论文摘要
为研究场效应管火灾危险性以及形成的痕迹特征,以常见的MOSFET为研究对象分别进行发热和击穿试验,并分析形成的痕迹特征。试验结果表明:MOSFET发热主要与驱动电压、开关频率和散热设计有关,当驱动电压不足、开关频率高或散热设计差时会导致MOSFET发热增大;MOSFET击穿放电会伴随强烈的电弧,甚至可引发明火,在击穿后大部分S极上部壳体留下明显的击穿痕迹,同时各极之间电阻值明显降低。试验结果可为相关痕迹鉴定提供技术方法。
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文章来源
类型: 期刊论文
作者: 吕忠,阳世群,高鹏
关键词: 场效应管,火灾危险性,发热,击穿,痕迹鉴定,火灾调查
来源: 消防科学与技术 2019年12期
年度: 2019
分类: 工程科技Ⅱ辑,工程科技Ⅰ辑
专业: 安全科学与灾害防治
单位: 应急管理部四川消防研究所
基金: 公安部四川消防研究所基本科研业务费专项项目（T2018880104)
分类号: X928.7
页码: 1789-1792
总页数: 4
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