大片单层低缺陷MXene的制备及其膜材料的电磁屏蔽性能

论文摘要

采用原位生成氢氟酸法刻蚀Ti3AlC2制备了单片层二维过渡金属碳化物（MXene）,用扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）及原子力显微镜（AFM）等表征了MXene的微观形貌.结果表明,所制备的MXene材料具有大片、单层及低缺陷等特点.通过抽滤MXene分散液制备的MXene膜材料具有导电性高（3280 S/cm）及韧性优异等特点.MXene膜的屏蔽性能测试结果表明,8μm厚的MXene膜屏蔽效能为60.6d B,SSE/t值则高达19531.1 d B·cm2·g-1.推测MXene膜的屏蔽机理是一种以吸收为主的电磁干扰屏蔽机制.

论文目录

• 1 实验部分
•   1.1 试剂与仪器
•   1.2 实验过程
• 2 结果与讨论
•   2.1 MXene的微观结构表征
•   2.2 MXene的化学组成
•   2.3 MXene膜的宏观形态及柔韧性
•   2.4 MXene膜的导电性
•   2.5 MXene膜的电磁屏蔽性能
•   2.6 MXene膜的电磁屏蔽机理分析
• 3 结论

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 吕通,张恩爽,原因,樊志敏,马向雨,成中军,刘宇艳,宫元勋,赵宏杰

关键词: 屏蔽材料,大片,高性能

来源: 高等学校化学学报 2019年10期

年度: 2019

分类: 工程科技Ⅰ辑

专业: 材料科学

单位: 航天特种材料及工艺技术研究所,哈尔滨工业大学化工与化学学院,新能源转换与储存关键材料技术工业和信息化部重点实验室,哈尔滨工业大学基础与交叉科学研究院

基金: 国家自然科学基金(批准号:51803203)资助~~

分类号: TB34

页码: 2059-2066

总页数: 8

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