导读:本文包含了多层异质结构论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:异质,多层,结构,超导体,电子,方程,密度。
多层异质结构论文文献综述
李俊杰[1]（2019）在《双有源层异质结构a-IZO/IGZO TFT的模拟与优化》一文中研究指出目前,显示技术的突飞猛进,传统的材料如非晶硅由于其透光性差,迁移率低等问题已无法满足人们对显示的高需求。寻找可代替非晶硅的新材料成为研究人员发展显示技术的新方向,其中非晶铟镓锌氧化物(amorphous-Indium-Gallium-Zinc Oxide,a-IGZ O)材料就是显示技术领域发展的新产物。与传统的非晶硅相比,非晶氧化铟镓锌具有迁移率、均匀性好、在可见光范围内有高透光率、在柔性衬底上可以利用低温工艺进行大面积制备等特点,这些优势使得a-IGZO薄膜晶体管(TFT)在传感器、柔性电子器件、以及高分辨率平板显示器方面有着广泛应用其前景。但是由于a-IGZO材料由于稳定性不高无法投入到大规模的生产和应用当中,为了解决这一问题,研究学者提出了双有源层结构的非晶氧化物a-IZO/IGZO TFT。本文在此基础上,考虑到a-IZO和a-IGZO导电类型相同,都为n型,并且具有不同的电子亲和势和带隙,接触后会形成同型异质结构,利用仿真软件SILVACO TCAD对双有源层异质结构a-IZO/IGZO的性能进行了仿真和优化。论文主要工作分为叁个部分。首先是对非晶氧化物薄膜晶体管的光学特性、电学特性进行分析,同时介绍了a-IGZO TFT的导电机制和器件仿真的仿真环境。其次,通过SILVACO软件当中的ATLAS仿真模块建立异质结构a-IZO/IGZO TFT的器件模型和态密度模型,并对不同有源层厚度比下的器件特性进行仿真对比,通过改变氧空位态密度模型参数研究氧空位态密度峰值、标准差以及平均能量对器件电学性能的影响,仿真发现当有源层厚度比a-IZO:a-IGZO=20:20时器件性能达到最优,前沟道a-IZO氧空位态参数的改变对器件几乎没有影响,而背沟道a-IGZO氧空位态参数是影响器件特性的关键。最后,考虑到有源层异质结界面态会对器件产生影响,而这一点很少有研究学者进行讨论,所以通过建立界面态模型,将其加入到器件模型当中,对比研究有无界面态情况下a-IZO/IGZO TFT的具体变化,以及界面态密度参数的改变对器件特性的影响。通过仿真发现界面态的存在会使阈值电压和亚阈值摆幅增大,降低器件的性能,在a-IZO厚度为5 nm时对器件的影响最大,界面态密度参数中的界面受主尾态密度和特征斜率的改变会影响到器件的电学特性。(本文来源于《江南大学》期刊2019-06-01）
张阿云嘎[2]（2016）在《纤锌矿AlGaN多层异质结构中的声学声子模及对电子的散射》一文中研究指出纤锌矿非对称AlxGa1-xN/GaN/AlyGa1-yN多层异质结构不仅要比AlxGa1-xN/GaN单异质结构具有更高的二维电子气(2DEG)浓度和电子迁移率,而且与实际高迁移率晶体管(HEMT)的结构最为接近,因此被广泛应用于HEMT器件中.本文主要研究非对称纤锌矿AlxGa1-xN/GaN/AlyGa1-xN异质结多层结构中声学声子模的色散性质和声子势的叁元混晶(TMC)效应以及在此类多层异质结构中2DEG分布随混晶组分的变化关系,并以此为基础探讨声学声子对电子的散射率.主要内容和结论概括如下：(1)在弹性连续模型框架内,通过对非对称纤锌矿AlxGa1-xN/GaN/AlyGa1-yN异质结构中声学声子模色散关系与声子势的TMC效应计算可知,对于对称结构,声学声子模色散性质曲线斜率趋于四个极限值；而对于非对称结构则趋于六个极限值,并且具有更加复杂的声学声子模迭加效应.对于声学声子势,随着左边垒材料中Al组分的增加,声子模式将转变,声子势则逐渐受到“限制”,从而向右边垒移动,在GaN/AlyGa1-yN界面处会出现一极大值.其中,膨胀模声子势强于其它类型的声学声子势,对电子的散射占主导性地位.(2)通过数值自洽迭代法联立求解薛定谔(Schrodinger)方程与泊松(Poisson)方程,获得纤锌矿非对称AlxGa1-xN/GaN/AlyGa1-yN多层异质结构的异质结导带、电子分布以及随Al组分的变化关系.其结果表明,随着混晶组分的增加,势垒高度和内建电场强度都会有所提高,两者竞争的结果使电子气分布向势阱中心处移动,从而降低界面对2DEG的影响,提高其浓度.(3)基于电-声子相互作用哈密顿量,依据费米黄金法则,得出声学声子对电子的散射率.其结果显示,散射率先随着电子能量的增加迅速减少,然后减少趋于平缓.而散射率随着Al组分的增加而增强.上述效应对于低温混晶器件性能的调制与改善具有理论指导意义.(本文来源于《内蒙古大学》期刊2016-04-17）
薛舫时[3]（2015）在《AlGaN/GaN势垒层异质结构与二维电子气密度的相互作用》一文中研究指出在忽略二维电子气波函数对势垒层渗透的前提下提出了直接求解无电子势垒层泊松方程来计算势垒层能带的新思路,提出了把势垒层以外的极化电荷、杂质电荷及电子电荷作为势垒层边界上的界面电荷来解势垒层泊松方程的新方法。由此计算出的势垒层能带和自洽能带计算结果相吻合。用电子气密度多项式来拟合沟道阱子带能级随电子气密度变化的曲线,推算出新的二维电子气密度的超越方程。对于各种不同异质结构,从超越方程解出的电子气密度和势垒层能带同自洽能带计算结果相吻合,从而创立了一种自洽求解沟道阱泊松方程和薛定谔方程的新方法。研究了二维电子气密度与势垒层异质结构的相互作用,讨论了电子气密度随异质结构的变化,提出了异质结能带剪裁的新思路。(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊2015年01期）
杨福军[4]（2013）在《声子散射下纤锌矿AlGaN多层异质结构中电子的迁移率》一文中研究指出纤锌矿AlGaN/GaN异质结构是GaN基高迁移率晶体管(HEMT)采用的典型异质结构,其强自发极化和压电极化效应使得体系界面处产生高浓度的二维电子气(2DEG).调制纤锌矿叁元混晶AlGaN的AlxGa1-xN/AlN/GaN和AlxGa1-xN/GaN/AlyGa1-yN多层异质结构的2DEG浓度和电子迁移率,可改善HEMT的特性.本文考虑有限厚势垒和导带弯曲的实际异质结势,计入自发极化和压电极化效应产生的内建电场作用,采用数值自洽求解薛定谔方程和泊松方程获得多层纤锌矿AlGaN/GaN材料中电子的本征态和本征能级.基于介电连续模型、单轴晶体模型以及弹性连续模型,推广雷-丁平衡方程以及费米黄金法则,在光学声子以及声学声子起主要作用温区,从理论上探讨电子迁移率的叁元混晶效应和尺寸效应.主要研究内容和结果概括如下：(1)讨论AlxGa1-xN/AlN/GaN和AlxGa1-xN/GaN/AlyGa1-yN多层异质结构中2DEG分布的叁元混晶效应和尺寸效应.结果表明,对于AlxGa1-xN/AlN/GaN异质结构,势垒层中Al组分和A1N插入层厚度的增加均会增强GaN层中的内建电场强度,致使2DEG的分布更靠近异质结界面.而对于AlxGa1-xN/GaN/AlyN/Ga1-yN异质结构,势垒层中A1组分和GaN层厚度的增加则会使2DEG逐渐由AlxGa1-xN/GaN界面向GaN层中心移动.上述效应将影响2DEG的输运特性.(2)探讨光学声子散射下AlxGa1-xN/AlN/GaN异质结构中电子迁移率的叁元混晶效应和尺寸效应.结果发现,界面光学声子强于其它类型的光学声子对电子的散射,成为影响电子迁移率的主导因素,随着势垒层中A1组分和A1N插入层厚度的增加,电子的总迁移率逐渐下降.适当调整A1N插入层的厚度和Al组分,可获得较高的电子迁移率.(3)研究声学声子散射下AlxGa1-xN/GaN/AlyGa1-yN异质结构中电子迁移率的叁元混晶效应和尺寸效应.结果显示：最低频支膨胀声学模要强于高频支膨胀声学模以及弯曲模而在散射中起主要作用,AlxGa1-xN势垒层中Al组分的增加,使得最低频支膨胀声学模的振动方式逐渐向次低频支转变,导致在特定的组分范围内,电子的总迁移率突然增大.此外,在特定的GaN层厚度范围内,电子的迁移率总可达到一最大值.这些效应对于改善HEMT器件的性能有重要指导意义.(本文来源于《内蒙古大学》期刊2013-05-20）
张伟[5]（2013）在《PLD制备六方相ZnS/CdS多层异质结构薄膜及其光学性能的研究》一文中研究指出ZnS是一种性能优越的Ⅱ-Ⅵ族宽禁带直接带隙半导体材料,具有优良的光电特性,因此在平板显示,薄膜光电器件,光电探测器,传感器,激光器等方面有着非常广泛的应用。由于ZnS的电子亲和势为3.9eV以及禁带宽度室温下为3.74eV,使得该材料能够透过几乎所有太阳光谱波段,因而在理论上更适合替代CdS薄膜作为CdTe或CGIS薄膜太阳电池的缓冲层或窗口材料。此外,ZnS薄膜的晶格结构对于光电器件的物理性能也起着至关重要的作用,这是因为半导体异质结的形成需要两种材料间较低的晶格失配率,因而只有晶格常数相近的半导体材料所制成的异质结才能具备优良的性能。由于ZnS在常温下更稳定的结构是立方相结构,而ZnS的立方相向六方相结构转变的相变温度为1020℃。要在如此高的温度下才能制备获得六方相的ZnS薄膜,这必然会导致生产成本的增加。因此,为了降低生产成本,开发在低温下制备六方相ZnS薄膜的工艺方法具有重要意义。本文采用脉冲激光沉积方法(PLD)对ZnS薄膜的沉积条件进行探索,并在低温下成功制备出了六方相ZnS薄膜,同时还制备出了晶格失配率较低的六方相ZnS/CdS多层异质结薄膜。并对其进行形貌、结构表征和光学性能的分析。具体内容如下：1.通过一种简单的常压固相烧结法在不同条件下成功制备了ZnS靶材,并且研究了它的结构相变和发光特性。我们观察到了样品的晶格结构从闪锌矿结构到纤锌矿结构转变的现象。烧结温度低于900℃时,ZnS靶材呈闪锌矿结构；烧结温度高于1100℃时,ZnS靶材呈纤锌矿结构。实验发现,烧结温度与烧结时间均对ZnS靶材的结晶质量产生很大影响。通过实验探索获知,烧结温度为1100℃,烧结时间为100min时获得的ZnS靶材结晶质量最好,致密性完好,相对密度达到了94%以上,且锌硫比接近1：1。此外,激发波长为325nm的常温光致发光谱对样品进行测试观察到四个发光峰,分别位于-342、-407、-480和～525nm。通过分析得到,-342nm附近的峰是近带边峰,-407nm的峰位S空位缺陷到价带的跃迁,-480nm的峰为导带到锌空位的跃迁,在靶材中首次观察到的～525nm的峰,该峰为硫空位到表面态之间的跃迁产生的发光峰。2.通过PLD沉积技术分别在镀金和未镀金的蓝宝石(sapphire)衬底上成功地制备了ZnS薄膜。我们发现衬底温度和Au的催化作用对于ZnS薄膜晶体的生长有着重要的影响。我们通过调节衬底温度以及预先在蓝宝石衬底上沉积一层Au薄层的方法获得了可控生长不同结构晶相的ZnS薄膜。SEM形貌图证实了镀金衬底上的ZnS薄膜具有更平整的表面和更少的缺陷。PL光谱揭示了两个发光带,分别位于405nm和～520nm。3.通过PLD沉积方法成功了在镀金和未镀金的硅(Si)衬底上沉积了ZnS薄膜。对比发现,在镀金的Si衬底上制备的ZnS薄膜具有均匀平整的表面且呈现单一的六方纤锌矿结构,其表面粗糙度约为13.28nm；反之,在未镀金的Si衬底上制备的ZnS薄膜出现闪锌矿和纤锌矿两相共存的现象,且其表面粗糙度也较大,约为17.14nm。而经退火处理后,样品的晶粒尺寸显着减小,表面粗糙度明显降低,结晶质量也显着改善。在进一步对样品PL谱进行高斯拟合分析,发现了四个发光峰,分别位于405,480,525和588nm,前面叁个发光峰的来源与靶材一样,而588nm的黄光峰是由于样品表面的缺陷态引起的。4.利用PLD方法成功地实现了在低温下(100℃)生长六方相ZnS/(CdS/ZnS)n (n=2,4,8)多层异质结薄膜。在我们所制备的多层异质结薄膜中,ZnS/CdS之间的晶格失配率仅为-3.0%。FESEM测试结果显示了致密、平整的ZnS/CdS界面层,且几乎没有相互扩散现象的出现。另外,样品的透光率在可见光范围内均达到了85%以上。通过对样品的拉曼光谱测量,观察到了CdS的一阶和二阶纵光学声子(1LO和2LO)以及ZnS的多声子过程,揭示了高质量结晶的多层异质结薄膜。室温下的PL光谱显示了两个发光峰,分别位于蓝光(～405nm)和绿光(～504nm)波长范围内,且其峰强随薄膜层数增加而增强。此外,变温PL光谱测试结果验证了很强的绿光峰来自于CdS的近带边发射峰。(本文来源于《扬州大学》期刊2013-04-01）
陈淳[6]（2011）在《多层铜氧化物高温超导体及强关联异质结构中电子态性质的理论研究》一文中研究指出本篇硕士论文主要是基于重整化平均场的方法来研究叁层Bi系铜氧化物高温超导体以及由金属和铜氧化物高温超导体所组成的强关联异质结构中的超导电性。强关联铜氧化物高温超导体的电子性质由t-J模型描述,而金属层则由无相互作用的紧束缚模型刻画。当引入层间单电子以及Cooper对的隧穿效应时,我们发现在关联异质结构中,欠掺杂铜氧化物高温超导体的赝能隙所对应的配对能量尺度将会通过近邻效应(proximity effect)直接反映在原本没有电子配对相互作用的金属层中,数值计算的结果进一步表明金属层中诱发的电子配对所产生的超导能隙在层间电子隧穿足够强时可以大于原本单层t-J模型中超导能隙的最大值。我们还计算了一些与实验紧密相关的物理量,包括谱函数和态密度,并讨论了所得结果与现有实验观测数据之间的关系。最近的ARPES实验发现在最佳掺杂的叁层Bi系铜氧化物高温超导体中存在层间超导能隙与掺杂浓度的变化梯度,具体来说,对于最佳掺杂的Bi2Sr2Ca2Cu3O10+δ(Bi2223)铜氧化物高温超导体,其原胞内最外面两层过掺杂铜氧面上的超导能隙大于最佳掺杂的单层Bi2201所具有的超导能隙,而其中间一层欠掺杂铜氧面上的超导能隙则更大,约为单层体系能隙最大值的两倍。为了理解类似复杂的多层铜氧化物高温超导体的电子结构特性,我们在叁层t-J模型的基础上引入了层间单电子以及局域Cooper对的隧穿效应,通过求解推广的多层t-J模型,我们发现层间有效Cooper对的隧穿效应能够显着地增强整个体系的超导配对强度,同时层间序参量相位之间的正负关联也将决定整个系统的超导电性是增强还是削弱。当逐渐增大层间电子的隧穿强度时,体系超导序的相对相位结构将发生一级相变。我们给出了叁层t-J模型的超导相图,并进一步讨论了多层铜氧化物高温超导体中超导序和反铁磁序的共存与竞争。(本文来源于《复旦大学》期刊2011-05-01）
孙小迪[7]（2011）在《音乐作品的“单层性”—茵加尔顿“多层异质结构”理论解析》一文中研究指出"层"的概念是茵加尔顿在研究文学作品时首先提出来的,他构拟了一个艺术作品"多层异质结构"的理论。他曾指望通过文学作品多层性结构的研究结果,来说明音乐作品结构的特点。但在对音乐作品的实际研究过程中,他才意识到音乐作品中并没有像文学作品中的那种"意义层次",而音乐作品是"单层性"的。(本文来源于《交响（西安音乐学院学报）》期刊2011年01期）
刘德[8]（2009）在《分形半导体多层异质结构中的自旋极化输运特性研究》一文中研究指出本论文选择具有重要应用价值和基础理论研究意义的两端具有铁磁接触的分形半导体多层异质结构(F/FSM/F)作为研究对象,针对其中的电子自旋极化输运现象、关联系数、电流以及散粒噪声等问题进行较为细致的研究,通过与两端具有铁磁接触的周期半导体多层异质结构(F/PSM/F)中的相关结果比较,揭示了一些新效应及其物理机制。旨在探索新的量子结构,为可能的具有特殊性质的非线性自旋电子学器件的设计开发提供理论依据。本文得到的主要结论如下:(1)在自旋极化输运过程中,提出了一种具有自相似结构的F/FSM/F异质结构。F/FSM/F异质结构可以看作是属于F/S/F异质结构的一种带有缺陷的具有严格周期性的F/PSM/F异质结构。(2)基于相干量子输运理论,考虑Rashba自旋-轨道耦合相互作用,我们系统地研究了F/FSM/F和相应F/PSM/F异质结构中半导体层厚确定和随机变化两种情况下的自旋极化电子的输运性质;分别讨论了两种不同结构的隧穿几率与结构迭代次数n、半导体多层结构的总长度d、Rashba自旋-轨道耦合强度kR /k0和半导体层厚随机变化的随机度R之间的依赖关系。计算结果表明,F/FSM/F异质结构的隧穿谱与F/PSM/F异质结构的隧穿谱相比具有许多有趣的特性。例如,更显着的量子尺寸效应、更加尖锐的局域共振峰和半导体层厚随机波动的稳定性等等。同时,我们也发现,在半导体层厚存在随机变化的F/PSM/F和F/FSM/F异质结构中,自旋向上和自旋向下电子的隧穿几率不仅在左右铁磁体磁化方向平行(P)时可以分离,而且在磁化方向反平行(AP)时也会分离。这一结果与层厚没有随机变化的情况明显不同。(3)借助关联系数研究了自旋极化电子输运过程中的分形行为。通过计算隧穿几率的关联系数表明:与F/PSM/F异质结构的隧穿谱相比,F/FSM/F异质结构的隧穿谱具有与半导体多层中各层的分形分布有关的部分自相似结构。也就是说,共振隧穿谱与几何结构之间有一个清晰而直接的关联。(4)基于相干量子理论和Landauer-Büttiker散射理论,考虑Rashba自旋-轨道耦合相互作用,我们系统地研究了电场作用下电子隧穿第四代F/FSM/F异质结构和相应F/PSM/F异质结构的自旋相关的散粒噪声的性质。计算并讨论了两种不同结构的电流、散粒噪声和Fano因子与半导体多层结构的总长度、Rashba自旋-轨道耦合相互作用、外加偏压以及两铁磁接触磁矩间夹角的依赖关系。结果表明,电流、散粒噪声和Fano因子具有强自旋依赖性,不仅能够通过外加偏压和Rashba自旋-轨道耦合相互作用进行调制,而且也与半导体多层的总长度和两铁磁接触磁矩间的夹角等结构参数密切相关。(5)与F/PSM/F异质结构相比,F/FSM/F异质结构的电流、散粒噪声和Fano因子具有一些有趣的物理性质。例如,更显着的量子尺寸效应、随着偏压或Rashba自旋-轨道耦合强度的增加表现出的低频非周期振荡规律以及随角度的增加出现的对Rashba自旋-轨道耦合强度的弱依赖性等。我们的结果进一步表明,在准一维自旋晶体管器件的实现和量子相干自旋电子学器件的设计上,F/FSM/F异质结构可能比F/PSM/F异质结构更占有优势。因此,我们的研究结果可能会促进和激发人们对介观输运过程中精细物理机制的进一步研究,也有可能用于优化未来自旋电子学器件的设计。(本文来源于《河北师范大学》期刊2009-03-10）
贺梦冬,龚志强[9]（2007）在《多层异质结构中的声学声子输运》一文中研究指出在连续弹性近似下,采用转移矩阵方法,研究了由不同含Al浓度的异质结(GaAs/AlxiGa1-xiAs)所构成的对称多层异质结构中的声学声子输运性质.结果表明:该结构中的声子透射谱具有与同组分厚度超晶格(GaAs/AlAs)不一样的特征,具体体现在透射曲线振荡幅度与频率等方面;声子透射谱特征与对称异质结构中AlxiGa1-xiAs层的含Al浓度xi(i表示对称轴两边的第i层)的分布有很大的关系,具体表现为:当xi随i的增加而递减时,透射谱线除主波谷外较平滑;而当xi随i的增加而递增时,透射谱振荡明显增大,且主波谷被分裂.声子透射系数还依赖于异质结组分层的厚度,尤其是AlxiGa1-xiAs的厚度.另外,异质结的层数对声子输运也产生一定的影响.(本文来源于《物理学报》期刊2007年03期）
雍俐培,朱小红,王奉波,彭炜,黎松林[10]（2005）在《YBa_2Cu_3O_(7-δ)薄膜厚度在多层异质结构(Ag/Ba_(0.1)Sr_(0.9)TiO_3/YBa_2Cu_3O_(7-δ)/LaAlO_3)中对Ba_(0.1)Sr_(0.9)TiO_3介电性能的影响研究》一文中研究指出铁电/超导(Ba,Sr)Ti O3/YBa2Cu3O7-δ异质结在可调谐微波器件方面具有非常好的应用前景.我们采用1.2°斜切LaAl O3基片,以脉冲激光沉积法(PLD)制备出性能较好的Ba0.1Sr0.9Ti O3/YBa2Cu3O7-δ(BST/YBCO)异质薄膜.并进一步研究了YBCO薄膜厚度对BST性能的影响.研究发现当YBCO薄膜厚度增加到180nm附近时,其生长模式由二维step-flow转变为叁维岛状模式,严重损害了在YBCO上面生长的BST薄膜的介电性能.具体表现在:BST薄膜的介电常数和可调谐率明显降低,介电损耗和漏电流却大幅度上升.通过测量电容与温度的关系,以应力效应模型对这一实验现象作出解释,认为YBCO薄膜厚度超过临界值,生长模式的转变促使晶格失配应力在YBCO和BST薄膜中得到释放,这导致BST/YBCO界面粗糙,以及BST薄膜中产生了大量的位错和缺陷,BST薄膜的性能因而大为降低.此外,通过对完全相同条件生长的单层YBCO薄膜的表面形貌进行了AFM研究,测试结果进一步验证了YBCO薄膜厚度增加到180nm时,其表面变得异常粗糙,均方根粗糙度(RMS)从120nm厚度时的3nm增加到180nm厚度时的9nm.因此,我们提出:通过严格控制底层YBCO薄膜的厚度,进而控制它的生长模式,能够非常有效地提高BST薄膜的介电性能.(本文来源于《低温物理学报》期刊2005年S1期）
多层异质结构论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
纤锌矿非对称AlxGa1-xN/GaN/AlyGa1-yN多层异质结构不仅要比AlxGa1-xN/GaN单异质结构具有更高的二维电子气(2DEG)浓度和电子迁移率,而且与实际高迁移率晶体管(HEMT)的结构最为接近,因此被广泛应用于HEMT器件中.本文主要研究非对称纤锌矿AlxGa1-xN/GaN/AlyGa1-xN异质结多层结构中声学声子模的色散性质和声子势的叁元混晶(TMC)效应以及在此类多层异质结构中2DEG分布随混晶组分的变化关系,并以此为基础探讨声学声子对电子的散射率.主要内容和结论概括如下：(1)在弹性连续模型框架内,通过对非对称纤锌矿AlxGa1-xN/GaN/AlyGa1-yN异质结构中声学声子模色散关系与声子势的TMC效应计算可知,对于对称结构,声学声子模色散性质曲线斜率趋于四个极限值；而对于非对称结构则趋于六个极限值,并且具有更加复杂的声学声子模迭加效应.对于声学声子势,随着左边垒材料中Al组分的增加,声子模式将转变,声子势则逐渐受到“限制”,从而向右边垒移动,在GaN/AlyGa1-yN界面处会出现一极大值.其中,膨胀模声子势强于其它类型的声学声子势,对电子的散射占主导性地位.(2)通过数值自洽迭代法联立求解薛定谔(Schrodinger)方程与泊松(Poisson)方程,获得纤锌矿非对称AlxGa1-xN/GaN/AlyGa1-yN多层异质结构的异质结导带、电子分布以及随Al组分的变化关系.其结果表明,随着混晶组分的增加,势垒高度和内建电场强度都会有所提高,两者竞争的结果使电子气分布向势阱中心处移动,从而降低界面对2DEG的影响,提高其浓度.(3)基于电-声子相互作用哈密顿量,依据费米黄金法则,得出声学声子对电子的散射率.其结果显示,散射率先随着电子能量的增加迅速减少,然后减少趋于平缓.而散射率随着Al组分的增加而增强.上述效应对于低温混晶器件性能的调制与改善具有理论指导意义.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
多层异质结构论文参考文献
[1].李俊杰.双有源层异质结构a-IZO/IGZOTFT的模拟与优化[D].江南大学.2019
[2].张阿云嘎.纤锌矿AlGaN多层异质结构中的声学声子模及对电子的散射[D].内蒙古大学.2016
[3].薛舫时.AlGaN/GaN势垒层异质结构与二维电子气密度的相互作用[J].固体电子学研究与进展.2015
[4].杨福军.声子散射下纤锌矿AlGaN多层异质结构中电子的迁移率[D].内蒙古大学.2013
[5].张伟.PLD制备六方相ZnS/CdS多层异质结构薄膜及其光学性能的研究[D].扬州大学.2013
[6].陈淳.多层铜氧化物高温超导体及强关联异质结构中电子态性质的理论研究[D].复旦大学.2011
[7].孙小迪.音乐作品的“单层性”—茵加尔顿“多层异质结构”理论解析[J].交响（西安音乐学院学报）.2011
[8].刘德.分形半导体多层异质结构中的自旋极化输运特性研究[D].河北师范大学.2009
[9].贺梦冬,龚志强.多层异质结构中的声学声子输运[J].物理学报.2007
[10].雍俐培,朱小红,王奉波,彭炜,黎松林.YBa_2Cu_3O_(7-δ)薄膜厚度在多层异质结构(Ag/Ba_(0.1)Sr_(0.9)TiO_3/YBa_2Cu_3O_(7-δ)/LaAlO_3)中对Ba_(0.1)Sr_(0.9)TiO_3介电性能的影响研究[J].低温物理学报.2005
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