导读:本文包含了蓝紫光激光器论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:激光器,紫光,半导体,多量,光束,光栅,比高。
蓝紫光激光器论文文献综述
王玉[1]（2019）在《蓝紫光半导体激光器光纤耦合及光束整形技术研究》一文中研究指出近年来蓝紫光半导体激光器在大容量光学数据储存、激光显示、激光医疗、先进制造等领域的应用不断扩展,尤其已成为3D打印技术中最热门的光源之一。论文从3D打印应用中对蓝紫光半导体激光器功率和光束质量的需求出发,展开激光器光纤耦合与光束整形相关研究。论文在综合分析半导体激光器发光特性、光纤特性及光纤耦合理论的基础上,提出了采用非球面透镜光纤耦合与柱面透镜光纤耦合两种解决方案,利用ZEMAX软件分别对两种方案进行光路设计模拟并对比,结果显示:非球面透镜光纤耦合模块与柱面透镜光纤耦合模块都能使408nm半导体激光器高效耦合到多模光纤中,理论上都可获得98%以上的耦合效率,但其中非球面透镜耦合具有结构简单、聚焦光斑小、模块体积小、透过能量高等诸多优点而更具优势。采用408nm单管半导体激光器、透镜、光纤及相关组件,应用光纤捆绑合束技术,完成非球面透镜光纤耦合实验。获得了中心波长408nm,输出功率为8.12W的蓝紫光半导体激光器光纤耦合模块,采用风冷散热系统,在工作电流1.3A时,2小时内的功率不稳定性仅为0.3%,实测耦合效率为83%。从实验数据分析可知,实际光纤耦合效率低于模拟结果,原因在于非球面透镜的准直聚焦中要求单管与光纤的配合精度非常高,而紫外胶连接模块方式易形变,使透镜的耦合位置造成偏移,降低了耦合效率。为了提高蓝紫激光束整形效果,依据几何光学的照明原理,采用非成像光学系统的设计方法,设计了一套由准直透镜、双排复眼透镜(纵横比为16﹕9,焦距为26mm)和聚焦透镜构成的整形系统,将发散角较大的圆形光场整形为尺寸0.67英寸的矩形光场,光场均匀性达到86%,光能利用率达到98%以上。研究表明:蓝紫光单管半导体激光器利用非球面透镜光纤耦合技术,能够以简单紧凑的结构实现激光能量高效稳定的输出;采用多光纤捆绑合束技术,使输出功率得到了较大幅度的提高;利用复眼透镜匀光系统将激光光场整形为矩形光场的同时提高了光场的均匀性,并保证了激光能量的利用率。(本文来源于《长春理工大学》期刊2019-05-01）
王玉,张玲,杨盈莹,于海娟,高瑀含[2]（2019）在《高功率蓝紫光半导体激光器及其光场匀化研究》一文中研究指出设计并实现了一种高功率、高光场均匀性的蓝紫光半导体激光器。采用光纤耦合技术,将28只输出功率为350mW的半导体激光器的输出激光,通过非球面透镜分别耦合进纤芯直径为400μm、数值孔径为0.22的光纤中,光纤经捆绑合束进行功率扩展后输出功率达8.1W。利用Zemax软件设计了复眼透镜组对激光光场进行整形匀化,仿真结果表明,光场均匀度从匀化前的48%提高到匀化后的86%,实验测量光场均匀度达到84.4%。为高精度3D打印技术提供了一种理想光源。(本文来源于《半导体光电》期刊2019年01期）
李斌,高俊,赵俊,余安澜,王新兵[3]（2015）在《宽调谐范围光栅外腔窄线宽405nm蓝紫光半导体激光器研究》一文中研究指出自由运行的半导体激光器通常为多纵模光谱输出,谱线宽度较大,不能满足拉曼散射等对光源线宽有要求的应用。为得到稳定输出的窄线宽激光,通过使用反射式全息光栅,有效地窄化了405 nm波段激光二极管的谱线宽度。使用高分辨率单色仪检测了Littrow布局下光栅外腔半导体激光器的输出光谱,并通过输出功率和光谱特性研究了光栅外腔半导体激光器的阈值和调谐特性。实验发现,通过使用2400 l/mm和3600 l/mm刻线密度的反射式全息光栅,激光二极管的阈值电流由30.0 m A分别下降到19.7 m A和21.3 m A,谱线宽度也从自由运行时的1 nm左右下降到0.03 nm以内,在标称的工作电流范围内得到了窄线宽激光输出,并且分别实现了5.45 nm和5.33 nm宽度的波长调谐。这一结果有利于推动蓝紫光激光二极管的光谱应用。(本文来源于《中国激光》期刊2015年12期）
李斌,涂嫔,徐勇跃,李哲,余安澜[4]（2015）在《405nm波段光栅外腔窄线宽蓝紫光半导体激光器》一文中研究指出自由运行的半导体激光器由于谱线较宽而无法满足如拉曼散射等对线宽有要求的应用需求,因此获得线宽较窄、波长稳定的半导体激光器十分必要。采用反射式全息光栅作为谱线窄化元件,研究了在Littrow布局下的405 nm外腔半导体激光器。反射式全息光栅的加入,使得光栅面和半导体激光器的输出面组成耦合外腔,这在很大程度上改善了405 nm半导体激光器的线宽性能。实验结果表明,通过加入2400 line/mm的反射式全息光栅形成外腔反馈,半导体激光器的阈值电流由31 m A下降到22 m A,谱线宽度从自由运行时的1 nm减小到0.03 nm以下,实现了窄线宽输出,并且在工作电流为100 m A时,得到窄线宽半导体激光器的输出功率为28 m W,为自由运行半导体激光器输出功率的31.7%。此外,通过调节反馈光栅的角度,实现了较大电流范围的激光波长的连续调谐,最大调谐范围达3.5 nm。(本文来源于《激光与光电子学进展》期刊2015年03期）
洪国彬,杨钧杰,卢廷昌[5]（2014）在《蓝紫光氮化镓光子晶体面射型激光器》一文中研究指出设计、制作了蓝紫光氮化镓光子晶体面射型激光器结构,并测量其光学性质,探讨了光子晶体的晶格常数、边界形状及晶格种类对激光器特性的影响。激光器结构采用有机金属化学气相沉积法配合电子束光刻及感应耦合等离子体干蚀刻等技术制作。由角度解析光致发光系统测得绕射图案、激光发射光谱及发散角等光学性质。同时,使用平面波展开法及多重散射法计算光子晶体的能带结构与阈值增益。由实验结果得出,可由改变光子晶体的晶格常数达到调变激光器操作模态的目的。此外,光子晶体的边界形状对激光器波长及半高宽并无显着的影响,但圆形边界的阈值激发能量密度比六角形边界低0.3 mJ/cm2。另一方面,将六角晶格、四角晶格与蜂巢晶格的晶格种类进行比较,蜂巢晶格具有较小的激发能量密度(1.6 mJ/cm2)及发散角(1.3°),而四角晶格的激发能量密度(3.8 mJ/cm2)及发散角(2.2°)为叁者之中最大。多重散射法求得的阈值增益与实验结果相吻合,可视为快速有效设计光子晶体激光器结构的工具。本文研究成果对今后发展高功率蓝紫光氮化镓光子晶体面射型激光器具有指导意义。(本文来源于《中国光学》期刊2014年04期）
陈少伟,吕雪芹,张江勇,应磊莹,张保平[6]（2013）在《蓝紫光宽带可调谐光栅外腔半导体激光器》一文中研究指出利用闪耀光栅作为外腔光反馈元件,研究Littrow结构的蓝紫光外腔半导体激光器。通过引入闪耀光栅,在光栅面和半导体激光器后端面之间构成耦合外腔,改善了中心波长位于405.5nm的边发射半导体激光二极管的性能。研究结果表明,在引入外腔反馈后,半导体激光二极管的阈值电流降低了27%,说明外腔与内腔之间具有较高的耦合效率;改变反馈元件光栅的转角,实现了激射波长的宽带连续调谐,调谐范围可达7nm。(本文来源于《激光与光电子学进展》期刊2013年11期）
张好军,赵建林[7]（2011）在《GaN基紫光激光器应用于激光引信抗干扰探索》一文中研究指出为了解决空空导弹用红外激光引信易受烟雾干扰的问题,试制了高重复频率、高功率GaN基紫光激光器,利用瑞利散射原理和分子散射原理,分析了烟雾散射和飞机目标散射的差异性。在计算双色激光器对烟雾散射差异主要机理的基础上,在固定空间箱体建立的烟雾室内,利用紫光激光器和红外激光器形成的双色激光器及锁相放大电路,对烟雾进行了双色激光散射特性的测试,得到了相同烟雾状态下两个波长激光的烟雾散射比大于3的测试结果。对比理论计算结果和试验数据结果,确认紫光激光器可用于激光引信抗烟雾干扰,分析该抗干扰效果在烟雾浓度大时尤其明显。(本文来源于《中国激光》期刊2011年07期）
[8]（2010）在《高功率蓝紫光激光器》一文中研究指出长春新产业光电技术有限公司成功开发出高功率蓝紫光激光器。新产业研发人员通过技术改善、光路优化、结构调整,使高功率蓝紫光激光器在舞(本文来源于《光机电信息》期刊2010年07期）
尹以安[9]（2008）在《GaN基蓝紫光激光器制备的理论与关键技术的研究》一文中研究指出宽禁带Ⅲ-Ⅴ族GaN基半导体材料在发光二极管、激光器、光电探测器以及高温、高频和大功率电子器件等方面有着诱人的应用前景和巨大的市场需求,是近年来光电子材料领域研究的热门课题。特别是发光波段在400-410nm的GaN基蓝紫光激光器是高密度光存储系统中最有希望的光源,因此制作蓝紫光短波长的激光器一直是人们研究的焦点,但GaN基激光器材料的生长和器件的制备方面还存在一些困难,特别是GaN基材料的P型掺杂、厚且无裂的AlGaN材料生长、高质量的P型GaN欧姆接触等。本文针对以上一些问题并结合GaN基激光器的研制工作开展了一系列的相关的研究,比如:一维光场模拟、相关材料的生长和低P型欧姆接触的研究。主要包括以下内容:1)采用传输矩阵的方法对GaN基激光器的光场分布进行一维理论模拟,并分析了各层材料及结构对GaN基激光器光场分布的影响。模拟发现:当增加N型限制层Al_xGa_(1-x)N/GaN SLS的厚度和Al组分,或者在N型限制层较薄的情况下适当增加波导层厚度时,都能抑制反波导行为;而在保证质量的情况下,N型接触层的厚度则是越薄越好。值得一提的是,研究中首次发现,当波导层采用InGaN或InGaN/GaN SLS结构时,对光的限制能力将会明显提高,相应地阈值电流密度会降低。以获得大的光场限制因子和低的阈值电流密度为目标,优化出了各层材料参数:分别取N和P型接触层GaN的厚度为2000nm和200nm情况下,N型限制层Al_xGa_(1-x)N/GaN SLS厚度600nm(120对超晶格),Al组分为0.22;N型波导层GaN厚度90nm,有源区In_(0.14)Ga_(0.86)N/GaN量子阱数为2;P型电子阻挡层Al_(0.2)Ga_(0.8)N厚度10nm;P型波导层GaN厚度70nm;P型限制层Al_xGa_(1-x)N/GaN SLS厚度300nm(60对超晶格),Al组分为0.22。2)研究了TMAl的流量和生长温度对AlGaN材料的的影响,重点研究如何获得厚且无裂AlGaN材料,本文采用AlGaN/GaN超晶格代替厚的AlGaN的生长,获得厚且无裂的限制层材料。3)理论分析InGaN/GaN MQW有源区发射波长与阱和垒的组分、厚度关系,发现通过适当组合阱和垒的In组分与厚度,可以调整发射波长。并通过生长LED结构来优化有源区,改变有源区阱的生长温度,发现其温度变化与发射波长呈线性关系,由此可以通过调节阱温,获得特定发射波长,并且还讨论了变温生长对InGaN/GaN MQW光学特性的影响。4)研究了获得p-GaN欧姆接触的低接触电阻方法。①对p-GaN表面预处理方法和合金化的时间、温度、氛围进行了优化。②在对该工艺优化的基础上,对比分析了两种不同材料的欧姆接触,即体材料p-GaN和采用p-InGaN/p-GaN超晶格薄层为顶层的p型材料。研究发现,在p-GaN上直接沉积一层p-InGaN/GaN超晶格薄层材料能够有效降低欧姆接触电阻,并在优化接触工艺为550℃、氧气氛围下合金30分钟的条件下,获得较低的比接触电阻率1.99×10~(-4)Ωcm~2。③对p-InGaN/p-GaN超晶格薄层形成低阻欧姆接触的原因进行了理论分析,首次研究了超晶格薄层中p-GaN层温度变化对欧姆接触的影响,以及超晶格层生长过程中以p-GaN或者p-InGaN作为终止层时对欧姆接触性能的影响。发现在较低温度下生长p-GaN有利于欧姆接触的形成,而值得注意的是,以p-InGaN作为终止层可以获得更低的欧姆接触,针对此结果,文中进行了较为深入的分析。④应用应变平衡理论,首次提出用p-InGaN/p-AlGaN超晶格代替p-InGaN/p-GaN超晶格层做p-GaN的顶层,并获得更低的欧姆接触电阻,其比接触电阻率为:7.27×10~(-5)Ω.cm~2。并从能带和空穴电荷密度两个方面分析接触电阻降低的原因。最后把应变补偿效应的超晶格材料应用在发光二极管(LED)上,相对常规LED而言,获得较低的工作电压。(本文来源于《厦门大学》期刊2008-09-01）
李德尧,张书明,王建峰,陈俊,陈良惠[10]（2007）在《蓝紫光InGaN多量子阱激光器》一文中研究指出在(0001)蓝宝石衬底上外延生长了InGaN长周期多量子阱激光器结构.叁轴晶X射线衍射测量显示该多量子阱结构质量优良.用该外延片制作了脊形波导GaN激光器,激光器的腔面为GaN的自然解理面.室温,电脉冲注入,激光器可实现激射.阈值电流密度为3.3kA/cm2,特征温度为145K.(本文来源于《中国科学(E辑:技术科学)》期刊2007年03期）
蓝紫光激光器论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
设计并实现了一种高功率、高光场均匀性的蓝紫光半导体激光器。采用光纤耦合技术,将28只输出功率为350mW的半导体激光器的输出激光,通过非球面透镜分别耦合进纤芯直径为400μm、数值孔径为0.22的光纤中,光纤经捆绑合束进行功率扩展后输出功率达8.1W。利用Zemax软件设计了复眼透镜组对激光光场进行整形匀化,仿真结果表明,光场均匀度从匀化前的48%提高到匀化后的86%,实验测量光场均匀度达到84.4%。为高精度3D打印技术提供了一种理想光源。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
蓝紫光激光器论文参考文献
[1].王玉.蓝紫光半导体激光器光纤耦合及光束整形技术研究[D].长春理工大学.2019
[2].王玉,张玲,杨盈莹,于海娟,高瑀含.高功率蓝紫光半导体激光器及其光场匀化研究[J].半导体光电.2019
[3].李斌,高俊,赵俊,余安澜,王新兵.宽调谐范围光栅外腔窄线宽405nm蓝紫光半导体激光器研究[J].中国激光.2015
[4].李斌,涂嫔,徐勇跃,李哲,余安澜.405nm波段光栅外腔窄线宽蓝紫光半导体激光器[J].激光与光电子学进展.2015
[5].洪国彬,杨钧杰,卢廷昌.蓝紫光氮化镓光子晶体面射型激光器[J].中国光学.2014
[6].陈少伟,吕雪芹,张江勇,应磊莹,张保平.蓝紫光宽带可调谐光栅外腔半导体激光器[J].激光与光电子学进展.2013
[7].张好军,赵建林.GaN基紫光激光器应用于激光引信抗干扰探索[J].中国激光.2011
[8]..高功率蓝紫光激光器[J].光机电信息.2010
[9].尹以安.GaN基蓝紫光激光器制备的理论与关键技术的研究[D].厦门大学.2008
[10].李德尧,张书明,王建峰,陈俊,陈良惠.蓝紫光InGaN多量子阱激光器[J].中国科学(E辑:技术科学).2007
论文知识图
