基于密度泛函理论的单层MoS2纳米材料气敏性能研究

论文摘要

针对由于本征单层二硫化钼纳米材料气敏性能差故不能用作气敏探测的问题,文中采用铝原子替位掺杂材料表面硫原子的方法,改善了材料表面无悬挂键的固有缺陷,从而提升了气敏性。通过对基底进行形成能和电子结构的计算,发现了材料导电性能的提升并证实了掺杂处理实验的可操作性。对其表面进行气体分子的吸附计算的结果显示材料的气敏性能获得极大提升,尤其对于氨气分子,吸附能达到-2. 31 eV,电子转移提升至0. 38e,吸附长度减小至1. 978?,证明材料对氨气具有良好的选择性。

论文目录

• 1 模型与计算方法
• 2 计算结果与分析
•   2.1 未吸附状态下单层Al-MoS2特性研究
•     2.1.1 形成能和键布居
•     2.1.2 几何构型
•     2.1.3 能带结构和态密度
•   2.2 吸附状态下单层Al-MoS2特性研究
•     2.2.1 吸附能和几何构型
•     2.2.2 电子转移
•     2.2.3 态密度
• 3 结束语

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 臧道俊,李运祥,徐帅,王岩

关键词: 单层二硫化钼,掺杂处理,第一性原理,能带结构,态密度,气敏性能

来源: 电子科技 2019年01期

年度: 2019

分类: 信息科技,工程科技Ⅰ辑

专业: 化学,环境科学与资源利用

单位: 江苏大学机械工程学院,苏州大学物理与光电·能源学部

基金: 国家自然科学基金(51575246),江苏省六大人才高峰项目(JXQC-006)~~

分类号: X831;O647.3

DOI: 10.16180/j.cnki.issn1007-7820.2019.01.002

页码: 5-10

总页数: 6

文件大小: 1825K

下载量: 225