低温退火形成团簇CdSe棒状结构的实验分析（英文）

论文摘要

为了研究新型纳米结构对发光的影响,实验采用自组装的方法在低温（170℃）退火的条件下成功制备了棒状CdSe微结构阵列,并使用中心波长为365 nm的激光测量了棒状CdSe微结构阵列的荧光光谱.论述了团簇CdSe半导体材料的特性以及其光致发光性质,然后通过对退火后的棒状CdSe微结构阵列的荧光测量,分析实验结果表明:棒状CdSe微结构的长度、直径和阵列间距分别为505.91 nm、 205 nm和309 nm,荧光光谱出现36.16 nm蓝移.而且,按照非平衡态统计物理系统中,基于低温退火对半导体材料产生的影响,通过一维福克-普朗克方程对其形成机理进行了实验分析.这种形成团簇CdSe棒状结构的低温退火方法为未来在新材料制备上提供了一个新的途径.

论文目录

• 1 Introduction
• 2 Experimental
•   2.1 Preparation of rod-like CdSe microstructure sample
•   2.2 Measurement principle
• 3 Results and discussion
•   3.1 Raw material analysis
•   3.2 Formation and analysis
• 4 Conclusions

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 黄兆岭,白忠臣,商业,孙际超,秦水介

关键词: 棒状结构,自组装,低温退火,荧光光谱,蓝移

来源: 原子与分子物理学报 2019年06期

年度: 2019

分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑,信息科技

专业: 材料科学,无线电电子学

单位: 贵州大学机械工程学院,贵州大学贵州省光电子技术及应用重点实验室

基金: 国家国际科技合作专项项目(2014DFA00670),中央指导地方科技支撑项目(QKZYD[2017]4004),贵州省科技支撑项目(QKHZ[2017]2887)

分类号: TN304;TB383.1

页码: 953-958

总页数: 6

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