导读:本文包含了绿光发射论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:激光器,绿光,溶胶,凝胶,器件,熔剂,氟化物。
绿光发射论文文献综述
周佳玉[1]（2019）在《无笼中OH~-离子红光到绿光区发射可调的C12A7:Sm,Tb导电荧光粉制备及其光学特性研究》一文中研究指出低压场发射显示器(FED)具有适用温度区间较广、响应快速、极端条件无阻碍、集成性高等诸多优势,在高温等极端显示条件下具有潜在的应用前景。其工作原理是通过电极加速阴极发射出的电子束轰击阳极的荧光粉实现各种颜色的发光。尤其,低压FED的显色性能与荧光粉的导电性密切相关,例如:导电性差的荧光粉在显示器低压工作过程中,将存在着显着的电荷积累效应,并显着的降低发光性能。因此,目前制备耐电子束轰击、同时具有导电性能的氧化物基低压场发射显示器用导电荧光粉成为该领域的研究热点。最近的研究工作表明,在低压电子束激发下,具有特殊笼状结构的稀土(如Sm~(3+),Gd~(3+),Ce~(3+),Dy~(3+))掺杂七铝酸十二钙(12CaO·7Al_2O_3,缩写为C12A7)的导电荧光粉材料,因其具有较好的导电和发光性能,可抵抗电子束轰击所造成的电荷积累效应,实现了红色、紫外和白光发射。然而,由于制备样品的过程中需使用H_2作为还原气氛,这将导致C12A7基导电荧光粉中引入笼内OH~-基团,对稀土离子发光具有较强的猝灭作用。为了进一步提高阴极射线发光强度,如何制备不含笼中OH~-的稀土掺杂的C12A7导电荧光粉是目前迫切需要解决的难点问题。本文采用碳包埋半封闭式坩埚的高温熔凝法(melt-solidification)制备了不同Sm~(3+)掺杂浓度的C12A7:x%Sm~(3+)(x=0.1,0.3,0.5,0.7,1.0)导电荧光粉。实验表明:该系列样品可观察到位于564、601、648、709 nm四个发射峰,其分别归属于Sm~(3+)的~4G_(5/2)→~6H_(J/2)(J=5,7,9,11)跃迁的特征发射峰(λ_(ex)=404 nm);x=0.3%时,发光强度最大。实验发现,高温熔凝法制备的C12A7:0.3%Sm~(3+)样品中只存在困陷与笼中的电子与氧离子基团,而无困陷于笼中OH~-离子,通过漫反射吸收光谱测试可知,笼内电子浓度为8.5×10~(19)cm~(-3)。为提升其发光性能,在225°C空气气氛下热处理50分钟后,样品的阴极射线(CL)发光强度达到最大值。与用氢气气氛下制备的导电C12A7:Sm~(3+)样品相比,不含笼内OH~-的样品具有更好的导电性,同时其阴极射线发光强度也增强了2-3倍,色坐标均位于(0.60,0.40)附近。同时,采用高温熔凝法制备了不同Tb~(3+)掺杂浓度的C12A7:0.3%Sm~(3+),y%Tb~(3+)(y=0.1,0.3,0.5)导电荧光粉,实现了红光到绿光区发射的有效调节。样品的红外透射光谱未出现3550 cm~(-1)处的吸收峰,表明该系列样品不含困陷于笼中OH~-基团;样品低温(80 K)电子顺磁共振光谱测试出现3420 Gauss的信号,同时,漫反射吸收谱测试在2.72 eV附近出现电子的吸收峰,表明该系列样品具有较好的导电性能(笼内电子浓度为8.8×10~(19)cm~(-3))。样品在377 nm波长激发下,出现Sm~(3+)、Tb~(3+)的特征发射峰(440-460 nm范围内的发射峰为Tb~(3+)的~5D_3→~7F_4的跃迁;488、541、564、585、601、648、709nm处的峰分别归属于~5D_4→~7F_6(Tb~(3+))、~5D_4→~7F_5(Tb~(3+))、~4G_(5/2)→~6H_(5/2)(Sm~(3+))、~5D_4→~7F_4(Tb~(3+))、~4G_(5/2)→~6H_(7/2)(Sm~(3+))、~4G_(5/2)→~6H_(9/2)(Sm~(3+))和~4G_(5/2)→~6H_(11/2)(Sm~(3+))的跃迁)。随着Tb~(3+)掺杂浓度增大,其色坐标位置实现从红光到绿光区的有效调节,最优样品C12A7:0.3%Sm~(3+),0.3%Tb~(3+)位于暖白光(0.40,0.40)位置处。此外,我们将导电与未导电的C12A7:Sm~(3+),Tb~(3+)荧光粉进行不同比例混粉测试,混粉后的样品CL发光性能得到了提升。(本文来源于《东北师范大学》期刊2019-05-01）
邱小浪,陈雪花,朱仁江,张鹏,郭于鹤洋[2]（2019）在《小型化可调谐外腔面发射绿光激光器》一文中研究指出以InGaAs多量子阱为有源区材料,以对抽运光透明的AlGaAs/AlAs为后端分布布拉格反射镜材料,采用后端抽运方式,在腔内插入标准具作为滤波元件,通过腔内倍频,获得小型化可调谐的光抽运外腔面发射绿光激光器。作为滤波元件,标准具可压窄基频光的光谱半峰全宽。为了阻止倍频光返回到增益芯片,标准具镀有倍频光高反膜。激光器的基频光调谐范围超过10 nm,倍频绿光在中心波长559 nm处的调谐范围为4 nm,光谱半峰全宽为1.0 nm,最大输出功率为65 mW。(本文来源于《中国激光》期刊2019年04期）
蒋丽丹[3]（2018）在《倍频蓝光/绿光外腔面发射激光器研究》一文中研究指出垂直外腔面发射激光器作为一种新型的半导体激光器,结合了固体薄片激光器和垂直腔面发射半导体激光器的优点,具有较高的输出功率和良好的光束质量。其灵活的外腔结构设计,可以在腔内放置非线性倍频晶体,对垂直外腔面发射激光器进行腔内倍频,实现激光波长的扩展。论文简述了垂直外腔面发射激光器的发展历史及研究意义,总结了垂直外腔面发射激光器的优点,并概括了倍频外腔面发射激光器的研究现状及应用。介绍了垂直外腔面发射激光器的基本结构,阐述了垂直外腔面发射激光器的工作原理及运行机制,并对比分析了两种不同量子阱结构的增益芯片。利用小信号模型,通过求解二次谐波的耦合波方程,阐述了二次谐波的产生原理,推导出倍频转换效率,并简要分析了影响倍频转换效率的因素。在此基础上,详细分析了倍频外腔面发射激光器的相关理论,对晶体的非线性特性进行了详细描述,综合考虑各因素对腔内倍频的影响,对倍频过程中晶体的选择做出了优化。结合垂直外腔面发射激光器热管理的基本理论,分析了热效应对垂直腔面发射激光器性能的影响。对液体毛细键合SiC热沉进行了实验研究,提出了增益芯片与SiC片表面清洁度对键合的影响,并在常温下成功将SiC片与增益芯片通过甲醇液体毛细键合在一起。在湿法腐蚀中,对比分析了酸性腐蚀和碱性腐蚀技术,最后采用碱性腐蚀和选择性腐蚀相结合,成功完成GaAs基质的去除。搭建了倍频蓝光垂直外腔面发射激光器的直腔和V腔结构,通过实验研究,获得了增益芯片特性。对倍频蓝光外腔面发射激光器的输出特性展开实验研究,获得966nm的基频光,半高全宽5nm。采用双曲线拟合法测得蓝光在x方向与y方向的M~2因子分别为1.04和1.01。当热沉温度为15.5℃时,对比分析了两种腔型结构的输出功率,指出了直腔倍频蓝光的缺点和V腔倍频蓝光的优点。当吸收泵浦功率为3.5W,热沉温度为13.5℃时,获得输出蓝光功率210mW,波长483nm,光谱线宽2.5nm。组建了紧凑小型化倍频绿光外腔面发射激光器,通过实验研究,获得了增益芯片相关特性。对倍频绿光外腔面发射激光器的输出特性展开实验研究,获得1096nm的基频光,半高全宽1nm。当热沉温度为12.5℃,泵浦功率为3.8W时,输出绿光功率135.5mW,激光波长548nm,光谱线宽0.5nm。(本文来源于《重庆师范大学》期刊2018-04-01）
刘士浩,张祥,张乐天,谢文法[4]（2018）在《顶发射绿光量子点电致发光器件》一文中研究指出采用核壳结构的绿光Cd SSe/Zn S量子点成功制备了顶发射绿光量子点器件,并详细研究了它的光电特性。与具有相同结构的底发射器件相比,顶发射器件在亮度、效率、色纯度、光谱的电压稳定性上都得到了显着提高。在相同电压7 V下,尽管底发射具有更大的电流密度,但亮度仅为831 cd/m2,而顶发射器件的亮度则可达到1 350 cd/m2,并且顶发射器件的最高亮度可达到7 112 cd/m2。在效率上,顶发射器件的最大电流效率可达6.54 cd/A,远大于底发射器件的1.89 cd/A。在光谱方面,在底发射器件中出现的红蓝部分的杂光在顶发射器件中完全被抑制,而且顶发射光谱的半高宽显着窄化,具有更高的色纯度。当电压从4 V变化到9 V时,顶发射器件光谱始终保持稳定,色坐标移动仅为(-0.005,-0.001)。结果表明,顶发射结构有利于提高量子点器件的亮度、效率、色纯度以及光谱的电压稳定性。(本文来源于《发光学报》期刊2018年02期）
李敏[5]（2017）在《Tm~(3+)离子掺杂氟、氧化物的助熔剂法合成及其特殊绿光发射的研究》一文中研究指出在研究上转换发光材料的过程中,所使用的合成方法有许多,如高温固相合成法、水热合成法等,但是这些方法都有其自身的不足之处,如高温固相合成法的温度并不是很均匀,得到的样品尺寸大小也不均匀,水热合成法需要相对密闭的反应空间等。为了克服以上缺点,本文选用了助熔剂合成法这一新的合成方法来合成目标产物。助熔剂合成法提供了一个半流动的反应环境,使掺杂离子均匀掺入产物之中。该方法提高了样品的产率,节省了反应时间,获得的目标产物尺寸比较均匀,具有较好的结晶度和纯度。通过助熔剂合成法合成了β-NaYF4单相晶体以及Yb~(3+)/Tm~(3+)或Yb~(3+)/Tm~(3+)/Mn2+掺杂β-NaYF4晶体。X射线粉末衍射(XRD)表征确认了β-NaYF4晶体为六方相,用980 nm的激光器作为光源,用荧光光谱仪(PL)测量的上转换发射光谱表明Yb~(3+)/Tm~(3+)或Yb~(3+)/Tm~(3+)/Mn2+掺杂β-NaYF4晶体具有很强的绿光发射,而其他的合成方法中是无法获得强烈的绿光发射的。在只掺杂一种活化剂(Tm~(3+))离子的情况下能同时获得强烈的红绿蓝叁色光。为了更好地了解改变Tm~(3+)离子能级跃迁几率的原因,在本文中详细的研究了影响晶体合成的因素。研究表明可以通过调整敏化剂(Yb~(3+)和Mn2+)的浓度、反应时间来控制红绿蓝叁色光的相对比例,来获得多色上转换发光和强烈的白光发射。这是在之前的β-NaYF4:Yb,Tm体系中所不能实现的。据我们所知,这是第一次通过改变Tm~(3+)离子的同一能级跃迁几率来研究β-NaYF4:Yb,Tm体系的上转换发光性能。稀土氧化物作为上转换发光较好的主体材料,有较高的化学稳定性,低声子能量(<600cm-1),从而具有良好的上转换发光效率。为了进一步探究助熔剂合成法对氧化物发光材料的影响,助熔剂合成法合成了Yb~(3+)/Tm~(3+)共掺Y2O3样品。通过XRD衍射和扫描电镜(SEM)图片分析,所得样品结晶度较好,无其他杂相。在该体系中,通过改变反应条件(掺杂离子浓度、反应时间和反应原料等)研究影响Yb~(3+),Tm~(3+)双掺Y2O3的发光特性。通过测试表征结果发现,使用直接购买的Y2O3直接合成的Yb~(3+),Tm~(3+)共掺Y2O3可以得到明亮的白光,还可以通过控制反应时间得到多色上转换发光。而用YN3O9·6H2O合成的Yb~(3+),Tm~(3+)共掺Y2O3只得到明亮的蓝光。该研究表明,通过助熔剂法合成Yb~(3+),Tm~(3+)双掺氧化物同样可以得到多色上转换发光和明亮的白光。该研究拓宽了助熔剂合成法合成发光材料的应用。(本文来源于《吉林大学》期刊2017-05-01）
段瑜,张筱丹,孙浩,朱亚安,王光华[6]（2015）在《高亮度顶发射单色绿光OLED微显示器件制备》一文中研究指出通过采用高效磷光体系材料和顶发射有机发光结构,配合自有的SVGA060全数字信号电路系统架构CMOS硅基驱动电路,获得了发光峰位于535 nm的高亮度单色绿光、0.6英寸、800×600分辨率OLED微显示器件,最大亮度可达20000 cd/m~2。其起亮电压为2.6 V,亮度从20 cd/m~2到20000 cd/m~2的驱动电压摆幅为2.7 V,最大电流效率为24.43 cd/A。电流密度为20 m A/cm~2时,色坐标CIEX=0.286、CIEY=0.665。该器件在1000 cd/m~2和500 cd/m~2亮度下的半衰期为42559 h和186208 h。(本文来源于《红外技术》期刊2015年12期）
贾相华,郑友进,尹龙承,黄海亮,姜宏伟[7]（2014）在《退火温度对Cu:ZnO薄膜绿光发射的影响》一文中研究指出利用溶胶-凝胶法在Si衬底上制备了不同退火温度的Cu:ZnO薄膜.利用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电子显微镜和光致发光谱研究了样品的晶格结构、表面形貌、成分及其发光特性.结果表明:所有样品均具有高度的c轴择优取向,随着退火温度的升高,样品的结晶质量变好,样品的表面都被晶粒覆盖,强而稳定的绿光发射被观察到.绿光强度随退火温度的升高先增加后减小,发光中心位置不随退火温度的变化而改变,这样的绿光发射强而稳定.XRD和XPS结果表明,随退火温度的升高Cu2+还原为Cu+,导致Cu:ZnO薄膜形成的缺陷是VZn,所以绿光发射是由VZn引起的.Cu2+还原为Cu+时,Cu:ZnO薄膜中VZn浓度增加,使绿光发射强度增大.当退火温度超过800?C时,Cu2+的还原能力变差,绿光发射强度减弱.(本文来源于《物理学报》期刊2014年16期）
童红双,阮永丰,王帅,王友发[8]（2013）在《Er:BaY_2F_8晶体中绿光发射的温度特性》一文中研究指出利用温度梯度法生长了BaY2F8晶体和Er3+:BaY2F8晶体。测试了Er3+:BaY2F8晶体的室温吸收光谱以及从室温(299 K)到12 K的荧光光谱,分析了温度对Er3+:BaY2F8晶体发光强度的影响。结果表明,在375 nm泵浦光源的激发下,观察到峰值为520 nm和552 nm两种较强的绿光发射,随着温度的升高,520 nm发光峰逐渐增强而552 nm发光峰逐渐减弱;在温度为12 K时,对应于Er3+4I13/2→4I15/2的跃迁处(1.5μm附近)出现多个分立的发射峰,随着温度的升高,这些发光峰逐渐出现展宽并且峰位发生蓝移。最后利用多声子辅助跃迁以及多声子弛豫对于温度的依赖关系来解释上述现象。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2013年06期）
陈岩,王静,张信果,张功国,龚孟廉[9]（2011）在《一种荧光粉转换LED用绿光发射荧光粉:LiSrPO_4:Eu~(2+),Tb~(3+)》一文中研究指出本文采用高温固相法合成了一种新的绿光发射荧光粉LiSrPO_4:Eu~(2+),Tb~(3+)。通过激发与发射光谱、荧光衰减、浓度淬灭等方法系统研究了其发光性质,并进行了绿色LED器件的封装。结果显示:在LiSrPO_4基质中实现了Eu~(2+)到Tb~(3+)的能量传递,得到了Tb~(3+)离子的绿光发射。通过对荧光衰减曲线拟合计算得到最大传递效率是66.4%。由激发光谱可以观察到Eu~(2+)在280-410nm有强的吸收带,这与近紫外芯片(350～420 nm)非常匹配,说明此荧光粉适合近紫外芯片激发。同时,结合370nm的芯片做了器件封装,结果显示,通过Eu~(2+)强的宽带吸收,把能量传递给Tb~(3+)离子,实现了Tb~(3+)离子的绿光发射。从而改善了Tb~(3+)作为发光中心时吸收较弱的缺点,拓展了Tb~(3+)离子在LED领域的应用。(本文来源于《第七届全国稀土发光材料学术研讨会会议论文摘要集》期刊2011-05-12）
顾建秀[10]（2010）在《PVP表面修饰对ZnO纳米粒子绿光和蓝光发射的影响研究》一文中研究指出ZnO可见区发光机制是氧化锌研究当中一个十分重要的问题。虽然许多研究小组对此进行了广泛的研究,但到目前为止仍然没有统一的观点。在本文中,为了研究氧化锌的蓝光和绿光发射的起源,我们用溶胶-凝胶方法,通过调整制备条件,在乙醇相中分别获得了以蓝光发射和以绿光发射为主的ZnO纳米粒子。利用PVP对已制备的ZnO纳米粒子进行表面修饰,进而研究了PVP表面修饰对绿光和蓝光发射的影响。考虑到刚制备出来的一段时间内ZnO纳米粒子的粒径会随溶液的放置时间发生变化并对发光产生影响。我们将溶液在室温下先放置4天,当ZnO纳米粒子的粒径不再发生变化时再分别向其中加入不同浓度的PVP进行表面钝化。对经过PVP表面修饰的ZnO纳米粒子测量了其光致发光谱。结果表明,PVP的加入对绿光发射带的强度并未产生明显的钝化效应,随着PVP浓度的增加,绿光带的强度几乎没有发生变化,表明绿光发射受ZnO纳米粒子表面态的影响非常小。但PVP对ZnO蓝光发射带的钝化效果非常显着,随着PVP浓度的逐渐增加,蓝光发射带的强度明显减小,说明蓝光发射带的起源与ZnO纳米粒子的表面态有密切的关系。已有研究表明,ZnO纳米粒子中的蓝光发射和绿光发射起源于不同的发光中心,且绿光发射表现出明显的量子限制效应,其峰位随粒子尺寸增加明显红移,而蓝光发射峰位则几乎不随粒径变化。另有研究表明,纳米粒子内部的发光受量子尺寸效应的影响较大,而纳米粒子表面的发光则不受量子限制效应的影响。结合前人的结果和本文的实验数据可以得出这样的结论,即ZnO纳米粒子的绿光发射主要来源于其内部的深能级缺陷,而蓝光发射则主要来源于与表面缺陷相关的深能级缺陷。(本文来源于《东北师范大学》期刊2010-05-01）
绿光发射论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
以InGaAs多量子阱为有源区材料,以对抽运光透明的AlGaAs/AlAs为后端分布布拉格反射镜材料,采用后端抽运方式,在腔内插入标准具作为滤波元件,通过腔内倍频,获得小型化可调谐的光抽运外腔面发射绿光激光器。作为滤波元件,标准具可压窄基频光的光谱半峰全宽。为了阻止倍频光返回到增益芯片,标准具镀有倍频光高反膜。激光器的基频光调谐范围超过10 nm,倍频绿光在中心波长559 nm处的调谐范围为4 nm,光谱半峰全宽为1.0 nm,最大输出功率为65 mW。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
绿光发射论文参考文献
[1].周佳玉.无笼中OH~-离子红光到绿光区发射可调的C12A7:Sm,Tb导电荧光粉制备及其光学特性研究[D].东北师范大学.2019
[2].邱小浪,陈雪花,朱仁江,张鹏,郭于鹤洋.小型化可调谐外腔面发射绿光激光器[J].中国激光.2019
[3].蒋丽丹.倍频蓝光/绿光外腔面发射激光器研究[D].重庆师范大学.2018
[4].刘士浩,张祥,张乐天,谢文法.顶发射绿光量子点电致发光器件[J].发光学报.2018
[5].李敏.Tm~(3+)离子掺杂氟、氧化物的助熔剂法合成及其特殊绿光发射的研究[D].吉林大学.2017
[6].段瑜,张筱丹,孙浩,朱亚安,王光华.高亮度顶发射单色绿光OLED微显示器件制备[J].红外技术.2015
[7].贾相华,郑友进,尹龙承,黄海亮,姜宏伟.退火温度对Cu:ZnO薄膜绿光发射的影响[J].物理学报.2014
[8].童红双,阮永丰,王帅,王友发.Er:BaY_2F_8晶体中绿光发射的温度特性[J].人工晶体学报.2013
[9].陈岩,王静,张信果,张功国,龚孟廉.一种荧光粉转换LED用绿光发射荧光粉:LiSrPO_4:Eu~(2+),Tb~(3+)[C].第七届全国稀土发光材料学术研讨会会议论文摘要集.2011
[10].顾建秀.PVP表面修饰对ZnO纳米粒子绿光和蓝光发射的影响研究[D].东北师范大学.2010
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