MI3（M=Bi,Sb,As）弹性和电子性质的第一性原理研究

论文摘要

采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势计算方法,对比研究了菱方结构MI3（M=Bi,Sb,As）的弹性和电子性质。结果表明:SbI3的生成焓最低,较BiI3、AsI3更易生成。这三种材料都体现了弹性各向异性特征。SbI3是偏延性材料,BiI3和AsI3是脆性材料。高压下AsI3更容易被压缩。德拜温度的大小关系依次为SbI3> BiI3> AsI3。MI3（M=Bi,Sb,As）都是间接带隙半导体,电子的局域程度较强。在费米能级附近,I-5p轨道电子和金属M-s轨道电子发生杂化,形成共价键。MI3（M=Bi,Sb,As）中的化学键是共价键和离子键的混合。

论文目录

• 1 引言
• 2 计算方法与晶体结构
•   2.1 计算方法
•   2.2 晶体结构
• 3 结果与讨论
•   3.1 几何结构优化结果
•   3.2 弹性性质
•   3.3 电子结构性质
• 4 结论

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 孙霄霄

关键词: 第一性原理,弹性性质,电子结构

来源: 人工晶体学报 2019年01期

年度: 2019

分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑

专业: 化学

单位: 牡丹江师范学院物理与电子工程学院

基金: 黑龙江省教育厅科学技术研究项目(1352MSYYB013)

分类号: O641.1

DOI: 10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2019.01.018

页码: 110-116

总页数: 7

文件大小: 1043K

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