论文摘要
采用分子束外延技术制备了InP基HEMT样片,室温下样片迁移率达10 289 cm2/（V·s）。通过光刻、腐蚀、磁控溅射、点焊等工艺技术制备出了蝶形天线耦合的太赫兹探测器件。器件采用的蝶形天线经HFSS软件仿真优化后,天线S11参数为-40 d B,电压驻波比（VSWR）为1.15,增益可达6 dB,并与二维电子气沟道实现阻抗匹配。在VDI公司0.3 THz肖特基二极管太赫兹源辐照下进行器件测试,测试结果表明,室温下器件噪声等效功率（NEP）为40 nW/Hz1/2,探测响应度46 V/W,器件响应时间优于330μs。
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 李金伦,崔少辉,张静,张振伟,张博文,倪海桥,牛智川
关键词: 太赫兹探测器,高电子迁移率场效应晶体管,磷化铟,蝶形天线,分子束外延
来源: 红外与激光工程 2019年09期
年度: 2019
分类: 信息科技,基础科学
专业: 物理学
单位: 中国人民解放军陆军工程大学石家庄校区导弹工程系,中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室,西安电子科技大学宽带隙半导体技术国家重点学科实验室,首都师范大学物理系太赫兹光电子学教育部重点实验室,中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心,中国科学院大学材料与光电研究中心
基金: 国家自然科学基金(61505196),国家重点研发计划(2018YFA0306101),中国科学院科研仪器设备研制项目(YJKYYQ20170032)
分类号: O441
页码: 132-138
总页数: 7
文件大小: 1968K
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