导读:本文包含了电阻突变论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:电阻,突变,薄膜,电流,磁控溅射,曲率,常数。
电阻突变论文文献综述
贾科,王聪博,毕天姝,朱瑞,李猛[1]（2018）在《考虑过渡电阻影响的柔性直流配电系统电流突变量保护》一文中研究指出柔性直流配电系统中,直流故障下,其换流器自身保护的闭锁速度快,有效故障信息极少,系统保护需要高速检测故障。基于有限的故障暂态信号,研究快速、准确识别故障区域的保护是直流配电系统发展的迫切需求。因此,提出了一种适用于多端柔性直流配电系统的暂态量保护。利用直流双极短路故障后的直流电流波形变化特征,计算电流波形曲率并以此为判据,与电流突变量(di/dt)算法相结合,实现不同过渡电阻故障的快速、可靠识别。该保护基于本地测量实现直流线路保护,计算量小,解决了传统电流突变量保护受过渡电阻故障影响无法正确动作的问题。最后,在PSCAD中搭建精细化多端柔性直流配电系统仿真模型,验证了所提出的电流波形曲率保护方法的动作性能,保障了直流配电系统的安全可靠运行。(本文来源于《电网技术》期刊2018年10期）
杨闰,高鹏,杨昌平[2]（2015）在《电循环作用下CaCu_3Ti_4O_(12)的电阻突变行为研究》一文中研究指出用电循环处理方法研究空气烧结CaCu3Ti4O12陶瓷样品的I-V特性曲线与样品缺陷之间的关系.结果表明,通过电循环处理,CaCu3Ti4O12的电阻随循环次数增加而减小,在特定温度和电压下出现电阻突然减小,I-V特性曲线从非线性转变为欧姆线性的奇特行为,这是CaCu3Ti4O12研究中观察到的新现象.I-V曲线说明发生电阻突变时样品温度与电压的关系满足线性关系,通过高低电阻随温度的变化拟合得到CaCu3Ti4O12的晶粒、晶界激活能分别为0.06 eV、0.56 eV.(本文来源于《湖北大学学报(自然科学版)》期刊2015年05期）
王安,许卫东,张豹山,杨骏堂,崔光振[3]（2015）在《磁控溅射法制备VO_2薄膜及电阻突变测试》一文中研究指出基于常温反应磁控溅射和热处理工艺,在硅片(100)衬底上,制备出了具有相变特性的二氧化钒(VO2)薄膜,采用XRD、SEM对薄膜的物相结构、表面形貌进行了表征。热处理后,薄膜晶粒开始生长,在2θ=27.9°、37.1°、42.3°分别出现了VO2的(011)、(200)、(210)衍射峰,薄膜形貌均匀致密。对薄膜的方块电阻进行了变温测试,相变前后薄膜电阻突变量达叁个数量级,具有很好的半导体-金属相变特性。文中还对VO2薄膜在伪装领域的应用前景进行了分析。(本文来源于《光电技术应用》期刊2015年03期）
庄双勇,吕燕,何睿[4]（2015）在《一种高精度多功能校准源电阻突变问题的处理》一文中研究指出多功能校准源5720A是一台能输出直流电阻、直流电压、直流电流、交流电压、交流电流5项参数的高精度测量标准。针对1台多功能校准源5720A发生电阻突变的问题,通过原器校准对其进行校准,采用校准核查的方法对其电阻输出的稳定性进行考核,采用检定法和比对法两种方法对多功能校准源的技术指标进行验证。结果表明,5720A的电阻技术指标合格、输出稳定性符号要求,证明该处理方法实用可行,不仅大大节约了维修费用,而且还最大限度缩短维修周期,可对解决此类仪器设备电阻突变及其他故障问题提供参考。(本文来源于《电子测量技术》期刊2015年02期）
解蕾,莫阮清,金琪[5]（2014）在《接地电阻突变电流监测装置的应用》一文中研究指出随着城市电网的进一步建设和改造,电缆在输电线路的比重逐日增长,电力系统的容性电流随之增大,使得中性点经电阻接地方式得到了越来越广泛的应用。常规零流保护无法反映大阻值过渡电阻接地和间接性接地,接地电阻上流经的电流若长时间存在可能会引起电阻烧毁。因此,监测接地电阻上的突变电流及其运行工况成为了一个急需重视的问题。(本文来源于《大众用电》期刊2014年04期）
郑理,董海,项尚林,王博[6]（2014）在《电阻突变法研究厌氧浸渗剂固化的影响因素》一文中研究指出采用甲基丙烯酸月桂酯、双甲基丙烯酸二缩叁乙二醇酯、过氧化二异丙苯、邻苯甲酰磺酰亚胺、N,N-二甲基邻苯胺和萘醌为原料制备厌氧浸渗剂,采用提拉法和电阻突变法测量固化时间,并通过正交试验优化各组分用量,考察各组分用量对浸渗剂的固化时间、固化后胶棒硬度的影响。结果表明:电阻突变法测得的厌氧浸渗剂固化时间比提拉法测得的时间短;其各组分最合适用量为:甲基丙烯酸月桂酯82.484%,双甲基丙烯酸二缩叁乙二醇酯14.556%,过氧化二异丙苯0.970%,邻苯甲酰磺酰亚胺0.728%,N,N-二甲基邻苯胺1.213%,萘醌0.049%。在该组分下浸渗剂电阻突变法固化时间为593 s,固化后胶棒邵氏A硬度为92。(本文来源于《南京工业大学学报(自然科学版)》期刊2014年01期）
马兰,杨绍利,高仕忠[7]（2010）在《多种杂质对VO_2薄膜电阻突变性能的影响》一文中研究指出理论上计算了VO_2薄膜点阵常数的变化及杂质对VO_2薄膜晶体中键长的影响,研究了K、Na、Fe、Si等多种杂质离子对VO_2晶体点阵常数和键长的影响。结果表明,杂质使VO_2薄膜晶体中的键长伸长,点阵常数增大,晶体结构稳定性降低,电阻突变温度降低,电阻突变数量级减小。(本文来源于《材料导报》期刊2010年S2期）
钱维忠,姚建歆,宋若槑,张建民[8]（2007）在《中性点接地电阻的突变电流监测》一文中研究指出阐述了中性点经小电阻接地系统发生单相接地时的突变电流对中性点接地电阻故障的影响,以及中性点接地电阻突变电流监测对评价中性点电阻工况的作用。提供了中性点电阻的突变电流检测记录方法,并对中性点接地电阻的工况进行监测分析,为检修提供了依据。(本文来源于《华东电力》期刊2007年09期）
赵力丁[9]（2006）在《氧化钒薄膜的掺杂及电阻突变特性研究》一文中研究指出VO2是一种相变型金属氧化物,随温度的升高,在相变温度(Tc=68℃)发生从低温单斜结构向高温四方金红石结构的转变,同时,伴随着电阻率和红外光透过率的突变。这一特有的性质使VO_2在众多领域具有好的应用前景。从上世纪八十年代开始的对VO_2的掺杂研究表明:掺杂能明显改变VO_2薄膜的相变温度,进而影响其光电性能。因为VO_2的应用中绝大多数都要求其相变温度接近室温,所以是否可以通过掺杂手段使其相变温度降至室温附近,并使掺杂薄膜的性能发生有利于应用要求的相应变化是近来VO_2薄膜掺杂改性的研究主题。针对VO_2薄膜的研究发展动向和实践的需要,本论文主要在掺入不同价态的过渡金属杂质(Zr4+以及Cr~(3+)对VO_2薄膜性能产生的影响等方面进行了基础研究。具体而言,本论文从事的主要工作如下:(1)本文首先利用无机溶胶-凝胶法制备了含有4价锆的VO_2薄膜,通过改变掺杂浓度,测定了在不同掺杂浓度下VO_2薄膜的电阻-温度关系曲线。在此基础上,本文进一步探讨了掺杂浓度与VO_2薄膜相变温度、电阻突变数量级以及热滞宽度的关系。实验结果表明:随Zr含量的增加,VO_2薄膜的半导体-金属转变温度和电阻突变数量级呈线性下降,同时,随掺杂量的增加,VO_2薄膜的热滞宽度的变化规律是先减小后增大。(2)本文以掺锆为例,探讨了不同的真空退火温度对VO_2薄膜的相变温度、电阻突变数量级以及热滞宽度有何影响。通过对比不同退火温度下的测试结果可知:经450℃退火后的掺杂VO_2薄膜与其它退火温度所得的VO_2薄膜相比,具有较低的相变温度以及较为明显的电阻突变数量级。因此,在350～500℃之间,VO_2薄膜的最佳退火温度为450℃。(3)最后,本文采用无机溶胶-凝胶法制备了含有3价铬的VO_2薄膜,研究了其掺杂量与电阻突变特性的关系。经测试发现,在开始阶段,随Cr~(3+)浓度地增加,VO_2薄膜的相变温度降低,当Cr~(3+)浓度达到一定值之后,其相变温度随浓度地升高而迅速上升。同时,VO_2薄膜的电阻突变量随Cr~(3+)浓度地增加而减小。而热滞宽度的变化规律是先增大后减小。(本文来源于《电子科技大学》期刊2006-05-01）
杨绍利,徐楚韶,陈厚生,胡再勇[10]（2002）在《工业VO_2薄膜的电阻突变及其稳定性》一文中研究指出以工业V2 O5为原料 ,采用热分解法和还原法制备工业VO2 薄膜。研究了制备工艺参数对电阻突变的影响及其在自然放置条件下的稳定性。结果表明 :1)VO2 薄膜的电阻突变达到了 2 .0～ 3.4个数量级 ,突变温度约为 35℃ ,比纯VO2 薄膜突变温度约低 33℃ ;2 )石英玻璃上的VO2 薄膜的电阻突变数量级比普通玻璃上的大 ;3)H2 还原法制备的VO2 薄膜电阻突变数量级比N2 热分解法制备的大 ;4)在自然放置条件下短时间内VO2 薄膜可承受连续、反复多次的电阻突变 ,其突变数量级降低不多 ,突变温度滞后几乎没有变化 ;5 )同等条件下石英玻璃上的VO2 薄膜的电阻突变数量级降低较小、稳定性较好(本文来源于《中国有色金属学报》期刊2002年05期）
电阻突变论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
用电循环处理方法研究空气烧结CaCu3Ti4O12陶瓷样品的I-V特性曲线与样品缺陷之间的关系.结果表明,通过电循环处理,CaCu3Ti4O12的电阻随循环次数增加而减小,在特定温度和电压下出现电阻突然减小,I-V特性曲线从非线性转变为欧姆线性的奇特行为,这是CaCu3Ti4O12研究中观察到的新现象.I-V曲线说明发生电阻突变时样品温度与电压的关系满足线性关系,通过高低电阻随温度的变化拟合得到CaCu3Ti4O12的晶粒、晶界激活能分别为0.06 eV、0.56 eV.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
电阻突变论文参考文献
[1].贾科,王聪博,毕天姝,朱瑞,李猛.考虑过渡电阻影响的柔性直流配电系统电流突变量保护[J].电网技术.2018
[2].杨闰,高鹏,杨昌平.电循环作用下CaCu_3Ti_4O_(12)的电阻突变行为研究[J].湖北大学学报(自然科学版).2015
[3].王安,许卫东,张豹山,杨骏堂,崔光振.磁控溅射法制备VO_2薄膜及电阻突变测试[J].光电技术应用.2015
[4].庄双勇,吕燕,何睿.一种高精度多功能校准源电阻突变问题的处理[J].电子测量技术.2015
[5].解蕾,莫阮清,金琪.接地电阻突变电流监测装置的应用[J].大众用电.2014
[6].郑理,董海,项尚林,王博.电阻突变法研究厌氧浸渗剂固化的影响因素[J].南京工业大学学报(自然科学版).2014
[7].马兰,杨绍利,高仕忠.多种杂质对VO_2薄膜电阻突变性能的影响[J].材料导报.2010
[8].钱维忠,姚建歆,宋若槑,张建民.中性点接地电阻的突变电流监测[J].华东电力.2007
[9].赵力丁.氧化钒薄膜的掺杂及电阻突变特性研究[D].电子科技大学.2006
[10].杨绍利,徐楚韶,陈厚生,胡再勇.工业VO_2薄膜的电阻突变及其稳定性[J].中国有色金属学报.2002
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