导读:本文包含了二极管反向恢复论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:电流,电感,功率,参数,时间,测试,碳化硅。
二极管反向恢复论文文献综述
张锦涛[1]（2019）在《二极管反向静态、反向恢复参数测试装置的研制》一文中研究指出二极管作为电子系统的基本组成部分,也是最简单和应用最广泛的半导体器件之一。二极管的参数是否符合相关标准的规定,将直接影响电子系统的性能。因此,对二极管参数的正确测试分析,可以为电子系统的性能研究奠定基础,为产品的优化设计提供指导。一般来说,二极管参数分为正向参数和反向参数,反向参数又分为反向静态参数和反向恢复参数。本文利用单片机技术设计了二极管反向静态参数测试装置以及反向恢复参数测试装置,具体工作如下:(1)﹑介绍了国内外关于二极管反向参数测试的发展历程,阐述了二极管反向静态参数和反向恢复参数的概念,分析了各种测试方法及其技术的优缺点,为本文设计反向静态参数和反向恢复参数测试装置提供依据和思路。(2)﹑根据标准GB_T 4023-2015/IEC 60747-2:2000,设计了二极管反向静态参数测试装置。该装置主要用来测试二极管反向电压、击穿电压、反向漏电流。该装置包括四个电路,分别为:电源电路、输入/输出与控制电路、高压脉冲源电路、信号采集与处理电路,可以通过液晶屏显示测试结果。该装置利用自激式电压谐振开关电源控制器来调节变压器,使二极管反向击穿电压测试量程达到1000 V左右;利用HC4052型模拟多路选通器进行分档测试反向漏电流(4μA、40μA、400μA、2000μA共四档)。选用FR207型二极管、1N5408型二极管进行测试分析。测量FR207型二极管的击穿电压为1000 V左右,在150 V反向电压下反向漏电流为10 nA;1N5408型二极管的击穿电压为900 V左右,在100 V反向电压下反向漏电流为10 nA,与生产手册的数据吻合,反映了此装置的有效性。(3)﹑按照标准GB_T 4023-2015/IEC 60747-2:2000,设计了二极管反向恢复参数测试装置,主要用来测试二极管反向恢复时间、反向恢复电荷、软度。此装置主要包括电源电路、正向脉冲电流源电路、反向脉冲电压源电路、反向恢复电流测试与检波电路、反向恢复电流信号处理电路、主控制及输入/输出电路。选用SF56型快恢复二极管、HER207型高效整流二极管、UF5408型超快速整流二极管、FR207型二极管﹑1N5408型普通整流二极管进行测试分析。测量1N5408型二极管在I_F=1 A,di/dt=200 A/μs时反向恢复时间为19 ns,与生产手册数据吻合,验证了此装置的有效性。综上所述,本文设计的二极管反向静态装置能准确测试出反向电压、击穿电压、反向漏电流;反向恢复参数测试装置能测试出反向恢复时间、反向恢复电荷、软度。改变测试条件得到的结果符合半导体器件规律。设计的装置采用市场上的常规元器件,通过单片机计算并驱动液晶显示,操作方便,具有良好的市场推广价值。(本文来源于《温州大学》期刊2019-06-18）
王友波,邱凯[2]（2018）在《无反向恢复的Si基MOSFET+SiC二极管混合电力电子器件》一文中研究指出提出了一种利用成熟且廉价的硅基MOSFET和SiC二极管组合器件,利用SiC二极管解决硅基器件的反向恢复问题,并且拥有硅基器件的成熟度,可以满足高可靠性的车载充电机应用。(本文来源于《电气时代》期刊2018年11期）
袁义生,钟青峰,邱志卓,姬鹏远[3]（2018）在《功率二极管反向恢复特性的建模》一文中研究指出功率二极管的反向恢复电流增加了与其互补导通的开关管的开通损耗,使电力电子电路的损耗模型复杂化。传统的功率二极管反向恢复特性模型基于物理机制而建立,不能直观地从电路参数反映其特性和规律。该文提出采用曲面拟合和数据映射的方法,研究反向恢复特性中关断前正向电流IF、分布电感Ls与反向恢复电流尖峰值IRP、正向衰减时间t_I、反向恢复时间t_(II)之间的关系。以一个Boost电路为平台获得不同的[IF,Ls]的测试波形数据,通过小波去噪和Matlab的数据处理功能提取[IF,IRP t_I,tII],再对正向电流衰减波形和反向电流恢复波形做归一化处理,然后用多项式拟合的方法训练得到[IF,Ls,IRP t_I,tII]的多种组合叁维曲面,得到的模型用测试组比较,最大MAPE为3.38%,最后利用预测参数[IF,IRP t_I,tII]对归一化波形进行逆向映射,得到的预测曲线逼近实测曲线。揭示了IRP随IF的增大而增大,随着Ls的增大而减小;tI随IF的增大而增大,随着Ls的增大而增大;tII与IF、Ls的非线性关系。(本文来源于《中国电机工程学报》期刊2018年17期）
于健[4]（2018）在《PIN功率二极管的直流和反向恢复过程的仿真》一文中研究指出随着科技水平的发展,半导体器件在各行各业已经得到了广泛的应用,无论是在日常生活中,还是在国防科技领域,都可以看到半导体器件的元素。在电子类产品、汽车行业以及其他自动化工业领域,都可以看到PIN整流二极管的身影。整流二极管在电力行业的应用,在正向需要大电流、在反向经受高电压,但电流却很小。一般要求功率二极管在两个状态之间的转换时间很短。当器件从正向导通转向反向关断的过程就称为反向恢复过程。由于在正向导通时储存了大量的少子,反向恢复过程的转换时间往往很长,需要特殊的设计才能缩短这个时间。因此研究反向恢复过程是非常重要的。论文首先介绍了课题的研究背景,概述了 PIN功率二极管的发展现状和主要应用。然后简单介绍了单个PN结的准费米能级、边界条件、电荷分布及其反向恢复过程等特性。论文主要针对PIN功率二极管的直流正偏电压下的边界条件进行研究。利用Sentaurus-TCAD仿真软件对PIN功率二极管进行工艺仿真,进而根据半导体理论对仿真结果进行分析。文中推导了p+n-结耗尽区在n-一侧空穴的浓度随该结电压变化的方程,对n-n+结耗尽区在n-一侧电子的浓度随该结电压变化的方程。由于n-区的低掺杂,耗尽区的宽度对外电压很敏感。PIN二极管的反向恢复过程对电路性能有很大的影响,值得做深入的研究。由于在Sentaurus-TCAD下直接仿真PIN::二极管的反向恢复过程需要复杂的混合电路以及繁琐的程序代码,所以在本论文中我们利用Matlab中的Simulink通过引入扩散电容和势垒电容来仿真由单个PN结组成的二极管的反向恢复过程。(本文来源于《华北电力大学(北京)》期刊2018-03-01）
童鑫[5]（2018）在《超结VDMOS体二极管反向恢复鲁棒性研究及优化》一文中研究指出超结垂直扩散金属氧化物半导体型场效应晶体管(Vertical-Diffused Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,VDMOS)导通电阻低、开关速度快、耐压效率高,在以电动汽车充电桩为代表的电力电子领域具有非常广阔的应用前景。电动汽车充电桩中所采用的桥式逆变电路要求超结VDMOS器件具备非常高的体二极管反向恢复鲁棒性。国内外关于超结VDMOS体二极管反向恢复的研究主要是从电路层面改善反向恢复特性,对于改善超结VDMOS器件自身体二极管反向恢复鲁棒性的研究很少,因此研究并提高超结VDMOS体二极管反向恢复鲁棒性具有重大意义。本文根据超结VDMOS体二极管反向恢复基本理论搭建测试与仿真平台。实测结果显示反向恢复过程中的电流变化率di/dt是影响超结VDMOS体二极管反向恢复失效的主要因素,且超结VDMOS体二极管反向恢复失效位于终端区。仿真结果显示超结VDMOS体二极管反向恢复过程中元胞区抽取过剩载流子速率远远超过终端区,进而终端区出现电流尖峰,导致终端区表面电场升高并引发动态雪崩,且di/dt越大,动态雪崩越严重。本文提出了一种动态场限环终端结构,能够有效抑制体二极管反向恢复过程中的电场尖峰,进而抑制动态雪崩,在保证超结VDMOS器件其他参数性能的基础上,提高了其体二极管反向恢复的鲁棒性。本文所提出并设计的超结VDMOS动态场限环终端结构基于650V深沟槽刻蚀工艺进行流片,测试结果显示,超结VDMOS体二极管反向恢复极限di/dt能力从72A/μs提高到320A/μs,其体二极管反向恢复鲁棒性提高了3.2倍,达到设计指标要求。(本文来源于《东南大学》期刊2018-01-01）
史孟,彭咏龙,李亚斌,江涛[6]（2016）在《SiC MOSFET体二极管反向恢复特性研究》一文中研究指出详细分析了新型功率器件SiC MOSFET的结构特点及其寄生体二极管的反向恢复机理,推导了反向恢复过程的电压与电流计算;同时,搭建了双脉冲实验测试平台,通过实验和仿真的方法,测试了不同关断电压、正向导通电流和串联寄生电感这些最常见的外部因素对SiC MOSFET寄生体二极管反向恢复特性的影响;此外,对比测试了同电压等级的SiC MOSFET、Si MOSFET寄生体二极管和快恢复二极管的反向恢复性能。相关结果表明SiC MOSFET寄生体二极管可以作为变换器中的续流通道而不必额外再单独反并联快恢复二极管,对实际工程应用有一定的借鉴意义。(本文来源于《电力科学与工程》期刊2016年09期）
蒋佩兰,韦文生,赵少云,刘路路[7]（2016）在《不同SiC材料p~+(p~-/n~-)n~+型二极管反向恢复过程的仿真》一文中研究指出讨论了Si C材料p~+/p~-(n~-)/n~+型二极管的集总电荷模型,利用Matlab编程数值仿真了p~-(n~-)型基区器件的反向恢复过程.分析了器件的反向恢复时间、反向恢复最大电流与基区的少子寿命、载流子浓度、载流子迁移率、宽度、温度等参数的关系.结果表明,用4H-Si C设计的p~-型基区二极管的反向恢复性能最优.若基区的少子寿命越短、载流子浓度越高、温度越低,则器件的反向恢复时间越短,反向恢复最大电流越小.本文可作为Si C功率二极管优化设计及其反向恢复特性仿真的教学案例.(本文来源于《温州大学学报(自然科学版)》期刊2016年02期）
于惠敏[8]（2015）在《关于二极管反向恢复时间及其相关问题的讨论》一文中研究指出(紧接上期本版) 这是CCM连续模式的一个显着特点，就二极管的高要求而言，也可以说这是CCM模式的一个缺点。一般而言,反向恢复时间短的超高速二极管特别是肖特基二极管承受浪涌电流的能力和反向电压耐压值相对较低，这是一个存在的矛盾，也是技术发(本文来源于《电子报》期刊2015-06-28）
于惠敏[9]（2015）在《关于二极管反向恢复时间及其相关问题的讨论》一文中研究指出一、从LED背光电路升压二极管的一次代换实践谈起 一台康佳LED42F3300C(背光驱动芯片为OZ9902A)屏幕不亮，经检查发现背光电路一只升压二极管损坏，型号是SB2200，用RU4代换后，背光电路能工作，图像正常，但二极管迅速发热(本文来源于《电子报》期刊2015-06-21）
姚修远,金新民,周飞,吴学智,李友敏[10]（2015）在《零电压零电流转换软开关技术中二极管反向恢复的影响》一文中研究指出采用谐振极型零电压零电流软开关技术(zero-voltage/zero-current transition,ZVZCT)旨在消除功率器件的开关损耗,但实际上在软开关谐振换流过程中会引入多次额外的二极管反向恢复过程,产生额外的损耗。由于软开关换流过程中的特殊性,采用一般的方法难以对反向恢复过程中的损耗进行评估和计算,给ZVZCT软开关设计带来了困难。该文在考虑二极管反向恢复过程的基础上,详细介绍了ZVZCT软开关技术的换流过程。通过引入二极管载流子寿命以及电荷控制方程,提出了一种适用于软开关换流条件下的二极管反向恢复损耗模型。最后,通过软开关组件的双脉冲实验验证了该二极管反向恢复损耗模型的正确性。研究表明,采用ZVZCT技术的软开关设备的开关损耗与开关器件的二极管反向恢复特性直接相关。(本文来源于《中国电机工程学报》期刊2015年04期）
二极管反向恢复论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
提出了一种利用成熟且廉价的硅基MOSFET和SiC二极管组合器件,利用SiC二极管解决硅基器件的反向恢复问题,并且拥有硅基器件的成熟度,可以满足高可靠性的车载充电机应用。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
二极管反向恢复论文参考文献
[1].张锦涛.二极管反向静态、反向恢复参数测试装置的研制[D].温州大学.2019
[2].王友波,邱凯.无反向恢复的Si基MOSFET+SiC二极管混合电力电子器件[J].电气时代.2018
[3].袁义生,钟青峰,邱志卓,姬鹏远.功率二极管反向恢复特性的建模[J].中国电机工程学报.2018
[4].于健.PIN功率二极管的直流和反向恢复过程的仿真[D].华北电力大学(北京).2018
[5].童鑫.超结VDMOS体二极管反向恢复鲁棒性研究及优化[D].东南大学.2018
[6].史孟,彭咏龙,李亚斌,江涛.SiCMOSFET体二极管反向恢复特性研究[J].电力科学与工程.2016
[7].蒋佩兰,韦文生,赵少云,刘路路.不同SiC材料p~+(p~-/n~-)n~+型二极管反向恢复过程的仿真[J].温州大学学报(自然科学版).2016
[8].于惠敏.关于二极管反向恢复时间及其相关问题的讨论[N].电子报.2015
[9].于惠敏.关于二极管反向恢复时间及其相关问题的讨论[N].电子报.2015
[10].姚修远,金新民,周飞,吴学智,李友敏.零电压零电流转换软开关技术中二极管反向恢复的影响[J].中国电机工程学报.2015
论文知识图
