全文摘要
本实用新型公开了一种加热不燃烧卷烟用同步整流升压电路，包括MCU、锂电池、电感、第一分压电阻、第二分压电阻和待加热发热丝，所述的MCU为能适应宽范围工作电源输入的MCU，还包括有第一MOS管、第二MOS管，所述的第一MOS管的D端通过电感与锂电池的正极连接，第一MOS管的S端与待加热发热丝的端部相连接，第一MOS管的G端与MCU的同步驱动信号的输出端连接；本实用新型通过采用能适应宽范围工作电源输入的MCULGT8F690，从而不需要额外的MOS管驱动电路，仅仅通过简单的电路设计进行升压后自锁控制即可实现加热不燃烧卷烟用同步整流升压电路的升压控制，整个设备成本低廉，控制方便，精度高。
主设计要求
1.一种加热不燃烧卷烟用同步整流升压电路，包括MCU、锂电池、电感、第一分压电阻、第二分压电阻和待加热发热丝，其特征在于：所述的MCU为能适应宽范围工作电源输入的MCU，还包括有第一MOS管、第二MOS管，所述的第一MOS管的D端通过电感与锂电池的正极连接，第一MOS管的S端与待加热发热丝的端部相连接，第一MOS管的G端与MCU的同步驱动信号的输出端连接；第二MOS管的D端与第一MOS管的D端相连接，第二MOS管的S端接地设置，第二MOS管的G端与MCU的升压驱动信号的输出端连接；所述的第一分压电阻和第二分压电阻串联后一端接地设置，另一端分别连接第一MOS管的S端和MCU的电源VCC端，所述第一分压电阻和第二分压电阻的共工连接点与MCU的ADC端连接。
设计方案
1.一种加热不燃烧卷烟用同步整流升压电路，包括MCU、锂电池、电感、第一分压电阻、第二分压电阻和待加热发热丝，其特征在于：所述的MCU为能适应宽范围工作电源输入的MCU，还包括有第一MOS管、第二MOS管，所述的第一MOS管的D端通过电感与锂电池的正极连接，第一MOS管的S端与待加热发热丝的端部相连接，第一MOS管的G端与MCU的同步驱动信号的输出端连接；第二MOS管的D端与第一MOS管的D端相连接，第二MOS管的S端接地设置，第二MOS管的G端与MCU的升压驱动信号的输出端连接；所述的第一分压电阻和第二分压电阻串联后一端接地设置，另一端分别连接第一MOS管的S端和MCU的电源VCC端，所述第一分压电阻和第二分压电阻的共工连接点与MCU的ADC端连接。
2.根据权利要求1所述的加热不燃烧卷烟用同步整流升压电路，其特征在于：所述的MCU采用 LGT8F690。
3.根据权利要求1所述的加热不燃烧卷烟用同步整流升压电路，其特征在于：所述的第一MOS管和第二MOS管分别采用AO3401 和AO3400。
4.根据权利要求1所述的加热不燃烧卷烟用同步整流升压电路，其特征在于：所述的锂电池的电压为4.2V。
5.根据权利要求1所述的加热不燃烧卷烟用同步整流升压电路，其特征在于：所述的加热丝升压后的稳定电压为5V。
设计说明书
技术领域
本实用新型涉及加热不燃烧卷烟中温度控制技术领域，尤其涉及加热不燃烧卷烟用同步整流升压电路。
背景技术
目前，加热不燃烧卷烟在用户深度抽吸时，由于抽吸气流量大发热片热量损失快，为了保持发热片的温度，就需要提高发热片的工作功率，提高功率的最常见的方法是提高发热片驱动电压，而且通常采用将单节锂电池电压升压到5.5V左右。现有的电路大多采用同步整流升压系统实现，其存在如下缺点：1，要求专用升压集成电路芯片和专用的MOS驱动集成电路芯片，两个芯片的电路成本高。 2，专用升压集成电路和专用的MOS驱动集成电路有损耗，使整个升压电路的升压效率比较低。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种加热不燃烧卷烟用同步整流升压电路，能够提高升压电路的升压效率，而且成本低廉。
本实用新型采用的技术方案为：
一种加热不燃烧卷烟用同步整流升压电路，包括MCU、锂电池、电感、第一分压电阻、第二分压电阻和待加热发热丝，所述的MCU为能适应宽范围工作电源输入的MCU，还包括有第一MOS管、第二MOS管，所述的第一MOS管的D端通过电感与锂电池的正极连接，第一MOS管的S端与待加热发热丝的端部相连接，第一MOS管的G端与MCU的同步驱动信号的输出端连接；第二MOS管的D端与第一MOS管的D端相连接，第二MOS管的S端接地设置，第二MOS管的G端与MCU的升压驱动信号的输出端连接；所述的第一分压电阻和第二分压电阻串联后一端接地设置，另一端分别连接第一MOS管的S端和MCU的电源VCC端，所述第一分压电阻和第二分压电阻的共工连接点与MCU的ADC端连接。
所述的MCU采用 LGT8F690。
所述的第一MOS管和第二MOS管分别采用AO3401 和AO3400。
所述的锂电池的电压为4.2V。
所述的加热丝升压后的稳定电压为5V。
本实用新型通过采用能适应宽范围工作电源输入的MCU LGT8F690，从而不需要额外的MOS管驱动电路，仅仅通过简单的电路设计进行升压后自锁控制即可实现加热不燃烧卷烟用同步整流升压电路的升压控制，而且升压过程稳定快速，整个设备成本低廉，控制方便，精度高。
附图说明
图1为本实用新型的电路原理图；
图2为本实用新型所述驱动信号的波形图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
如图1所示，本实用新型包括MCU、锂电池、电感、第一分压电阻、第二分压电阻和待加热发热丝，所述的MCU为能适应宽范围工作电源输入的MCU，还包括有第一MOS管、第二MOS管，所述的第一MOS管的D端通过电感与锂电池的正极连接，第一MOS管的S端与待加热发热丝的端部相连接，第一MOS管的G端与MCU的同步驱动信号的输出端连接；第二MOS管的D端与第一MOS管的D端相连接，第二MOS管的S端接地设置，第二MOS管的G端与与MCU的升压驱动信号的输出端连接；所述的第一分压电阻和第二分压电阻串联后一端接地设置，另一端分别连接第一MOS管的S端和MCU的电源VCC端，所述第一分压电阻和第二分压电阻的共工连接点与MCU的ADC端连接。
所述的MCU采用 LGT8F690。所述的LGT8F690 MCU为中芯国际代工生产的具有高性能低功耗8 位 S MIC8S 内核的MCU，其具有35 条指令，可配置 1T\/2T\/4T 指令周期8 级深度堆栈寄存器，硬件上有 16x8, 16\/8 乘除法器、 4 4K K x14 4 bit 1K- - Cycle HFLASH程序存储器、128 x8bit E2PROM 数据存储器、 256 x8bit S SRAM 数据存储器，以及其他的外设控制器。
所述的第一MOS管Q1和第二MOS管Q2分别采用AO3401 和AO3400，比较常见成本低，无需额外增设MOS管驱动电路。
本实用新型所述的MCU的电源在启动时由第一MOS管Q2的寄生二极管（体二极管）供电，如图2所示，当系统开始工作时MCU的电源电压升压到5.5V，MCU由升压后的电源供电，MCU通过PWM控制器产生PWM1（升压驱动）信号和PWM2（同步驱动）信号分别驱动第一MOS管Q1和第一MOS管Q2。驱动信号PWM1和PWM2的死区由MCU通过软件调节设置，整个过程无需要专用升压电路和MOS驱动电路，自然避免了其带来的损耗，从而使整个电路效率大大高。
驱动信号PWM1和PWM2在软件调节时设定有互锁功能，从而保证同步工作。而且本实用新型电路系统简单，成本低，适用面比较广。
设计图
相关信息详情
申请码:申请号:CN201920103606.6
申请日:2019-01-22
公开号:公开日:国家:CN
国家/省市:41(河南)
授权编号:CN209677353U
授权时间:20191126
主分类号:A24F47/00
专利分类号:A24F47/00
范畴分类:15P;
申请人:河南中烟工业有限责任公司
第一申请人:河南中烟工业有限责任公司
申请人地址:450000 河南省郑州市郑东新区榆林南路16号
发明人:赵阔;杨静;袁岐山;陈泽少;朱琦;郑峰洋;赵超;高安生;张东豫;张孟伟
第一发明人:赵阔
当前权利人:河南中烟工业有限责任公司
代理人:时立新
代理机构:41104
代理机构编号:郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104
优先权:关键词:当前状态:审核中
类型名称:外观设计