一种正电压控制的单片微波集成单刀双掷开关

论文摘要

设计了一款GaAs赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）单片微波集成正电压控制开关。该电路设计采用片上集成隔直电容,对传统负电压控制开关的拓扑结构进行改进。针对PHEMT开关低频（0.1 GHz）下1 dB压缩点输入功率(Pi（1 dB）)陡降问题进行分析,提出了改进栅极输入阻抗的方法,有效提高了PHEMT开关低频下的Pi（1 dB）。采用中国电子科技集团公司第十三研究所0.25μm GaAs PHEMT工艺进行了仿真和流片,芯片的面积为1.0 mm×1.0 mm。测试结果表明,在频率为0.1～4 GHz内,插入损耗小于0.8 dB,隔离度大于42 dB,Pi（1 dB）大于15 dBm。控制电压为0 V/5 V。该款GaAs PHEMT微波单片集成正电压控制开关设计全部达到了预期性能,并实现了改善低频下的Pi（1 dB）的目标。

论文目录

• 0 引言
• 1 电路分析与设计
•   1.1 GaAs PHEMT正电压控制开关的拓扑结构设计
•   1.2 低频下Pi （1 dB） 降低问题的分析及电路改进
•   1.3 GaAs PHEMT正电压控制开关的仿真与版图设计
• 2 测试结果与分析
• 3 结论

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 刘方罡,要志宏

关键词: 砷化镓,单片微波集成电路,单刀双掷开关,正电压控制开关,功率压缩

来源: 半导体技术 2019年07期

年度: 2019

分类: 信息科技,工程科技Ⅱ辑

专业: 电力工业

单位: 中国电子科技集团公司第十三研究所

分类号: TM564

DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.07.007

页码: 526-530

总页数: 5

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