 dB))的目标。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
单刀双掷开关论文参考文献
[1].孙吉胜,张陶陶,文春华,熊为华,卜祥蕊.基于磁路非对称结构的失效保护型单刀双掷同轴开关设计[J].磁性材料及器件.2019
[2].刘方罡,要志宏.一种正电压控制的单片微波集成单刀双掷开关[J].半导体技术.2019
[3].刘婷婷.基于40-nmCMOS工艺单刀多掷开关的研究[D].北京交通大学.2019
[4].肖哲.基于MEMS技术的单刀双掷开关与可重构天线阵列的研究[D].北京邮电大学.2019
[5].施雨.基于BiCMOS的W波段单刀双掷开关与混频器设计[D].合肥工业大学.2019
[6].施雨,徐余龙,庞东伟,陈涛,桑磊.基于SiGeBiCMOS工艺的90～100GHz单刀双掷开关[J].微电子学.2019
[7].王璐,胡永军,马建军,汤寅.一种高可靠大功率单刀叁掷开关模块设计[J].电子与封装.2018
[8]..美国Macom公司新推出GaAs基单刀双掷开关针对电子战和宽带通信系统等应用进行了优化[J].半导体信息.2018
[9]..Pasternack推出采用50欧姆反射式设计的单刀双掷高功率PIN二极管射频开关新产品线[J].半导体信息.2018
[10].任乾男,杨非.E波段行波式单刀双掷开关的设计[C].2018年全国微波毫米波会议论文集(上册).2018
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