导读:本文包含了等离子体刻蚀论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:等离子体,电极,石墨,各向异性,光刻,大气压,形貌。
等离子体刻蚀论文文献综述
胡明山,王涛,奚野,刘景全[1]（2019）在《对大气压低温等离子体刻蚀聚合物薄膜的工艺研究》一文中研究指出研究了使用两种大气压等离子体射流(APPJ)刻蚀Parylene-C薄膜所产生刻蚀区域的形貌和成分之间的差异。两种APPJ分别由单环电极装置和双环电极装置产生。由单环电极APPJ刻蚀的Parylene-C表面是非均匀的,从刻蚀区域的中心到边缘可分为叁部分:区域(I)是中心区域,此处Si衬底严重受损;区域(II)是有效的刻蚀区域;区域(III)是刻蚀边界。与单环电极APPJ相比,双环电极APPJ刻蚀的Parylene的形貌要好得多。特别是在区域(I)中,Si片受到轻微损坏。X射线光电子能谱分析(XPS)结果表明:单环电极APPJ刻蚀区域的O元素原子含量多于双环电极。此外,还研究了两种APPJ的刻蚀速率,相比于双环电极APPJ,单环电极APPJ具有较高的刻蚀速率。(本文来源于《传感器与微系统》期刊2019年12期）
李国荣,赵馗,严利均,Hiroshi,Iizuka,刘身健[2]（2019）在《等离子体刻蚀中边缘离子轨迹的控制与优化》一文中研究指出由于常规等离子体刻蚀系统在晶圆边缘处的阻抗与晶圆中心处的阻抗不一致,使离子在晶圆边缘处的运动轨迹发生偏移,很难满足越来越高的刻蚀工艺均匀性及深宽比的要求。本文提出一种通过调整晶圆边缘阻抗进行边缘离子运动方向优化的方法,可以连续实时地调整边缘离子的运动轨迹,实现对边缘离子运动方向的控制。研究结果表明,离子的运动方向可以被优化为垂直于晶圆表面,从而能获得良好的刻蚀速率均匀性及垂直的刻蚀形貌。(本文来源于《北京大学学报(自然科学版)》期刊2019年06期）
魏育才[3]（2019）在《CF_4和O_2等离子体刻蚀改善氮化硅薄膜形貌研究》一文中研究指出探讨PA工艺因介电层高低差发生金属线路内部断裂的改善方案。以不同光刻条件和刻蚀条件为基础,对介电层(Si3N4)进行ICP刻蚀。研究表明,增加曝光焦距,刻蚀完的侧壁倾斜角改变不大;而光刻胶对氮化硅的刻蚀选择比越高,刻蚀完氮化硅侧壁斜角变化越大。当光刻胶对氮化硅的刻蚀选择比为2.4时,刻蚀完氮化硅的侧壁斜角可控制在45°～65°。(本文来源于《集成电路应用》期刊2019年07期）
周腾[4]（2019）在《米量级光刻胶光栅的等离子体刻蚀》一文中研究指出随着米量级光栅在高功率激光装置、大型光刻机设备等各大系统中的广泛引用,对米量级光栅的制作技术也提出了更高的要求。针对米量级光栅的制作,中国科学技术大学与苏州大学等单位已经发展出一套较为成熟的全息-离子束刻蚀工艺。但是,全息光刻制备的米量级光刻胶光栅槽底仍极易残留有多余的光刻胶,这将直接影响离子束刻蚀后光栅的槽深及均匀性,进而影响到光栅质量。本文针对米量级光刻胶光栅制备过程中的残余光刻胶问题,使用输出口径Φ40 mm的等离子体源,设计并制作了一个梯形扩散结构,取得了以下的研究成果:1、针对等离子体源,设计并制作了一种新的梯形扩散结构。该结构包含有两个部分:a.梯形中空扩散结构,主要起到扩散作用;b.可以调整间距的石墨栅栏结构,目的是将扩散后的等离子体进行二次调制,使其均匀分布。2、利用Fluent软件对梯形扩散结构进行仿真模拟,理论上验证了梯形扩散结构的可行性。仿真模拟结果表明,等离子体经过梯形扩散结构调制后能够扩散至600 mmX 40 mm的区域,且在500 mmX 40 mm分布均匀。3、设计了一系列等离子体刻蚀实验,利用小尺寸光栅阵列模拟米量级光栅,对梯形扩散结构的实际扩散匀化等离子体的效果进行验证。实验结果证明输出口径仅为Φ40 mm的等离子体源产生的等离子体,经过梯形扩散结构的调制后,能够在尺寸为450 mm×40 mm大小区域内均匀分布。光刻胶光栅线条的等离子体刻蚀深度均匀性误差保持在±5%范围内。研究结果表明,本文提出的梯形扩散结构可以实现等离子体的均匀扩散,将输出口径仅为40 mm的等离子体源产生的等离子体均匀扩散至450 mm X 40 mm的区域内。利用此梯形扩散结构,通过一维扫描刻蚀的方式,可以使用小型等离子源完成米量级光刻胶光栅的等离子体刻蚀,且光栅线条刻蚀均匀性误差保持在±5%,满足光栅制作要求。(本文来源于《中国科学技术大学》期刊2019-05-01）
罗童,陈强[5]（2019）在《微波ECR等离子体刻蚀AAO模板中HfO_2薄膜的研究》一文中研究指出采用微波电子回旋共振(ECR)等离子体装置,对用原子层沉积(ALD)方法在阳极氧化铝模板(AAO)上制备的HfO_2薄膜进行了纳米图案化研究。用CF_4、Ar和O_2等离子体,对HfO_2薄膜进行了反应离子束刻蚀,以移除HfO_2。采用高分辨率扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和能量色散X射线光谱显微(EDX)分析,对样品刻蚀前后的形貌、结构和化学成分进行了表征。实验表明,HfO_2的刻蚀具有定向性,利于高深宽比微机械结构的加工。在其他参数固定的情况下,深宽比高达10∶1的结构中HfO_2的刻蚀速率是微波功率、负脉冲偏压、CF_4/Ar/O_2混合比(Ar含量在0～100%)和工作气压的函数。在0.3 Pa气压、600 W微波功率、100 V偏置电压下,HfO_2拥有0.36 nm/min的可控刻蚀速率,利于HfO_2的精准图案化。刻蚀形貌表明,在CF_4/Ar/O_2等离子体刻蚀之后,刻蚀面非常光滑,具有0.17 nm的均方根线粗糙度。(本文来源于《真空与低温》期刊2019年01期）
高博[6]（2019）在《国产刻蚀机很棒，但造芯片只是“配角”》一文中研究指出近来有网络媒体称，“中微半导体自主研制的5纳米等离子体刻蚀机，性能优良，将用于全球首条5纳米芯片制程生产线”，并评论说“中国芯片生产技术终于突破欧美封锁，第一次占领世界制高点”“中国弯道超车”等等。中微公司的刻蚀机的确水平一流，但夸大阐述其战略(本文来源于《科技日报》期刊2019-02-13）
马宏潇,厉渊,徐旻[7]（2019）在《一种优化等离子体刻蚀工艺去静电步骤的方式》一文中研究指出该文研究并优化了等离子体刻蚀后、去静电过程中等离子体辅助晶片去静电的工艺步骤。通过数据模拟和实验设计,研究了极板间距、反应室压力、射频电源功率和射频电源关闭方式对晶片残存电荷的影响。首先,采用基于蒙特卡罗随机数方法的应用软件Pegasus对去静电过程中反应室内的等离子体分布进行了模拟,研究了等离子体能量分布图并分析了极板间距与等离子体分布均一性的关系,得到最佳极板间距范围。其次,以反应室压力、射频电源功率与极板间距为实验变量,通过实验设计得到残余电荷量最少的实验组。最后,以该实验组为基础,对射频电源的关闭方式进行优化,通过检测晶片脱离吸附装置时的电势差,得到最优射频电源关闭方式。该文研究结果可用于优化晶片去静电步骤,进而提高工艺可靠性和产品良率。(本文来源于《集成技术》期刊2019年02期）
沈钢,肖少庆,张秀梅,顾晓峰[8]（2018）在《温和氢气等离子体对石墨烯的各向异性刻蚀》一文中研究指出本文采用一种简单有效的方法对石墨烯进行处理,可将多层石墨烯减薄为单层或任意层。采用自主研发的温和等离子体系统,以氢气作为先驱气体对多层石墨烯进行处理,再对处理过的样品进行高温退火。研究表明,温和氢气等离子体能利用氢离子的轰击效应对顶层石墨烯进行刻蚀,刻蚀过程具有良好的各向异性,刻蚀后氮气环境下的高温退火能够有效修复刻蚀过程中产生的晶格缺陷,从而得到品质较好的单层与少层石墨烯。本研究为制备品质良好的单层及少层石墨烯提供了一种新的方法。(本文来源于《材料科学与工程学报》期刊2018年06期）
罗童[9]（2018）在《ECR等离子体各向异性刻蚀单层石墨烯的研究》一文中研究指出从实验室成功制备出以来,石墨烯以其特殊的线性能带结构和优异的电学、热学、光学与机械性能,成为了当今世界的科技前沿和研究焦点。它被认为是未来集成电路的替代材料,在可控、大规模生产石墨烯基器件的制造方面具有巨大的潜力,能够实现工艺制程向“埃”的数量级过渡。石墨烯在物理学和电学方面的应用上,可能会表现出很多惊人的结果,但目前这些应用只能通过石墨烯纳米带或纳米线等其他纳米结构才能实现。因此,我们必须找到一种可靠的方法,能够在可控的情况下产生有特定尺寸、几何形状和特定晶向边缘的石墨烯纳米结构。由于石墨烯是一种超薄的二维纳米材料,对石墨烯进行刻蚀是最好的途径。干法等离子体刻蚀技术是微电子领域中图案转移的基本工艺,也是石墨烯刻蚀的常用工艺,可以实现石墨烯的各向异性刻蚀,同时也可以对石墨烯的边缘的手性进行控制。目前,对石墨烯进行刻蚀的等离子体源通常是电容耦合等离子体(CCP)和电感耦合等离子体(ICP),采用高密度、能量可控的微波电子回旋共振等离子体(微波ECR等离子体)刻蚀石墨烯还没有相关的研究。此外,现有的等离子体刻蚀石墨烯工艺中,所使用的刻蚀气体较为单一,不利于多种环境中的应用。相比于少层石墨烯,对于单层石墨烯的刻蚀要求更高。本论文研究微波ECR等离子体对单层石墨烯的刻蚀特性,主要进行不同气体对石墨烯刻蚀特性的研究,包括H_2、N_2、O_2和Ar及其混合气体对单层石墨烯的刻蚀速率、刻蚀各向异性、刻蚀表面及基底的平整度的影响,以期获得精准、刻蚀各向异性程度高的单层石墨烯刻蚀。论文得出的结论如下:(1)微波ECR等离子体更有利于单层石墨烯的刻蚀。微波ECR等离子体中离子的能量小于30eV,因而对样品的损伤较小。通过调节偏压射频电源功率、基片台高度等,控制等离子体能量,可以很好的控制石墨烯的刻蚀位点,使石墨烯出现选择性刻蚀。(2)H_2等离子体各向异性刻蚀石墨烯。通过对放电参数的调节,可以在较大的范围内调节H_2等离子体对石墨烯的刻蚀速率,这非常适于石墨烯的图案化,满足多种环境和刻蚀要求。(3)微波ECR N2等离子体对石墨烯基本不发生刻蚀。N_2等离子体对石墨烯基本没有发生任何损伤,这有利于石墨烯保持平整。(4)O_2等离子体对石墨烯的刻蚀为各向同性刻蚀,且在微波ECR等离子体环境中,O_2等离子体对石墨烯的刻蚀速率很大,可发生多个位点的刻蚀。在O_2中混合一定比例的Ar气体,可以实现石墨烯刻蚀速率的控制。(5)H_2/N_2混合气体、H_2/Ar混合气体都适于石墨烯的可控刻蚀,对基底SiO_2也损伤很小。(本文来源于《北京印刷学院》期刊2018-12-01）
满旭,鲍妮,张家斌,郝永芹,李洋[10]（2018）在《Ar/SF_6环境下使用感应耦合等离子体刻蚀SiO_2速率的研究》一文中研究指出利用感应耦合等离子体(ICP)技术在Ar/SF_6环境下对SiO_2薄膜进行干法刻蚀。通过控制ICP功率、RF功率、反应压强和刻蚀气体比例,获得了较高的刻蚀速率(104nm/min),并对SiO_2刻蚀速率随各参数的变化情况进行了讨论。(本文来源于《科技风》期刊2018年34期）
等离子体刻蚀论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
由于常规等离子体刻蚀系统在晶圆边缘处的阻抗与晶圆中心处的阻抗不一致,使离子在晶圆边缘处的运动轨迹发生偏移,很难满足越来越高的刻蚀工艺均匀性及深宽比的要求。本文提出一种通过调整晶圆边缘阻抗进行边缘离子运动方向优化的方法,可以连续实时地调整边缘离子的运动轨迹,实现对边缘离子运动方向的控制。研究结果表明,离子的运动方向可以被优化为垂直于晶圆表面,从而能获得良好的刻蚀速率均匀性及垂直的刻蚀形貌。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
等离子体刻蚀论文参考文献
[1].胡明山,王涛,奚野,刘景全.对大气压低温等离子体刻蚀聚合物薄膜的工艺研究[J].传感器与微系统.2019
[2].李国荣,赵馗,严利均,Hiroshi,Iizuka,刘身健.等离子体刻蚀中边缘离子轨迹的控制与优化[J].北京大学学报(自然科学版).2019
[3].魏育才.CF_4和O_2等离子体刻蚀改善氮化硅薄膜形貌研究[J].集成电路应用.2019
[4].周腾.米量级光刻胶光栅的等离子体刻蚀[D].中国科学技术大学.2019
[5].罗童,陈强.微波ECR等离子体刻蚀AAO模板中HfO_2薄膜的研究[J].真空与低温.2019
[6].高博.国产刻蚀机很棒，但造芯片只是“配角”[N].科技日报.2019
[7].马宏潇,厉渊,徐旻.一种优化等离子体刻蚀工艺去静电步骤的方式[J].集成技术.2019
[8].沈钢,肖少庆,张秀梅,顾晓峰.温和氢气等离子体对石墨烯的各向异性刻蚀[J].材料科学与工程学报.2018
[9].罗童.ECR等离子体各向异性刻蚀单层石墨烯的研究[D].北京印刷学院.2018
[10].满旭,鲍妮,张家斌,郝永芹,李洋.Ar/SF_6环境下使用感应耦合等离子体刻蚀SiO_2速率的研究[J].科技风.2018
论文知识图
![(a)BJT器件剖面图，[1.31]](/uploads/article/2020/01/03/1e2dfcf8a80db24afdbc8291.jpg)
