论文摘要
物质传输是影响热再生氨电池（Thermally Regenerative Ammonia-Based Battery, TRAB）性能的一个重要因素,本文构建了基于不同传质方式的TRAB电池结构,研究了传质方式、电解液流量及氨浓度对TRAB性能的影响。研究结果表明,阴、阳极均采用蛇形流场板的TRAB性能（最大功率为71.8 mW）最佳,比阴、阳极单侧采用流场板的TRAB （67.0 mW）和双侧均采用双腔室的TRAB性能（44.4 mW）分别约高出了7.2%和61.7%对于阴、阳极均采用流场板的TRAB而言,电池性能随着电解液流量和氨浓度的增加均呈现先增后降的变化规律。
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 李彦翔,张亮,朱恂,李俊,付乾,廖强,李艳
关键词: 热再生氨电池,物质传输,蛇形流场板,电解液流量
来源: 工程热物理学报 2019年03期
年度: 2019
分类: 工程科技Ⅱ辑,工程科技Ⅰ辑
专业: 无机化工,电力工业
单位: 重庆大学低品位能源利用及系统教育部重点实验室,重庆大学工程热物理研究所
基金: 国家自然科学基金青年项目(No.51606022),重庆市基础科学与前沿技术项目(No.cstc2017jcyjAX0203),重庆市留学人员创业创新支持计划创新资助重点项目(No.cx2017020),中央高校基本科研业务费(No.10611 2016CDJXY 145504),低品位能源利用技术及系统教育部重点实验室固定人员科研基金资助(No.LLEUTS-2018005)
分类号: TM911.4
页码: 668-671
总页数: 4
文件大小: 715K
下载量: 72
相关论文文献
- [1].一种高压功率器件场板技术的改进与设计[J]. 微电子学 2015(02)
- [2].采用多晶硅场板降低单光子雪崩二极管探测器暗计数[J]. 物理学报 2020(14)
- [3].近场板在无线电能传输系统中的应用[J]. 天津师范大学学报(自然科学版) 2017(06)
- [4].X波段AlGaN/GaN HEMTs Γ栅场板结构研究[J]. 电子器件 2008(06)
- [5].X波段AlGaN/GaN HEMTs Γ栅场板结构研究(英文)[J]. 半导体技术 2008(10)
- [6].具有多阶场板的300V薄层SOI RESURF nLDMOS设计[J]. 微电子学 2013(06)
- [7].具有L型栅极场板的双槽双栅绝缘体上硅器件新结构[J]. 电子学报 2018(05)
- [8].具有纵向源极场板的绝缘体上硅器件新结构[J]. 固体电子学研究与进展 2017(02)
- [9].微型直接甲醇燃料电池流场板内多相流动分析[J]. 重庆大学学报 2009(10)
- [10].IGBT多级场板终端结构的仿真和验证[J]. 固体电子学研究与进展 2013(01)
- [11].具有垂直漏极场板的GaN HEMT器件结构设计[J]. 杭州电子科技大学学报(自然科学版) 2019(04)
- [12].具有单层浮空场板的高压LDMOS器件研究[J]. 电子与封装 2015(08)
- [13].栅源双场板对GaNHEMT器件性能的影响[J]. 功能材料与器件学报 2014(01)
- [14].场板抑制GaN高电子迁移率晶体管电流崩塌的机理研究[J]. 物理学报 2011(01)
- [15].接地气者得民心[J]. 曲艺 2014(11)
- [16].具有L型源极场板的双槽绝缘体上硅高压器件新结构[J]. 物理学报 2014(23)
- [17].AlGaN/GaN场板结构高电子迁移率晶体管的场板尺寸优化分析[J]. 物理学报 2008(04)
- [18].单区JTE加场板终端结构的优化设计[J]. 电子元件与材料 2016(11)
- [19].考虑场板边缘效应的SOI-pLDMOS表面电场模型及器件优化设计[J]. 东南大学学报(自然科学版) 2015(02)
- [20].一种带有浮空阶梯场板的AlGaN/GaN SBD仿真[J]. 哈尔滨商业大学学报(自然科学版) 2018(04)
- [21].采用双层栅极场板结构的LDMOS器件优化设计[J]. 电子元件与材料 2016(08)
- [22].莫要轻言拒绝[J]. 少先队小干部 2013(04)
- [23].p-GaN栅结构GaN HEMT的场板结构研究[J]. 半导体技术 2013(11)
- [24].具有场板结构的AlGaN/GaN HEMT的直流特性[J]. 半导体学报 2008(03)
- [25].PEMFC流场板流体压降研究[J]. 电源技术 2018(08)
- [26].具有纵向漏极场板的低导通电阻绝缘体上硅横向双扩散金属氧化物半导体器件新结构[J]. 物理学报 2014(10)
- [27].渤海大学自主知识产权(十四)[J]. 渤海大学学报(自然科学版) 2010(03)
- [28].电阻场板LDMOS表面电场解析模型及优化设计[J]. 固体电子学研究与进展 2008(02)
- [29].新结构GaN HEMT器件机理及电流崩塌效应研究[J]. 电力电子技术 2020(10)
- [30].高工作电压GaAs HFET[J]. 固体电子学研究与进展 2019(02)