导读:本文包含了正偏压论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:偏压,薄膜,金刚石,硬度,介质,纳米,成核。
正偏压论文文献综述
李哲,吕垠轩,何燕冬,张钢刚[1]（2014）在《高k栅介质SOI nMOSFET正偏压温度不稳定性的实验研究(英文)》一文中研究指出对高k栅介质SOI nMOSFET器件的PBTI退化和恢复进行实验研究,并且与pMOSFET器件的NBTI效应进行比较,分析PBTI效应对阈值电压漂移、线性及饱和漏电流、亚阈摆幅和应力诱导漏电流的影响。结果显示,PBTI的退化和恢复与NBTI效应具有相似的趋势,但是PBTI具有较高的退化速率和较低的恢复比例,这会对器件的寿命预测带来影响。最后给出在PBTI应力条件下,界面陷阱和体陷阱的产生规律及其对器件退化的影响。(本文来源于《北京大学学报(自然科学版)》期刊2014年04期）
张琛,张福春,杨海军,申月,张益[2]（2013）在《利用AFM探针施加的正偏压提高单个DNA分子的分离效率》一文中研究指出基于原子力显微镜(AFM)的分子操纵技术能通过AFM针尖将云母表面的单个DNA分子分离(拾取),通过单分子PCR和Sanger法测序,可以得到任何感兴趣的单个DNA片段的序列。然而在实际操作中,由于针尖-DNA吸附力不足以克服云母表面-DNA吸附力,衬底表面的DNA分子被分离的成功率往往较低。本文改进了原子力显微镜(AFM)针尖对云母表面单个DNA分子的分离(拾取)方法,通过对导电的AFM针尖施加正偏压,使针尖与负电荷的DNA分子形成较强的静电吸引力。结果表明,在针尖施加偏压后,表面的DNA分子能被高效的分离;而在未施加偏压的情况下,表面的DNA分子容易被针尖"搓揉"成球状的颗粒,但比较难分离。说明该方法能明显提高DNA分子从云母表面的分离效率。此外,被AFM针尖分离的DNA可通过单分子PCR技术成功扩增,说明对AFM探针施加正偏压来分离DNA不会影响其生物活性。(本文来源于《电子显微学报》期刊2013年02期）
杜军,朱晓莹,唐修检[3]（2012）在《正偏压对ZrCuN薄膜的组织结构与性能的影响》一文中研究指出采用磁控溅射技术在钛合金和单晶硅上沉积ZrCuN薄膜,考查了正负脉冲偏压对薄膜微观结构和硬度、韧性的影响。采用场发射扫描电镜观察截面形貌,X射线光电子能谱(XPS)分析元素结合状态,X射线衍射(XRD)分析物相结构。采用纳米压入仪进行加载、卸载试验,分析了薄膜弹塑性变形特性;采用压入法定量比较了薄膜的断裂韧性。结果表明:正偏压不影响薄膜结构,其效果在于提高沉积速率约20%,改变等离子体内电荷状态,从而改变了薄膜的成分。向ZrN中添加少量Cu,抑制了柱状晶,薄膜结构由T区向II区转变;ZrN薄膜中加入Cu后硬度并未降低,而韧性得到很大改善。Cu在薄膜中以2种形式存在:一是替换固溶到ZrN晶粒中;二是以单质Cu存在于晶界。(本文来源于《装甲兵工程学院学报》期刊2012年02期）
耿春雷,唐伟忠,黑立富[4]（2011）在《正偏压对微波等离子体CVD法制备金刚石薄膜的影响》一文中研究指出线形同轴耦合式微波等离子体CVD法是在硬质合金微型钻头(微钻)表面沉积金刚石涂层的最佳方法之一。本文首先研究了酸碱两步预处理后微钻表面的形貌和成分,然后研究了微钻工作表面金刚石的沉积情况,最后重点研究了正偏压对微钻不同位置金刚石生长的影响。结果表明,在微钻上施加50 V正偏压时,金刚石薄膜具有最佳的形貌和较好的均匀性。(本文来源于《金刚石与磨料磨具工程》期刊2011年02期）
薛旭斌,马欣新[5]（2010）在《正偏压作用下多弧离子镀ZrO_2薄膜的组织结构与力学性能研究》一文中研究指出在氧气和氩气的混合气体中,以O2/Ar流量比固定为1/4的条件,通过改变正偏压大小,采用多弧离子镀方法制备了新型高k栅介质——ZrO2薄膜。通过X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)研究了在不同正偏压作用下正偏压值与薄膜的相结构、表面形貌之间的关系,利用纳米压痕仪测量了不同正偏压作用下沉积得到的ZrO2薄膜的硬度及弹性模量,并观察了ZrO2薄膜经不同温度退火处理后的相结构及表面形貌的变化。结果表明,在各个正偏压条件下,薄膜结构呈微晶或非晶;ZrO2薄膜的均方根粗糙度随着正偏压的升高而降低;正偏压为100V时硬度和弹性模量均达到最大值,分别为16.1GPa和210GPa。(本文来源于《材料开发与应用》期刊2010年03期）
戴洪志[6]（2008）在《正偏压胆机功放的制作》一文中研究指出详细分析了一款叁级电压放大一级功率放大的胆机功放电路特点,介绍了不同元件的不同特性和特色以及对胆机风格的影响,还特别给出了详细的调试方法,以获得自己所需音色的胆机。(本文来源于《音响技术》期刊2008年04期）
薛旭斌[7]（2007）在《正偏压作用下离子复合沉积ZrO_2薄膜的结构与力学性能》一文中研究指出本文采用正偏压作用下多弧离子镀与等离子体基离子注入相结合的复合沉积技术,通过改变气体流量、正偏压以及离子注入电压,在不同工艺条件下以硅片为基底制备了ZrO_2薄膜。利用XPS、XRD、AFM和TEM研究了正偏压作用下离子复合沉积ZrO_2薄膜的成分、相结构、表面形貌以及微观组织。利用纳米压痕仪测量正偏压作用下离子复合沉积ZrO_2薄膜的硬度及弹性模量。对ZrO_2薄膜进行退火处理,研究退火处理对薄膜的成分、相结构、表面形貌、硬度及弹性模量的影响。薄膜的相结构以微晶或非晶态为主。在多弧离子镀沉积条件下,当气体流量为200sccm时,薄膜中出现m(200)择优取向;当气体流量为250sccm以及100sccm以下时,择优取向消失。离子复合沉积与多弧离子镀两种方法所制备的薄膜表面均有颗粒状起伏出现。在多弧离子镀沉积条件下,ZrO_2薄膜的均方根粗糙度随着气体流量的增加而上升,随着正偏压的升高而降低。采用离子复合沉积技术制备的ZrO_2薄膜具有较高的硬度及弹性模量。硬度及弹性模量的最高值分别为18.1GPa和251GPa。在多弧离子镀沉积条件下,正偏压从无到有(0~100V),ZrO_2薄膜的硬度明显上升;在离子复合沉积技术条件下,正偏压为400V时,硬度显着增大。退火处理使ZrO_2薄膜的粗糙度增加。经过330、430°C退火处理后,ZrO_2薄膜的相结构转变为单斜相和四方相共存。(本文来源于《哈尔滨工业大学》期刊2007-07-01）
吴南春,夏义本,谭寿洪,刘健敏,苏青峰[8]（2007）在《正偏压对纳米金刚石薄膜结构和电阻率的影响》一文中研究指出采用电子辅助热丝化学气相沉积工艺,在1kPa反应气压和施加不同的偏流条件下,沉积了纳米金刚石薄膜．用X射线衍射,场发射扫描电镜和半导体特性表征系统对该薄膜进行了表征和分析．结果表明,施加偏流可以使薄膜晶粒呈现明显的(110)晶面择优取向,表面形貌发生较大变化．当偏流为8A时,薄膜晶粒达到最小值,约为20nm,薄膜表面也最光滑．本文讨论了在低气压和电子轰击条件下(110)晶面择优取向的形成机制及其对薄膜显微形貌和电阻率的影响关系．(本文来源于《无机材料学报》期刊2007年02期）
吴南春,夏义本,谭寿洪,王林军[9]（2005）在《正偏压对纳米金刚石薄膜显微结构和电学性能的影响》一文中研究指出化学气相沉积金刚石薄膜具有所有的天然金刚石单晶的物理性能,它们被认为是下列各种应用非常有希望的候选材料,如热沉,声表面波器件,X射线光刻掩模,传感器及其电子器件,光学元器件涂层,切割工具和滑动部件等。然而化学气相沉积金刚石薄膜是多晶薄膜,薄膜表面通常很粗糙。金刚石薄膜表面的抛光通常很困难。而通过生长纳米尺寸晶粒的薄膜可以大大降低薄膜表面粗糙度。当金刚石薄膜晶粒减小至几十纳米时,薄膜表面变得相当光滑,具有好的红外光学透过率,高的硬度和低的摩擦系数。目前,典型的制备纳米金刚石薄膜的方法是Dieter M.Gruen博士提出的气体反应体系中加入Ar,运用MPCVD技术制备纳米金刚石薄膜的方法。但该方法制备的薄膜光学性能较差。运用HFCVD技术通过降低(本文来源于《国际材料科学与工程学术研讨会论文集（下册）》期刊2005-07-01）
杨国伟[10]（1997）在《正偏压控制CVD金刚石薄膜成核的理论研究》一文中研究指出本文从理论上研究了等离子体ＣＶＤ金刚石薄膜过程中的衬底正偏压增强金刚石成核效应，给出了增强成核强度与正偏压和沉积参数的关系，理论较好地描述了实验现象。(本文来源于《真空》期刊1997年03期）
正偏压论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
基于原子力显微镜(AFM)的分子操纵技术能通过AFM针尖将云母表面的单个DNA分子分离(拾取),通过单分子PCR和Sanger法测序,可以得到任何感兴趣的单个DNA片段的序列。然而在实际操作中,由于针尖-DNA吸附力不足以克服云母表面-DNA吸附力,衬底表面的DNA分子被分离的成功率往往较低。本文改进了原子力显微镜(AFM)针尖对云母表面单个DNA分子的分离(拾取)方法,通过对导电的AFM针尖施加正偏压,使针尖与负电荷的DNA分子形成较强的静电吸引力。结果表明,在针尖施加偏压后,表面的DNA分子能被高效的分离;而在未施加偏压的情况下,表面的DNA分子容易被针尖"搓揉"成球状的颗粒,但比较难分离。说明该方法能明显提高DNA分子从云母表面的分离效率。此外,被AFM针尖分离的DNA可通过单分子PCR技术成功扩增,说明对AFM探针施加正偏压来分离DNA不会影响其生物活性。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
正偏压论文参考文献
[1].李哲,吕垠轩,何燕冬,张钢刚.高k栅介质SOInMOSFET正偏压温度不稳定性的实验研究(英文)[J].北京大学学报(自然科学版).2014
[2].张琛,张福春,杨海军,申月,张益.利用AFM探针施加的正偏压提高单个DNA分子的分离效率[J].电子显微学报.2013
[3].杜军,朱晓莹,唐修检.正偏压对ZrCuN薄膜的组织结构与性能的影响[J].装甲兵工程学院学报.2012
[4].耿春雷,唐伟忠,黑立富.正偏压对微波等离子体CVD法制备金刚石薄膜的影响[J].金刚石与磨料磨具工程.2011
[5].薛旭斌,马欣新.正偏压作用下多弧离子镀ZrO_2薄膜的组织结构与力学性能研究[J].材料开发与应用.2010
[6].戴洪志.正偏压胆机功放的制作[J].音响技术.2008
[7].薛旭斌.正偏压作用下离子复合沉积ZrO_2薄膜的结构与力学性能[D].哈尔滨工业大学.2007
[8].吴南春,夏义本,谭寿洪,刘健敏,苏青峰.正偏压对纳米金刚石薄膜结构和电阻率的影响[J].无机材料学报.2007
[9].吴南春,夏义本,谭寿洪,王林军.正偏压对纳米金刚石薄膜显微结构和电学性能的影响[C].国际材料科学与工程学术研讨会论文集（下册）.2005
[10].杨国伟.正偏压控制CVD金刚石薄膜成核的理论研究[J].真空.1997
论文知识图
