β-SiC纳米薄膜热导率的数值模拟研究

β-SiC纳米薄膜热导率的数值模拟研究

论文摘要

采用非平衡分子动力学的方法,在COMPASS力场下计算了β-SiC纳米薄膜热导率.当其厚度在3.426~6.905 nm范围内变化时,β-SiC薄膜热导率在5.054~9.654 Wm-1K-1之间;当系统温度在300~1 000 K范围内时,其热导率在7.315~8.324 Wm-1K-1之间.计算结果表明:在选定的薄膜厚度范围内,热导率随薄膜厚度的增加而增加,表现出明显的尺度效应;当系统温度变化时,其热导率也发生改变,但影响较小.

论文目录

  • 1 非平衡分子动力学模拟方法(NEMD)
  • 2 COMPASS势函数
  • 3 β-SiC薄膜热导率计算
  • 4 结论与展望
  • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 白素媛,贾孟晗,吴宝丽,丛士博,白容榕

    关键词: 分子动力学,纳米薄膜,热导率,数值模拟

    来源: 鞍山师范学院学报 2019年06期

    年度: 2019

    分类: 社会科学Ⅱ辑,工程科技Ⅰ辑,工程科技Ⅱ辑

    专业: 材料科学,工业通用技术及设备

    单位: 辽宁师范大学物理与电子技术学院

    基金: 辽宁省自然科学基金(2015020079)

    分类号: TB383.2

    页码: 23-27

    总页数: 5

    文件大小: 1375K

    下载量: 49

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