一种污水深度处理装置论文和设计-吴以伯

全文摘要

本实用新型公开了一种污水深度处理装置，包括格栅，沉淀池，混凝沉淀池，等离子体单元，氢还原脱氮单元和污泥浓缩单元；污水首先经过格栅过滤和沉淀后，经提升泵进入混凝沉淀池进行混凝除磷和去有机物，再经等离子体机作等离子处理，利用等离子体机内电极板上的高压脉冲放电产生的的强氧化性物质在氨氮氧化池中氧化污水中的氨氮和有机物，使得水中的COD、BOD、色度、氨氮等污染指标大幅度降低，氧化后的污水进入硝态氮还原池中，利用氢气还原水体中的硝态氮降低水体的总氮，实现再生利用。

主设计要求

1.一种污水深度处理装置，其特征在于，包括格栅，沉淀池，混凝沉淀池，等离子体单元，氢还原脱氮单元和污泥浓缩单元；所述等离子体单元包括等离子体机；所述氢还原脱氮单元包括氨氮氧化池和硝态氮还原池，所述氨氮氧化池和氢还原池为一体化设置；所述污泥浓缩单元包括污泥浓缩池和污泥脱水机；所述格栅，沉淀池，混凝沉淀池，等离子体单元，氢还原脱氮单元依次连接，污水经过格栅过滤和沉淀池沉淀后经过混凝反应池进行混凝反应，然后经过等离子体单元进行等离子体氧化氨氮后再经过氢还原脱氮单元进行氢还原脱氮；污泥浓缩单元则对所述沉淀池和混凝沉淀池的沉淀进行污泥浓缩及过滤。

设计方案

1.一种污水深度处理装置，其特征在于，包括格栅，沉淀池，混凝沉淀池，等离子体单元，氢还原脱氮单元和污泥浓缩单元；

所述等离子体单元包括等离子体机；

所述氢还原脱氮单元包括氨氮氧化池和硝态氮还原池，所述氨氮氧化池和氢还原池为一体化设置；

所述污泥浓缩单元包括污泥浓缩池和污泥脱水机；

所述格栅，沉淀池，混凝沉淀池，等离子体单元，氢还原脱氮单元依次连接，污水经过格栅过滤和沉淀池沉淀后经过混凝反应池进行混凝反应，然后经过等离子体单元进行等离子体氧化氨氮后再经过氢还原脱氮单元进行氢还原脱氮；污泥浓缩单元则对所述沉淀池和混凝沉淀池的沉淀进行污泥浓缩及过滤。

2.根据权利要求1所述的污水深度处理装置，其特征在于，所述格栅包括粗格栅和细格栅。

3.根据权利要求1或2所述的污水深度处理装置，其特征在于，所述沉淀池为曝气沉砂池。

4.根据权利要求1或2所述的污水深度处理装置，其特征在于，在所述沉淀池和混凝沉淀池之间设置好氧生物处理单元。

5.根据权利要求4所述的污水深度处理装置，其特征在于，在所述好氧生物处理单元之前设置初沉池，在所述好氧生物处理单元后设置二沉池。

6.根据权利要求1或2所述的污水深度处理装置，其特征在于，所述混凝沉淀池中所用的混凝剂为铝盐、铁盐、聚铝、聚铁的一种或任意两种以上组合；所述铝盐为硫酸铝或氯化铝；所述铁盐为硫酸铁或硫酸亚铁；所述聚铝为聚合氯化铝、聚合硫酸铝或聚合硅酸铝；所述聚铁为聚合氯化铁、聚合硫酸铁或聚合硅酸铁；混凝剂的用量为5～50g\/m^{3<\/sup>；助凝剂为PAM，用量为1～2g\/m3<\/sup>。}

7.根据权利要求1或2所述的污水深度处理装置，其特征在于，在混凝沉淀池前设置有水体pH检测单元，当所述水体的pH小于7时，在所述水体中加入氢氧化钠、碳酸钠或石灰乳调节所述水体的pH值为7～9。

8.根据权利要求1或2所述的污水深度处理装置，其特征在于，所述等离子体机的脉冲工作电压为50～10000V，脉冲频率为2400～2600MHz，电流密度为10～1000mA\/cm^{2<\/sup>，污水在等离子体机中的停留时间为1～8min。}

9.根据权利要求1或2所述的污水深度处理装置，其特征在于，污水在氨氮氧化池中氧化20～90min。

10.根据权利要求9所述的污水深度处理装置，其特征在于，污水在硝态氮还原池中反应10～90min。

11.根据权利要求1或2所述的污水深度处理装置，其特征在于，污水在所述污水深度处理装置中处理的时间为3～8小时。

设计说明书

技术领域

本实用新型涉及一种污水深度处理装置。

背景技术

当前的市政污水处理厂比较常用污水处理技术不外乎活性污泥法和生物膜法两种工艺。活性污泥法主要有A2\/O及其改良工艺(如UCT工艺)、各种氧化沟工艺、SBR类及其变型工艺(CAST工艺等)等，目前活性污泥法占有绝对优势，仅有少数污水厂采用生物膜法工艺。采用这些工艺的出水如不加深度处理多数只能达到《城镇污水处理厂污染物排放标准》(GB18918-2002)一级B标准出水指标，其指标如表1：

表1基本控制项目最高允许排放浓度(日均值)

设计图

相关信息详情

申请码:申请号:CN201920079995.3

申请日:2019-01-17

公开号:公开日:国家:CN

国家/省市:92(厦门)

授权编号:CN209702486U

授权时间:20191129

主分类号:C02F9/14

专利分类号:C02F9/14;C02F101/30;C02F101/16

范畴分类:申请人:大渊环境技术（厦门）有限公司

第一申请人:大渊环境技术（厦门）有限公司

申请人地址:361000 福建省厦门市思明区湖滨北路72号中闽大厦32层01单元之三c区

发明人:吴以伯;闫承凯

第一发明人:吴以伯

当前权利人:大渊环境技术（厦门）有限公司

代理人:郭锦辉;陈艺琴

代理机构:44202

代理机构编号:广州三环专利商标代理有限公司 44202

优先权:关键词:当前状态:审核中

类型名称:外观设计

标签：沉淀池论文;  污泥浓缩论文;  混凝沉淀池论文;  水污染论文;