导读:本文包含了形貌术论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:形貌,晶体,微管,小角,缺陷,射线,单色光。
形貌术论文文献综述
胡小波[1]（2015）在《基于同步辐射白光形貌术和X射线迹线法的6H-SiC单晶结构缺陷研究》一文中研究指出[目的]SiC材料结构缺陷的检测和控制是实现材料应用的关键环节,因此本文对6H-SiC单晶中的结构缺陷进行研究。[方法]采用同步辐射白光形貌术观察6H-SiC单晶中的基本螺位错和基平面弯曲,并利用X射线迹线法模拟基本螺位错的形貌和基平面弯曲后衍射斑点的形状。[结果]6H-SiC单晶中的典型结构缺陷之一为基本螺位错,它的形貌特征为白色的圆斑;由于热弹应力的存在,6H-SiC单晶在生长过程中容易发生基平面弯曲,结果导致衍射斑点的形状发生改变。[结论]同步辐射白光形貌术和X射线迹线法可以用于检测6H-SiC单晶结构缺陷;样品的基本螺位错密度为1.56×10~4/cm~2,基平面弯曲半径近似为1m。(本文来源于《广西科学》期刊2015年05期）
孙士文,隋淞印,何力,周昌鹤,虞慧娴[2]（2014）在《X射线衍射形貌术在碲锌镉晶体中的应用》一文中研究指出碲锌镉晶体中存在着各种典型晶体缺陷,X射线衍射形貌术是一种非破坏性地整体研究晶体材料结构完整性、均匀性的有效方法。本文将反射式X射线衍射形貌术应用于碲锌镉晶体质量的评价,研究了入射线狭缝宽度、积分时间、扫描步长等测试参数以及样品表面加工状态对X射线衍射形貌的影响。结果表明入射线狭缝宽度对碲锌镉晶体的X射线衍射成像及晶体质量筛选应用影响很大,积分时间、样品扫描步长等测试参数的选择与入射线狭缝宽度密切相关。(本文来源于《激光与红外》期刊2014年11期）
宋生,崔潆心,杨昆,徐现刚,胡小波[3]（2013）在《同步辐射白光形貌术定量计算晶体的残余应力》一文中研究指出提出了一种利用同步辐射白光形貌术定量计算晶体残余应力的方法。晶体的残余应力与晶格畸变之间存在定量关系,衍射斑点的畸变程度可以反映晶格的畸变量,据此可以计算晶体中的残余应力。文中以碳化硅单晶样品残余应力的定量计算作为实例,展示了实验方法和计算过程。结果表明该样品的残余应力以正应力为主。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2013年12期）
姜守振,黄先荣,胡小波,李娟,陈秀芳[4]（2006）在《同步辐射背反射白光形貌术观察6H-SiC单晶中的小角晶界和微管》一文中研究指出利用同步辐射X射线形貌术对升华法生长的6H-SiC(0001)晶片中的小角晶界与微管缺陷进行了研究。小角晶界在同步辐射中的形貌成直线沿〈11-00〉方向分布。根据螺位错附近的应变场和衍射几何,模拟了基本Burgers矢量大小的螺位错在同步辐射形貌像中的衍衬像,模拟结果与实验结果符合较好。据此指认了基本螺位错,并确定了微管Burgers矢量的大小。(本文来源于《功能材料》期刊2006年12期）
李现祥,董捷,胡小波,李娟,姜守振[5]（2006）在《同步辐射白光形貌术观察SiC单晶中的微小多型结构》一文中研究指出采用同步辐射白光形貌术观察了6H和4H-SiC单晶片中的微小多型结构。基于透射同步辐射形貌术的衍射几何和晶片的取向,计算了SiC晶体中3种主要多型在Lane像中对应不同反射的成像位置,并与实际结果进行了比较。鉴别出6H和4H-SiC单晶中分别存在着少量的4H-SiC和15R-SiC多型的寄生生长。(本文来源于《功能材料》期刊2006年04期）
饶晓方,张学峰,黄万霞[6]（2004）在《LiTaO_3晶体同步辐射白光形貌术的完整性研究》一文中研究指出钽酸锂晶体(LiTaO3)是一种典型的非化学计量比晶体,通常使用的同成分LiTaO3的n(Li)∶n(Ta)约为48.6∶51.3.从同成分熔体中提拉生长同成分LiTaO3,采用同步辐射白光形貌术对同成分LiTaO3的完整性进行分析,结果表明:同成分LiTaO3中存在较多的小角晶界.讨论了小角晶界在晶体中的分布,分析了其形成原因和改进方法;同时采用同步辐射白光形貌术进一步观察到同成分LiTaO3中组分不均匀,采用DTA(差热分析法)分析组分不均匀区域,结果显示组分不均匀区域的Curie(居里)温度不同,这表明晶体中Li+分布不均匀.(本文来源于《宁夏工程技术》期刊2004年04期）
丁嘉瑄,徐家跃,肖敬忠,田玉莲,朱佩平[7]（2004）在《应用同步辐射白光形貌术研究Nd:SGG晶体的缺陷》一文中研究指出应用同步辐射X射线形貌术对坩埚下降法生长的Nd:SGG晶体的缺陷进行了研究。观察到该晶体中存在较为明显的镶嵌结构晶界缺陷和位错缺陷,并分析了上述缺陷的形成原因。对提高Nd:SGG晶体质量、改进生长工艺具有一定的参考价值。(本文来源于《核技术》期刊2004年07期）
胡小波,徐现刚,李现祥,董捷,韩荣江[8]（2004）在《同步辐射单色光形貌术观察6H-SiC单晶中的微管缺陷》一文中研究指出采用同步辐射单色光形貌术观察了 6H SiC单晶中的微管缺陷 ,发现晶片中Burgers矢量为 1c的螺位错具有较高的密度。此外 ,还观察到对应较大Burgers矢量的微管。基于微管附近的应变场 ,并根据衍射几何 ,模拟计算了一系列具有不同Burgers矢量的微管在形貌像中的直径 ,计算结果与实验观察符合较好(本文来源于《人工晶体学报》期刊2004年03期）
胡小波,张怀金,王继扬,江怀东,滕冰[9]（2001）在《同步辐射形貌术观察GdCa_4O(BO_3)_3晶体中的小角晶界》一文中研究指出采用Czochralski 法,我们成功地生长了大尺寸GdCa_4O(BO_3)_3单晶。在对晶体的完整性进行检测的过程中发现:晶体中存在亚晶界,该晶界贯穿整个大单晶。由于亚晶界两边的单体存在取向差,在同步辐射形貌像中可观察到像漂移。根据高分辨X 射线衍射所确定的取向差,我们计算了对应几个典型衍射的形貌像漂移,计算结果与从形貌像中测量的结果符合得很好。(本文来源于《第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集》期刊2001-10-01）
牟其善,张杰,官文栎,彭祖建,李可[10]（2001）在《利用同步辐射形貌术研究晶体缺陷的实验方法探讨》一文中研究指出利用同步辐射 X射线形貌术研究晶体缺陷 ,是近年来发展起来的一种优良的实验方法 .本文在研究LNP等晶体缺陷的同时 ,对这种实验方法进行了系统的探讨 ,讨论了散射光的消除、焦距的选择、样品的透明度与厚度、曝光的时间、底片的冲洗等问题 ,以及在缺陷研究中对晶体衍射的劳厄斑点的选取依据(本文来源于《物理实验》期刊2001年07期）
形貌术论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
碲锌镉晶体中存在着各种典型晶体缺陷,X射线衍射形貌术是一种非破坏性地整体研究晶体材料结构完整性、均匀性的有效方法。本文将反射式X射线衍射形貌术应用于碲锌镉晶体质量的评价,研究了入射线狭缝宽度、积分时间、扫描步长等测试参数以及样品表面加工状态对X射线衍射形貌的影响。结果表明入射线狭缝宽度对碲锌镉晶体的X射线衍射成像及晶体质量筛选应用影响很大,积分时间、样品扫描步长等测试参数的选择与入射线狭缝宽度密切相关。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
形貌术论文参考文献
[1].胡小波.基于同步辐射白光形貌术和X射线迹线法的6H-SiC单晶结构缺陷研究[J].广西科学.2015
[2].孙士文,隋淞印,何力,周昌鹤,虞慧娴.X射线衍射形貌术在碲锌镉晶体中的应用[J].激光与红外.2014
[3].宋生,崔潆心,杨昆,徐现刚,胡小波.同步辐射白光形貌术定量计算晶体的残余应力[J].人工晶体学报.2013
[4].姜守振,黄先荣,胡小波,李娟,陈秀芳.同步辐射背反射白光形貌术观察6H-SiC单晶中的小角晶界和微管[J].功能材料.2006
[5].李现祥,董捷,胡小波,李娟,姜守振.同步辐射白光形貌术观察SiC单晶中的微小多型结构[J].功能材料.2006
[6].饶晓方,张学峰,黄万霞.LiTaO_3晶体同步辐射白光形貌术的完整性研究[J].宁夏工程技术.2004
[7].丁嘉瑄,徐家跃,肖敬忠,田玉莲,朱佩平.应用同步辐射白光形貌术研究Nd:SGG晶体的缺陷[J].核技术.2004
[8].胡小波,徐现刚,李现祥,董捷,韩荣江.同步辐射单色光形貌术观察6H-SiC单晶中的微管缺陷[J].人工晶体学报.2004
[9].胡小波,张怀金,王继扬,江怀东,滕冰.同步辐射形貌术观察GdCa_4O(BO_3)_3晶体中的小角晶界[C].第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集.2001
[10].牟其善,张杰,官文栎,彭祖建,李可.利用同步辐射形貌术研究晶体缺陷的实验方法探讨[J].物理实验.2001
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