导读:本文包含了硅光栅论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:光栅,耦合器,波长,超短,表面,偏振,单晶硅。
硅光栅论文文献综述
王中旺,汪帮富,卢金斌,蒋全胜[1]（2019）在《超短激光制备单晶硅光栅结构的热积累效应和实验研究》一文中研究指出针对超短激光辐照单晶硅材料制备光栅结构存在表面裂纹的缺陷,采用双温模型数值模拟出热积累效应,并且实验验证不同加工参数下制备的单晶硅表面光栅结构的表面质量。数值模拟出不同超短激光功率下电子温度和晶格温度的变化规律,通过调节不同的加工参数制备出单晶硅表面光栅结构沟槽,采用超景深叁维显微镜对其表面形貌分析。结果表明:当超短激光的输出功率增大时,激光热驰豫时间变大,增大了非平衡状态下激光的烧蚀强度。单晶硅表面的不平整凹坑造成超短激光的反射和散射,从而使得烧蚀后存在凹坑,造成单晶硅表面的损伤溶蚀。当加工速度和加工次数一定时,增大激光的输出功率可以提高超短激光制备光栅结构的加工效率,但过大的激光功率反而造成光栅结构沟槽两侧出现溶蚀凹坑。(本文来源于《激光与红外》期刊2019年11期）
陆梦佳,王跃科,姚志飞,张春阳[2]（2019）在《基于一维随机硅光栅的石墨烯表面等离子体安德森局域》一文中研究指出提出了一种中红外波段下探究表面等离子体在石墨烯与硅光栅混合结构中传输安德森局域的方法.在石墨烯片下设计一维随机硅光栅结构来实现石墨烯表面等离子体随机硅光栅.通过调节石墨烯的费米能级来改变由硅光栅的无序引起的石墨烯表面等离子体安德森局域的共振波长.当费米能级是0.6eV时,局域石墨烯表面等离子体在随机硅光栅结构中的场强强度比在周期性硅光栅结构中大70倍.该结构有望应用于可调集成滤波器,宽带调制器以及等离子体传感器等.(本文来源于《光子学报》期刊2019年04期）
张赞允,朱华,李鸿强[3]（2018）在《高效率低向上反射的氮化硅光栅耦合器》一文中研究指出氮化硅材料相比硅材料具有插入损耗低、热稳定性好、制作容差大及相对误差容忍度高的优点,引起了人们广泛的关注和极大的研究兴趣.光栅耦合器作为光芯片与片外光源的接口,以其优良的光耦合性能、放置位置灵活和便于晶圆级在线测试等诸多优点,在很多应用领域已经占据了越来越重要的位置.本文设计了一种基于氮化硅材料的垂直耦合的光栅耦合器,采用变迹光栅结构,实现了对入射光的垂直耦合.在1 550nm波长处,在带有衬底金属反射镜的情况下单向传输的耦合效率达到了79.5%,不引入金属反射镜的器件仍然能达到57.8%的耦合效率值,能很好地实现单向垂直光耦合的性能.对比同类型的硅材料的光栅耦合器,本设计在垂直输入耦合时向上反射的光损耗极低仅为0.29%,大大减弱了器件的负二阶上反射对光纤中入射光引起的串扰.这个设计对氮化硅光栅耦合器的实际制作有一定的参考价值.(本文来源于《聊城大学学报(自然科学版)》期刊2018年04期）
梁榉曦,郑衍畅,邱克强,刘正坤,徐向东[4]（2018）在《〈111〉晶向标定方法及其在湿法刻蚀硅光栅中的应用》一文中研究指出在利用单晶硅的各向异性腐蚀制作光栅的过程中,掩模与硅晶向的精密对准是获取大尺寸光栅结构的前提条件,高对准精度将显着降低光栅槽型侧壁粗糙度。设计并制作了一种扇形图案,通过以该图案为掩模的预刻蚀,可快速准确发现硅基底内晶格取向。通过此方法进行晶向标定,并利用紫外光刻与湿法刻蚀,成功研制了尺寸为15mm×15mm、高度为48.3μm、周期为5μm、高宽比为20的矩形光栅结构,线条侧壁粗糙度RMS值为0.404nm;利用全息光刻与湿法刻蚀成功研制了大高宽比深槽矩形光栅及叁角形槽光栅。矩形槽光栅尺寸为50mm×60mm,高度为4.8μm,周期为333nm,高宽比为100,侧壁粗糙度RMS值为0.267nm。叁角形槽光栅周期为2.5μm,侧壁粗糙度RMS值为0.406nm。(本文来源于《光学精密工程》期刊2018年01期）
马婷[5]（2013）在《亚波长硅光栅应用的研究》一文中研究指出新近研究发现的亚波长高折射率对比光栅(HCG),不仅具有尺寸小巧、结构简单、与标准微纳加工工艺相兼容、易于与集成光路集成的优势,而且HCG呈现出了诸如偏振相关、宽带高反射等新特性,使得HCG具有广泛的应用前景。本论文中介绍的HCG均以硅材料作为高折射率光栅材料。我们主要就HCG的叁方面应用进行了研究。首先,我们设计了一种应用于光纤-波导耦合的,全刻蚀均匀周期光栅耦合器。这种光栅耦合器,结构简单周期均匀易于加工,不需要浅刻蚀所要求的额外的直写步骤。并且可实现定向耦合,通过设计抗反射沟槽和高反射沟槽,使其耦合效率更高。设计方法灵活简便。然后,我们设计了两种聚焦HCG反射镜,其中一种反射镜光栅条的高度不同,另一种光栅条的深度不同,在TE偏振光垂直入射下,两者分别到达了94%和91%的高反射率,并且达到了相同的高聚焦效果,两者焦平面上的场强分布的半高宽都为0.9?m、接近衍射极限。第叁,我们设计了一种聚焦HCG透镜。这种透镜是镂空的硅光栅条结构,整个光栅厚度均一,制作工艺简便,克服了传统透镜制作困难、不易于集成的缺点。并且这种透镜可以达到89%的高透过率,以及0.75的数值孔径值。(本文来源于《国防科学技术大学》期刊2013-11-01）
王爱华,蔡九菊[6]（2011）在《微尺度重掺杂硅光栅波长选择性吸收率的数值研究》一文中研究指出利用时域有限差分法对中红外波段微尺度重掺杂硅简易光栅和复杂光栅的光谱吸收率进行数值模拟,验证重掺杂硅复杂光栅作为波长选择性吸收表面的可行性。计算结果表明:对于简易光栅,不同填充比条件下的光谱吸收率曲线均存在峰值,其中填充比为0.4的吸收率峰值远高于填充比为0.1的峰值;随着光栅周期的增大,吸收率峰值位置向长波长波段移动;当掺杂浓度增加时,吸收率峰值位置移向短波长波段并且半峰全宽值有所减小。对于复杂光栅,与简易光栅相比虽然吸收率峰值有所降低,但其半峰全宽明显比简易光栅的大,主要来源于表面等离子体激元的激发。作为波长选择性吸收表面,复杂光栅表现出比简易光栅更优良的性能。(本文来源于《中南大学学报(自然科学版)》期刊2011年12期）
郭楚才,叶卫民,袁晓东,季家镕[7]（2010）在《近红外亚波长硅光栅偏振器的设计》一文中研究指出利用泄漏模共振效应以及等效介质理论设计出工作在近红外波段的一维亚波长硅光栅偏振器。采用散射矩阵方法和时域有限差分方法对结构进行设计和优化,模拟结果显示在正入射条件下,该偏振器在1 284～1 575 nm波长范围内的消光比大于100(20 dB),而TM模的透射率高于98%。同时对该偏振器的角度特性以及制备容差进行了讨论,计算结果表明该偏振器具有较大的角度与制备容差。(本文来源于《光学与光电技术》期刊2010年04期）
栾光辉,刘剑[8]（2002）在《硅光栅技术》一文中研究指出制作硅光栅的微细加工工艺可分为体硅工艺和面硅工艺,这些微细加工方法在技术上与微电子及微机械工艺可以兼容,这使得制作集成式微型光谱仪成为可能。硅是一种良好的近红外材料,可以用来制作天文红外光谱仪器的浸没光机。本文重点介绍了硅光栅的制作工艺及其在不同领域中的应用。(本文来源于《光机电信息》期刊2002年08期）
鞠挥,吴一辉,王立鼎[9]（2002）在《硅光栅的制作与应用》一文中研究指出硅是一种良好的近红外材料。硅光栅的发展迄今已有20多年历史,在制作方法和应用上都有了较大的发展。硅光栅的微加工工艺可以分为体硅工艺和面硅工艺,这些微加工方法在技术上与微电子及微机械工艺可以兼容。本文介绍了硅光栅的制作及其在不同领域的应用。(本文来源于《微纳电子技术》期刊2002年02期）
硅光栅论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
提出了一种中红外波段下探究表面等离子体在石墨烯与硅光栅混合结构中传输安德森局域的方法.在石墨烯片下设计一维随机硅光栅结构来实现石墨烯表面等离子体随机硅光栅.通过调节石墨烯的费米能级来改变由硅光栅的无序引起的石墨烯表面等离子体安德森局域的共振波长.当费米能级是0.6eV时,局域石墨烯表面等离子体在随机硅光栅结构中的场强强度比在周期性硅光栅结构中大70倍.该结构有望应用于可调集成滤波器,宽带调制器以及等离子体传感器等.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
硅光栅论文参考文献
[1].王中旺,汪帮富,卢金斌,蒋全胜.超短激光制备单晶硅光栅结构的热积累效应和实验研究[J].激光与红外.2019
[2].陆梦佳,王跃科,姚志飞,张春阳.基于一维随机硅光栅的石墨烯表面等离子体安德森局域[J].光子学报.2019
[3].张赞允,朱华,李鸿强.高效率低向上反射的氮化硅光栅耦合器[J].聊城大学学报(自然科学版).2018
[4].梁榉曦,郑衍畅,邱克强,刘正坤,徐向东.〈111〉晶向标定方法及其在湿法刻蚀硅光栅中的应用[J].光学精密工程.2018
[5].马婷.亚波长硅光栅应用的研究[D].国防科学技术大学.2013
[6].王爱华,蔡九菊.微尺度重掺杂硅光栅波长选择性吸收率的数值研究[J].中南大学学报(自然科学版).2011
[7].郭楚才,叶卫民,袁晓东,季家镕.近红外亚波长硅光栅偏振器的设计[J].光学与光电技术.2010
[8].栾光辉,刘剑.硅光栅技术[J].光机电信息.2002
[9].鞠挥,吴一辉,王立鼎.硅光栅的制作与应用[J].微纳电子技术.2002
论文知识图
