导读:本文包含了封装体论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:功率器件,注塑,填充不良,模塑料
封装体论文文献综述
李明奂[1]（2019）在《功率器件封装体填充不良分析及改进措施》一文中研究指出填充不良是功率器件塑料封装过程中的常见问题,如何减少填充不良的产生和预防填充不良产品的出现是塑封设备工程师、功率器件产品设计师、模塑料生产商、模具制造商共同探讨的问题。描述了填充不良对组装的危害,阐述了功率器件封装过程中常见的填充不良发生机理,从塑封产品设计、模塑料、工艺方法等方面进行分析,提出了有效的改善措施,对塑料封装改进质量和模塑料、模具等的开发工作有借鉴意义。(本文来源于《电子与封装》期刊2019年04期）
吴梁玉,孙清,邵陈希,张程宾[2]（2018）在《热循环载荷下BGA封装体热应力特性》一文中研究指出构建了热循环条件下球栅阵列(ball grid array,BGA)封装体传热和应力耦合的非稳态理论模型,通过器件自身发热功率随时间变化来实现循环热载荷,研究工作过程中流场、温度场、应力场的动态变化,并采用有限元方法进行数值求解,分析了热循环载荷对器件所处物理场的影响。研究结果表明:热循环过程中,器件整体温度与方腔内自然对流强度在高温保温时间开始时刻出现峰值,在低温保温时间结束时刻出现谷值;BGA封装体最高温点均位于作为热源的芯片上,承受应力最大点位于阵列最外拐点与上下侧材料的连接部位;随着循环次数的增加,每个热循环周期中关键焊点上端点处的最大等效应力不断增加。(本文来源于《热科学与技术》期刊2018年06期）
杨金虎,乔彦彬,李建强[3]（2018）在《芯片封装体可靠性及失效模式研究》一文中研究指出针对双列直插式封装8管脚和四方扁平式封装144管脚两种封装形式进行了湿热可靠性及失效模式分析,对两种封装体进行了一系列的可靠性实验,通过切片分析,发现四方扁平式封装144管脚出现了分层现象,而双列直插式封装8管脚没有出现明显变化。对影响塑封表面贴片安装的集成电路受湿气影响导致分层的主要原理进行了详细分析。对改进封装可靠性提出了改善措施。(本文来源于《数字中国 能源互联——2018电力行业信息化年会论文集》期刊2018-09-15）
孙云娜[4]（2017）在《硅通孔互连（TSV）封装体的热机械特性研究》一文中研究指出基于硅通孔(Through silicon via,TSV)互连的叁维(3D)封装方式,具有互连路径短、信号延迟小、数据传输带宽大、热输运热阻低和封装体积小等多方面技术优势,可满足IC产品向小型化、多功能和高可靠性集成发展的要求,因而备受重视。然而,由于TSV的核心结构由热膨胀系数差异较大的铜与硅复合构成,制造和使用过程中温度变化导致的热失配内应力难以避免,降低了TSV封装体的热机械稳定性,对TSV封装体的长期工作可靠性构成挑战,因此开展TSV封装体热机械稳定性研究很有必要。本文深入研究了TSV结构特征和工艺因素对其热机械稳定性的影响规律,系统分析了热源、热阻和热应力在TSV封装架构中的分布特性,深度剖析了TSV封装体热输运能力的关键制约因素,在此基础上形成TSV工艺和结构设计准则,并完成了部分仿真结论的实验验证。封装体热机械可靠性的提升对于进一步推动TSV封装技术规模化应用进程至关重要。本文的主要研究内容和创新点如下:首先,建立了几种典型TSV结构的物理模型,包括理想结构TSV模型、侧壁倾斜TSV模型、扇贝纹侧壁的TSV模型和有空洞包夹的TSV模型,并分别仿真分析了典型加载温度下关键结构参数变化对TSV结构热机械稳定性的影响。这些因素包括TSV的孔径、深宽比、孔间距、侧壁倾斜角、扇贝纹理大小、空洞位置及尺寸、孔间距、绝缘层厚度等。仿真结果显示,深宽比大于8的TSV有利于缓解TSV的热应力,要减少设计深宽比为1.0--5.0的TSV;相同深宽比的TSVs(AR=6),孔间距为孔径的1.6倍以上热应力分布更均匀;对于AR≥6的斜孔TSV,倾斜角为10.204~o--12.407 ~o拥有最低的热应力水平;伴随着加载温度的变化,TSV的形变经历了弹性变形阶段、塑性加强阶段和弹塑性变形阶段。其次,研究了叁维堆迭封装工艺过程产生的热致应力、应变、TSV结构的变化对TSV热机械性能的影响。分析了初始应力、应变对理想TSV模型的热机械可靠性、疲劳寿命的影响,发现TSV两端交界面及其周围区域的疲劳寿命延长,TSV中段的疲劳寿命缩短。研究了扇贝纹侧壁(具有锯齿波,扇贝纹结构的极端形式)的TSV,分析了扇贝纹、锯齿波数目对TSV热机械可靠性的影响(热应力、应变、应变能、保留区),仿真结果显示锯齿波的存在将降低TSV的可靠性,相对较为平滑的扇贝纹侧壁有利于提高TSV的可靠性。讨论随封装过程不断更新的TSV互连结构的热机械可靠性,后续工艺的进行制约了TSV热变形,再分布层、焊点等结构的加入改变了TSV的变形机制。第叁,研究了叁维堆迭架构下TSV封装体的热机械特性。以TSV转接板(最简单、完整的TSV微封装体)为研究对象,分析TSV转接板的热机械特性以改善TSV周边热环境、提高TSV封装体的可靠性。基于上述TSV的设计准则,建立了TSV转接板模型(芯片热源,TSV互连线与RDL互连线);分别分析了热源排布、TSV与热源的互连形式、RDL导电层和介质层对TSV转接板热机械特性的影响。通过仿真结果得出,芯片热源的有效散热面积越大散热效果越好,芯片上热源要分散布置在芯片中心位置;缩短TSV-Cu与热源间的互连线的长度可提高热量传递的能力;将RDL介质材料的热导率提高10倍、热膨胀系数控制在与Cu的热膨胀系数相接近的值,可缓解稀疏RDL互连线区域的温度值还可降低转接板的最大热应力值(降低了约16.4%)。最后,进行了仿真结果的实验验证。开发原位测试TSV结构的实验系统,利用方阻热板系统原位测试TSV结构的热变形。根据TSV的原位相对变形量和有效塑性变形讨论了TSV-Cu的热变形机制,TSV-Cu的热变形与TSV-Cu的直径和深度均有关;TSV-Cu的变形分为叁个阶段:弹性变形阶段、类塑性强化阶段以及塑性变形阶段(与前面的仿真结果一致)。根据TSV漏电流的测试结果得知相对于扇贝纹(具有锯齿波)侧壁的TSV扇贝纹侧壁的TSV的热机械性能更可靠(与前面的仿真分析一致)。制备了聚酰亚胺与SiC晶须、纳米颗粒的复合材料并测试了复合材料的材料属性。复合材料的热导率可提高10倍以上、强度和硬度也成倍提高、热膨胀系数大幅度降低(从42.5 ppm/~oC可降低到15 ppm/~oC),根据前面的仿真分析可知制备的复合介质材料可大幅度提升TSV转接板的热机械可靠性。(本文来源于《上海交通大学》期刊2017-09-01）
弗林·卡森[5]（2015）在《封装体迭层(PoP)技术及其应用》一文中研究指出在逻辑电路和存储器集成领域,封装体迭层(PoP)已经成为业界的首选,主要用于制造高端便携式设备和智能手机使用的先进移动通讯平台。对于小而薄PoP解决方案的需求将会继续,预计PoP将会在目前市场份额的基础上在其他低成本手机和其他消费设备中得以应用。像应用处理器或基带/应用存储器组合这样的核心部件,主要的生产企业都已经或计划使用PoP解决方案。为满足这些需求,正在开发使用更小PoP互连节距的更薄PoP解决方案。(本文来源于《集成电路应用》期刊2015年02期）
任雅勋,张春雷[6]（2014）在《微型陶瓷封装体电阻器电镀工艺》一文中研究指出针对微型陶瓷封装体电阻器的特点和用户对零件的特殊性能要求,介绍了其电镀工艺实施过程的注意事项。探讨了各工序溶液体系、镀层厚度、电镀工艺条件、导电介质的形状及大小等因素对电阻器可焊性和耐焊接热性能的影响。最终确定对微型陶瓷封装体电阻器先电镀半光亮镍再电镀哑光锡,得到具有优良附着力、焊接性和耐焊接热性能的镀层。(本文来源于《电镀与涂饰》期刊2014年24期）
赵振宇,刘磊,蔡坚,王豫明,王谦[7]（2014）在《封装体中枕头效应的翘曲模拟研究》一文中研究指出通过构建BGA封装体模型并对回流焊接过程中BGA封装体的翘曲进行模拟,采用粘弹性模型描述塑封材料随温度的变化而变化的性质,通过与实际封装体变形的测量结果对比发现,这种方法能够较好地模拟室温翘曲和回流焊中翘曲的动态演变过程,翘曲变形结果与实际测量值比较吻合。同时,对于不同的芯片堆迭方式进行了模拟对比,发现芯片与周围材料接触面积增加会导致翘曲值过大,芯片排布不对称性较高时会导致回流过程中的翘曲值变化量增大。(本文来源于《焊接》期刊2014年01期）
张旻澍,宋复斌[8]（2014）在《封装体迭层中堆迭焊球的可靠性研究》一文中研究指出针对封装体迭层中的堆迭焊球进行了有限元建模和应力分析,评估了TMV堆迭焊球这种新型焊接方式可能带来的可靠性隐患。通过仿真结果发现,堆迭焊球的应力集中比底部焊球更加严重,这说明热疲劳失效更容易发生在塑封胶穿孔中的堆迭焊球上,而原本针对底部焊球的可靠性测试标准则需要做出新的调整。此外,在两种不同的堆迭焊球成型中,雪人式焊球的应力集中比较水桶状焊球更加严重。通过参数研究可以发现,紧缩区域的宽窄程度是造成雪人式焊球应力集中的关键因素。(本文来源于《电子元件与材料》期刊2014年01期）
叶德洪,王津生[9]（2013）在《电解去溢料工序参数对IC封装体第二焊线区分层的影响》一文中研究指出IC封装体的内部分层是封装过程中常见的质量问题。讨论了引线框架电镀工艺对IC封装体第二焊线区分层的影响,并确定了电镀工艺的电解去溢料工序是使其分层的主要因素。通过实验分析并验证了电解去溢料工序的电压、电解电极的极性、电解液的类型及其浓度对第二焊线区分层的影响。通过对不同封装体第二焊线区分层程度的比较,认识到电解去溢料对一些大载荷小封装的IC封装体是不适用的,极易引起第二焊线区分层,从而使IC产品存在失效的风险。实验评估的结果为今后的封装体设计及生产工艺提供了可借鉴的经验。(本文来源于《电镀与精饰》期刊2013年10期）
杨红军,屈芳升,杨坤[10]（2013）在《聚酰亚胺封装体性质预测》一文中研究指出利用MS 3.0软件构造了7种聚酰亚胺(PI)封装体,对其进行了一系列的几何优化、能量优化与分子动力学优化,通过MS 3.0软件的分析模块对PI封装模型的非晶型结构、元胞参数、最终密度、内聚能密度及溶度参数进行预测,结果显示:PI封装体的密度基本相同,最大误差为1.9%;比初始密度减小了11.5%;溶度参数小于PI的理论值;在分子动力学优化过程中,键长与键角基本不发生变化;径向分布函数表明PI聚集态是一种近程有序、远程无序的非晶型结构,已经非常接近于实际的PI薄膜材料,可以用于进一步的模拟与计算.(本文来源于《郑州轻工业学院学报(自然科学版)》期刊2013年01期）
封装体论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
构建了热循环条件下球栅阵列(ball grid array,BGA)封装体传热和应力耦合的非稳态理论模型,通过器件自身发热功率随时间变化来实现循环热载荷,研究工作过程中流场、温度场、应力场的动态变化,并采用有限元方法进行数值求解,分析了热循环载荷对器件所处物理场的影响。研究结果表明:热循环过程中,器件整体温度与方腔内自然对流强度在高温保温时间开始时刻出现峰值,在低温保温时间结束时刻出现谷值;BGA封装体最高温点均位于作为热源的芯片上,承受应力最大点位于阵列最外拐点与上下侧材料的连接部位;随着循环次数的增加,每个热循环周期中关键焊点上端点处的最大等效应力不断增加。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
封装体论文参考文献
[1].李明奂.功率器件封装体填充不良分析及改进措施[J].电子与封装.2019
[2].吴梁玉,孙清,邵陈希,张程宾.热循环载荷下BGA封装体热应力特性[J].热科学与技术.2018
[3].杨金虎,乔彦彬,李建强.芯片封装体可靠性及失效模式研究[C].数字中国能源互联——2018电力行业信息化年会论文集.2018
[4].孙云娜.硅通孔互连（TSV）封装体的热机械特性研究[D].上海交通大学.2017
[5].弗林·卡森.封装体迭层(PoP)技术及其应用[J].集成电路应用.2015
[6].任雅勋,张春雷.微型陶瓷封装体电阻器电镀工艺[J].电镀与涂饰.2014
[7].赵振宇,刘磊,蔡坚,王豫明,王谦.封装体中枕头效应的翘曲模拟研究[J].焊接.2014
[8].张旻澍,宋复斌.封装体迭层中堆迭焊球的可靠性研究[J].电子元件与材料.2014
[9].叶德洪,王津生.电解去溢料工序参数对IC封装体第二焊线区分层的影响[J].电镀与精饰.2013
[10].杨红军,屈芳升,杨坤.聚酰亚胺封装体性质预测[J].郑州轻工业学院学报(自然科学版).2013