导读:本文包含了有源器件论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:器件,激光器,半导体,变换器,米勒,波导,毫米波。
有源器件论文文献综述
徐红艳[1]（2019）在《关于两种有源光器件及一无源光器件的研究》一文中研究指出本文共介绍了叁种光器件,其中包括两件有源光器件和一件无源光器件。文章主要简述了半导体激光器LD、光接收机PIN、以及机械光开关这叁种光器件的工作原理,结构和各自适用的环境。在通电和不通电的情况下,不同的光器件会有不同的影响,它们的灵敏度也会有所区别。(本文来源于《电子测试》期刊2019年16期）
邱橙[2]（2019）在《面向光子集成应用的有源半导体器件的设计和研究》一文中研究指出光通讯技术是现代信息化社会的技术基石,随着人工智能技术的发展和大数据时代的降临,整个社会对高速度、大容量、低延迟的信息交流需求正与日俱增。基于光子集成技术的光纤通讯技术方案在提高现有的信息交互速度和通讯容量方面有着巨大的潜力并已经被逐步应用在高速数据中心等光纤通讯核心系统当中。基于光子集成的光纤信号收发器是光纤通讯中的核心器件,然而它的制备存在制造工艺复杂、芯片制造成本高,不利于大规模生产等方面的问题。多模干涉波导结构是光子集成中一种常用的无源器件,它的结构简单、紧凑,非常利于加工,被大量的应用于功分器件、波分复用、光开关,光耦合器等领域。本文通过改进现有的III-V族激光芯片结构,在结构中引入有源的多模干涉波导结构作为分束器、耦合器和放大器的方式,提出一种在III-V族衬底上同样无需二次外延即可制作的光收发器结构,简化了现有的光子集成光纤收发器的工艺方案。本文主要研究基于III-V族多量子阱有源衬底的,无需二次生长的光子集成技术。通过在有源衬底上集成980nm波段的单模DFB半导体激光器和后端的片上光学放大器件,实现对激光器光束质量的优化,抑制腔面灾变效应和提高激光器输出功率;具体研究内容如下:(1)分析并利用多种仿真方法对多模干涉波导结构进行仿真,通过对有源多模干涉波导(Active MMI)的工作方式的分析,提出了一种改进的有限时域差分算法,这种算法可对光场在Active MMI器件的中分布的动态特性进行跟踪和仿真,相较于传统的类似的算法,概算法消耗的计算资源很少,有利于进行大规模高精度的仿真计算。(2)设计并制作了一种以多模干涉波导作为激光谐振腔的半导体激光芯片;提出了DFB激光器加有源MMI共同作为激光器谐振腔的激光芯片结构,对这种结构进行的建模和仿真;采用Lastip软件计算横向光场分布图,PICS3D软件计算器件中载流子分布情况。并利用自行开发的FDTD算法对器件进行了仿真模拟;制备了相应的器件,对比相同长度和尺寸的脊型半导体激光器,激光器的输出功率和电光转换效率得到了一定程度的提高。(3)提出了一种新型的基于聚合物平面光路混合集成平台的热光调制结构,通过引入石墨烯作为微加热丝,该结构有效的降低了传统热光调制结构的功耗,同时提升了传统热光调制结构的响应速度。在通过仿真模拟与传统器件进行性能对比的同时,还提出了具体制作工艺流程,分析并验证了这种结构与通用电源的兼容性和设计的容差范围。(本文来源于《中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所)》期刊2019-06-01）
马肖男[3]（2019）在《基于GaN HEMT器件的双有源全桥变换器研究》一文中研究指出双向DC-DC直流变换器是电动汽车中重要的电能变换部分,近年来,双有源全桥变换器(DAB)的应用和氮化镓(GaN)等新一代半导体材料的出现,都为双向DC-DC的性能优化提供了新方向。本文研究了基于GaNHEMT器件的高功率密度双有源全桥变换器设计方法,并分析了平台的整体性能。本文主要工作分为以下几部分。首先,本文对比几种常见的双向DC-DC拓扑结构,总结了双有源全桥变换器电路的优点,并对其工作原理进行了深入分析,进而介绍了几种常用的移相控制方法,对各自优缺点进行了详细对比。接着,论文分析了 GaN HEMT器件的结构,并通过搭建双脉冲测试平台(Double Pulse Test,DPT),对 E-mode 和 Cascode 两种类型的 GaN HEMT 开关特性进行了详细对比分析,并根据实验数据计算得出GaN HEMT的驱动损耗和导通损耗,为下文基于GaN HEMT的DAB平台的设计提供理论支撑和数据参考。其次,本文设计了一台基于E-mode型GaN HEMT的双有源全桥变换器实验平台,详细介绍了其硬件设计方法,包括主电路参数选择、驱动设计要求及控制设计。由于GaN HEMT器件的开关速度非常快,对寄生参数非常敏感,本文还详细分析了双有源全桥变换器PCB布板的注意事项。在实验结果部分,首先给出了平台在200kHz及进一步提高开关频率后的电压、电流波形和整体效率,并对不同开关频率下的波形和效率进行了对比分析。之后进一步讨论分析了整体损耗分布情况,为高功率密度双有源全桥变换器的设计提供了依据。(本文来源于《杭州电子科技大学》期刊2019-03-01）
施明伟,蔡寅舟,杨晓佳[4]（2018）在《有源器件光芯片的应用研究》一文中研究指出本文介绍了有源器件光芯片发展的历程,从上世纪出现的分立有源器件发展为现今的集成有源光芯片,通过对比分析分立混合集成有源光芯片和单片集成有源光芯片的特点,着重阐述了硅基单片集成有源光芯片未来发展的优势和挑战。通过对现今最广泛使用的叁大光芯片集成技术——Si OB(硅光平台集成技术)、PIC(光子集成回路技术)、OEIC(光电子集成回路技术)原理、特点、发展优势的介绍,和对有源器件光芯片的代表性产品——光模块、有源光缆的应用介绍,得出基于OEIC技术的器件代表了光集成有源器件未来的结论。(本文来源于《现代传输》期刊2018年02期）
罗智文,王奎,张新燕,李永东[5]（2017）在《基于高压GaN器件的双有源桥设计》一文中研究指出高压氮化镓(GaN)与传统硅基器件相比,其禁带宽度更宽,导通电阻及寄生电容更小,因此应用在中小功率场合可有效提高变换器的功率密度和开关频率。根据高压GaN的开关特性,设计了一种能消除米勒效应的高压GaN驱动电路,继而又设计了一款开关频率达200 kHz的高压GaN双有源桥实验平台,并进行了相应的实验验证及效率、温度的分析。(本文来源于《电力电子技术》期刊2017年09期）
吴宇坤[6]（2017）在《面向有源显示的有机电致发光器件研究》一文中研究指出有机电致发光器件(organic light-emitting diodes,OLEDs)因具有材料合成简单、制备工艺容易、重量轻、自发光、色域广、可集成在不透明或者柔性衬底等优点,被业界认为是继阴极射线管、液晶之后的新一代显示技术。经过叁十年来的发展,虽然OLED相关显示产品已从实验室悄然走入到我们的日常生活中,但是科研工作者对OLED器件性能的追求从未停止。OLED在工作寿命、成本、集成度等方面的综合性能还需要进一步提升。本论文面向有源显示,侧重于研究实用化的简单结构迭层OLED以及与低压驱动电路相兼容的顶发射OLED。本文的研究内容如下:(1)首先提出了“简单结构迭层OLED”的设计思想,即器件的上下发光单元及电荷产生单元(charge generation layer,CGL)均要求结构简单。本文选用Mo Ox作为最简单的CGL,Bphen:Li F作为CGL电子抽取层,连接两个简单结构黄色发光单元CBP/CBP:PO-01/TPBi,制备了简单结构黄色磷光迭层OLED,并通过优化CGL与下发光单元的注入势垒、改善发光区的载流子平衡等手段,最终获得了相对于单层器件电流效率翻番,功率效率相差无几的高性能简单结构迭层OLED。(2)首次突破前人在CGL选材以及结构设计方面的限制,选用最常见的空穴传输材料NPB以及电子传输材料Bphen设计了缓冲层修饰的非掺杂p/n型CGL,即Li F/NPB/Bphen/Mo Ox,通过系统研究器件性能与迭层OLED总厚度之间的变化关系,最终获得厚度仅为150 nm的高性能绿色磷光迭层OLED,电流效率从对应单层器件的38.5 cd/A提高到77.6 cd/A。NPB和Bphen不仅做CGL材料,还作为迭层器件上下发光单元的空穴传输层和电子传输层,材料种类的减少可以简化实验流程,提高可靠性,降低生产成本。同时,这种p/n型CGL也为国内外同行提供了开发高性能迭层OLED的新思路。(3)基于Ir(ppz)3、Bphen又开发出两款有效的缓冲层修饰p/n型和n/p型CGL。详细研究CGL缓冲层Mo Ox、Li F在电荷生成过程中所扮演的角色;利用热电子发射理论、隧穿模型解释了基于同种材料体系的两种CGL的不同电荷产生过程;在n/p型CGL插入2 nm的Ir(ppz)3:Mo Ox缓冲层进一步优化了迭层OLED的性能,使其获得了较好的光电性能指标,最大电流效率接近传统单发光层器件的两倍;最后通过对比Bphen/NPB与Bphen/Ir(ppz)3的界面电荷转移特性,认为Bphen/NPB并不适合做非掺杂的n/p型CGL。(4)利用Mo Ox掺杂层空穴注入特性好、电导率高、热稳定性好等优点分别制备了面向p型及n型TFT电路的顶发射OLED以及倒置顶发射OLED。在顶发射器件方面,发光层Tm PPPy Tz:Ir(ppy)3具有双极性传输特性,有利于载流子的平衡;50 nm Tc Ta盖层的使用也提高了器件的光耦合输出效率;4 V的电压条件下,顶发射器件的亮度达4755 cd/m2,性能优良。在倒置顶发射器件方面,制备了蓝、绿、红叁色的倒置顶发射OLED,由于微腔效应的作用,蓝绿器件较传统底发射器件的外量子效率提高15%左右;由于红光染料带系较窄,材料的内量子产率会随微腔环境的变化出现较大幅度的变动,最终使得红光倒置顶发射OLED的外量子效率提高了100%。最后将优化后的顶发射OLED移植到SVGA微显示芯片中,显示效果良好。(本文来源于《吉林大学》期刊2017-06-01）
梁潇[7]（2017）在《基于有源器件的全集成连续时间滤波器的研究》一文中研究指出随着第四代通信技术(4G)的普遍推广和第五代通信技术(5G)的研究发展,人们对移动通信系统的性能要求不断变高。滤波器作为移动通信系统中对信号波形剔除各种信号噪声干扰、提取有效频段的重要模块,滤波器的性能要求也不断提升。同时,随着信息时代的不断推进和超大规模集成电路(VLSI)的发展,晶体管均集成到一块小芯片上来满足系统集成度的要求,用MOS电路来实现的各种器件和基本模块以及用MOS电路来实现滤波器电路得到了广泛的关注。因此,滤波器向着带宽更高、集成度更高、处理速度更快、灵敏度更小、电路损耗更低以及电路结构更为简单的方向发展。而利用通用有源器件的高集成度、高频带、高速度、低电压摆幅、低阻抗的性能可以很好的满足滤波器的高性能要求,使得滤波器可以更好的应用于现代通信系统当中。全集成连续时间滤波器可以直接对模拟信号进行处理,省略了A/D、D/A转换、保持、采样以及抗混迭滤波器,避免时钟馈入的影响,同时跨导运算放大器和电流传送器是最重要的通用有源器件之一。因此,应用跨导运算放大器和电流传送器实现的全集成连续时间滤波器很多,到目前为止,应用跨导运算放大器和电流传送器的连续时间滤波器可以分为四类:以模拟划分,分为电压模式、电流模式和混合模式;以阶数划分,分为低阶和高阶;以实现方式划分,分为直接设计方法和间接设计方法;以输入输出的个数划分,分为单输入单输出、单输入多输出、多输入单输出、多输入多输出。本文系统地研究了跨导运算放大器和电流传送器的电路原理、CMOS电路结构与特性及其全集成连续时间滤波器和模拟乘法器的设计方法。首先,根据多输出差动差分电流传送器的特性,提出了基于多输出差动差分电流传送器(MDDCC)的四象限模拟乘法器,该电路由四个多输出的差动差分电流传送器和八个NMOS晶体管以及一个接地电阻构成。采用台湾积体电路制造公司(TSMC)的0.18μm的CMOS工艺对电路进行仿真分析得出模拟乘法器电路可以实现乘法计算、信号调制、信号倍频等功能,同时,模拟乘法器电路具有良好的线性特性和较高的截止频率以及很小的电压输出噪声。其次,研究了基于跨导运算放大器的二阶混合模式通用滤波器,改变电源的类型以及电源输入的位置,电路可以实现电压模式和电流模式,两种模式的滤波器均可以实现低通、高通和带通的滤波功能。此外,采用Berkeley short-channel IGFET model(BSIM)90nm CMOS工艺对电路进行仿真,对电路进行性能分析得出电路具有较低的灵敏度,滤波器电路的性能较稳定。最后,介绍了两种方法(级联法和有源模拟法)设计基于跨导运算放大器的高阶滤波器。详细研究了两种方法的具体设计理论和仿真过程,且进行了设计举例,对设计实例中的电路进行了PSPICE仿真,并对仿真电路进行了分析。基于跨导运算放大器和电流传送器的各种模拟滤波器电路在信号处理中具有重要作用,在微电子学、自动控制、仪器仪表以及电子测量等领域有广泛的应用价值。(本文来源于《吉林大学》期刊2017-06-01）
赵毅寰,天光[8]（2016）在《雷神公司的相控阵技术——有源器件和MMIC》一文中研究指出20世纪70年代,作为真空管的替代品,分立晶体管(以硅为主体)用于阵列的混合配置。大而突起的元件电容和电感被用来使这些晶体管匹配那些微波频率的标准阻抗。行业的关注点和行动开始从混合微波集成电路转到基于单片的方法,(本文来源于《航空兵器》期刊2016年06期）
孙玲玲,刘军,文进才[9]（2016）在《毫米波亚毫米波频段硅基有源器件建模》一文中研究指出毫米波亚毫米波频段无线通信具有频谱资源宽、传输定向性好、免许可等特点,而硅基纳米尺度技术为毫米波亚毫米波集成电路提供了良好的工艺平台,因此,硅基毫米波亚毫米波集成电路与系统成为无线通信领域的研究热点。该报告针对硅基毫米波亚毫米波集成电路的关键-硅基有源器件的模型,从硅基毫米波有源器件模型和模型库方法、MOSFET小信号分析和模型方法和MOSFET大信号行为分析和模型方法叁方面出发,对MOSFET的模型进行了深入的研究。通过项目的实施,探明了毫米波段硅基有源器件表征方法,基于该方法发展出PSP基毫米波亚毫米波MOSFET模型和模型库技术,并取得频率至100 GHz频段实用验证结果;已经开发出多种适用于毫米波亚毫米波MOSFET大、小信号建模的模型。以上研究所取得的成果,为硅基毫米波亚毫米波集成电路的发展奠定了坚实的基础。(本文来源于《科技资讯》期刊2016年08期）
穆叶[10]（2016）在《面向全有机有源显示的有机电致发光器件及有机薄膜晶体管的研究》一文中研究指出随着互联网技术的快速发展,新媒体应用的快速更新,人类对于显示品质的要求越来越高,同时智能可穿戴产品的研发已然成为消费电子产业的热点。在众多显示技术中,柔性有源矩阵有机电致发光(AMOLED)显示能够兼顾大尺寸和便携性的优点,成为目前科研界和产业界的重点研究对象。有机电致发光器件(OLED)作为柔性AMOLED的显示单元,具有自发光、全固态、材料来源广、工作温度范围宽等优势,开发高性能的OLED对于提高显示品质至关重要。而作为驱动元件的有机薄膜晶体管(OTFT)对于实现柔性有源显示有着同样重要的意义。本文立足于面向全有机有源显示应用,从改善单色/白光OLED器件性能以满足实用化需求的角度出发,探索制备高效率单色OLED及适应于有源显示的顶发射白光OLED的方法,同时对基于酞菁类有机材料作有源层的OTFT及基于并五苯有源层的OTFT开展了研究工作,通过对电极/有源层界面、有源层/绝缘层界面修饰以实现改善OTFT器件性能的目的。本论文的主要研究内容如下:1、我们基于多发光层结构提出了通过引入PBL(potential barrier layer)层改善器件性能的方法,利用高效磷光黄光染料PO-01制备了单色底发射OLED器件。我们对PBL层材料体系的选择开展了系统的研究,发现采用TCTA作为PBL的器件表现出最高的电流效率,我们进而通过对发光层数目的优化,最终获得的总电流效率(total current efficiency)达到110.85 cd/A的黄光OLED(对应于正向效率(forward-viewing current efficiency)65.21 cd/A,此时器件亮度为335.8 cd/m2),并且当器件亮度达到10000 cd/m2时,总电流效率仍能保持在90cd/A的水平。我们对PBL的设计进行了总结,首先,PBL需选择具有空穴传输特性的材料以抑制空穴传输层材料(如本文中NPB)的发光。其次,PBL与EML的能级匹配关系直接影响到电子载流子向发光层的传输从而对于器件效率产生严重影响。2、我们提出了采用导热性良好、延展性良好的金属Cu同时作为顶发射白光OLED的顶部阴极和底部阳极,制备出面向高分辨率彩色有源显示应用的顶发射白光器件。为了实现降低功耗的目的,在改善空穴注入传输方面,我们设计了Tc Ta掺杂Mo Ox的空穴注入层结构结合Tc Ta作空穴传输层,确保了空穴向发光层的高效输运。在改善电子注入方面,我们设计出Cs2CO3/Al/Cu半透明的复合顶阴极结构。发光层选择双极型母体26DCz PPy,器件具有较低的效率滚降,主要是由于以下几个原因,一方面是双极型母体有利于拓宽激子复合区,降低器件效率滚降。另一方面是由于良好的能级匹配,改善了载流子向发光层中的输运,并且能够有效的将载流子限制在发光层中(我们从器件能级图中可以看出,电子传输势垒在Bphen/26DCz PPy界面只有0.05 e V,因而电子能够轻易的进入发光层中,但是当电子到达Tc Ta/26DCz PPy界面时,能级势垒增加到0.2 e V,电子被限制在发光层中。对于空穴也有相似的情况,空穴也能够被有效的限制在发光层中)。并且我们提出了采用有机材料Tc Ta作为光学覆盖层改善器件角度依赖特性,同时提高不同波段发光平衡度的方法,有利于获得高品质的顶发射白光。3、我们首先制作了基于P型有机材料并五苯作为缓冲层的酞菁系晶体管器件,实验结果表明:插入厚度为5nm的并五苯缓冲层时,器件的性能有了明显改善,并对缓冲层导致的器件性能变化进行了分析。其次我们又利用氧化钼做为电极和有源层之间的缓冲层,制作了酞菁铜基薄膜晶体管,实验结果表明:氧化钼缓冲层厚度为10 nm时,器件的性能基本达到顶峰,再增加厚度,器件性能几无变化。由此推断由于氧化钼缓冲层的加入,降低了电极和有源层间的空穴注入势垒,提高了器件空穴注入能力。4、我们利用在OLED中通常使用的空穴传输材料NPB,将其掺入与绝缘层接触的有源层,有效地提高了空穴的传输能力并降低了晶体管的工作电压,得到了性能有较大改善的并五苯薄膜晶体管器件。同时,通过改变掺杂层厚度,推测了并五苯薄膜晶体管导电沟道的纵向位置,为以后对晶体管导电沟道和有机层与绝缘层表面接触性质的进一步研究奠定了基础。(本文来源于《吉林大学》期刊2016-06-01）
有源器件论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
光通讯技术是现代信息化社会的技术基石,随着人工智能技术的发展和大数据时代的降临,整个社会对高速度、大容量、低延迟的信息交流需求正与日俱增。基于光子集成技术的光纤通讯技术方案在提高现有的信息交互速度和通讯容量方面有着巨大的潜力并已经被逐步应用在高速数据中心等光纤通讯核心系统当中。基于光子集成的光纤信号收发器是光纤通讯中的核心器件,然而它的制备存在制造工艺复杂、芯片制造成本高,不利于大规模生产等方面的问题。多模干涉波导结构是光子集成中一种常用的无源器件,它的结构简单、紧凑,非常利于加工,被大量的应用于功分器件、波分复用、光开关,光耦合器等领域。本文通过改进现有的III-V族激光芯片结构,在结构中引入有源的多模干涉波导结构作为分束器、耦合器和放大器的方式,提出一种在III-V族衬底上同样无需二次外延即可制作的光收发器结构,简化了现有的光子集成光纤收发器的工艺方案。本文主要研究基于III-V族多量子阱有源衬底的,无需二次生长的光子集成技术。通过在有源衬底上集成980nm波段的单模DFB半导体激光器和后端的片上光学放大器件,实现对激光器光束质量的优化,抑制腔面灾变效应和提高激光器输出功率;具体研究内容如下:(1)分析并利用多种仿真方法对多模干涉波导结构进行仿真,通过对有源多模干涉波导(Active MMI)的工作方式的分析,提出了一种改进的有限时域差分算法,这种算法可对光场在Active MMI器件的中分布的动态特性进行跟踪和仿真,相较于传统的类似的算法,概算法消耗的计算资源很少,有利于进行大规模高精度的仿真计算。(2)设计并制作了一种以多模干涉波导作为激光谐振腔的半导体激光芯片;提出了DFB激光器加有源MMI共同作为激光器谐振腔的激光芯片结构,对这种结构进行的建模和仿真;采用Lastip软件计算横向光场分布图,PICS3D软件计算器件中载流子分布情况。并利用自行开发的FDTD算法对器件进行了仿真模拟;制备了相应的器件,对比相同长度和尺寸的脊型半导体激光器,激光器的输出功率和电光转换效率得到了一定程度的提高。(3)提出了一种新型的基于聚合物平面光路混合集成平台的热光调制结构,通过引入石墨烯作为微加热丝,该结构有效的降低了传统热光调制结构的功耗,同时提升了传统热光调制结构的响应速度。在通过仿真模拟与传统器件进行性能对比的同时,还提出了具体制作工艺流程,分析并验证了这种结构与通用电源的兼容性和设计的容差范围。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
有源器件论文参考文献
[1].徐红艳.关于两种有源光器件及一无源光器件的研究[J].电子测试.2019
[2].邱橙.面向光子集成应用的有源半导体器件的设计和研究[D].中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所).2019
[3].马肖男.基于GaNHEMT器件的双有源全桥变换器研究[D].杭州电子科技大学.2019
[4].施明伟,蔡寅舟,杨晓佳.有源器件光芯片的应用研究[J].现代传输.2018
[5].罗智文,王奎,张新燕,李永东.基于高压GaN器件的双有源桥设计[J].电力电子技术.2017
[6].吴宇坤.面向有源显示的有机电致发光器件研究[D].吉林大学.2017
[7].梁潇.基于有源器件的全集成连续时间滤波器的研究[D].吉林大学.2017
[8].赵毅寰,天光.雷神公司的相控阵技术——有源器件和MMIC[J].航空兵器.2016
[9].孙玲玲,刘军,文进才.毫米波亚毫米波频段硅基有源器件建模[J].科技资讯.2016
[10].穆叶.面向全有机有源显示的有机电致发光器件及有机薄膜晶体管的研究[D].吉林大学.2016
论文知识图
