全文摘要
本实用新型公开了一种矽晶片切割装置,立梁固定于底板的其中一侧边，立梁的上端设置有两个间隔分布的第一导轨，第一滑块滑动连接于所述第一导轨，第一滑块的上部设置有两个间隔分布的第二导轨，第二滑块滑动连接于第二导轨，激光切割器安装于第二滑块的下部；底板上安装有伺服电机，伺服电机的输出端安装有吸盘组件，吸盘组件上设置有多个吸盘，负压泵连通于吸盘组件。本实用新型有益效果：本实用新型第一滑块沿第一导轨纵向移动，第二滑块沿第二导轨横向移动，使得激光切割器多方位移动，便于切割，伺服电机带动矽晶片旋转，转换方向，负压泵为吸盘组件提供负压力，吸盘用于吸住矽晶片起到固定作用。
主设计要求
1.一种矽晶片切割装置,其特征在于：包括底板(1)、立梁(2)、第一导轨(5)、第二导轨(6)、第一滑块(3)、第二滑块(4)、负压泵和激光切割器(7)，所述立梁(2)固定于所述底板(1)的其中一侧边，所述立梁(2)的上端设置有两个间隔分布的所述第一导轨(5)，所述第一滑块(3)滑动连接于所述第一导轨(5)，所述第一滑块(3)的上部设置有两个间隔分布的所述第二导轨(6)，所述第二滑块(4)滑动连接于所述第二导轨(6)，所述激光切割器(7)安装于所述第二滑块(4)的下部；所述底板(1)上安装有伺服电机(8)，所述伺服电机(8)的输出端安装有吸盘组件(9)，所述吸盘组件(9)上设置有多个吸盘(10)，所述负压泵连通于所述吸盘组件(9)。
设计方案
1.一种矽晶片切割装置,其特征在于：包括底板(1)、立梁(2)、第一导轨(5)、第二导轨(6)、第一滑块(3)、第二滑块(4)、负压泵和激光切割器(7)，所述立梁(2)固定于所述底板(1)的其中一侧边，所述立梁(2)的上端设置有两个间隔分布的所述第一导轨(5)，所述第一滑块(3)滑动连接于所述第一导轨(5)，所述第一滑块(3)的上部设置有两个间隔分布的所述第二导轨(6)，所述第二滑块(4)滑动连接于所述第二导轨(6)，所述激光切割器(7)安装于所述第二滑块(4)的下部；所述底板(1)上安装有伺服电机(8)，所述伺服电机(8)的输出端安装有吸盘组件(9)，所述吸盘组件(9)上设置有多个吸盘(10)，所述负压泵连通于所述吸盘组件(9)。
2.如权利要求1所述的一种矽晶片切割装置，其特征在于：所述立梁(2)的一端安装有第一伸缩气缸(12)，所述第一伸缩气缸(12)的输出端固定于所述第一滑块(3)。
3.如权利要求2所述的一种矽晶片切割装置，其特征在于：所述第一滑块(3)的其中一端安装有第二伸缩气缸(13)，所述第二伸缩气缸(13)的输出端固定于所述第二滑块(4)。
4.如权利要求3所述的一种矽晶片切割装置，其特征在于：所述第一伸缩气缸(12)和第二伸缩气缸(13)均连通有气泵。
5.如权利要求4所述的一种矽晶片切割装置，其特征在于：所述负压泵、气泵和伺服电机(8)均电连接有控制器。
6.如权利要求4所述的一种矽晶片切割装置，其特征在于：所述第二滑块(4)的下部设置有限位器(11)。
7.如权利要求4所述的一种矽晶片切割装置，其特征在于：所述底板(1)的上端面涂装有一层激光反辐射涂层。
设计说明书
技术领域
本实用新型涉及矽晶片技术领域,尤其是一种矽晶片切割装置。
背景技术
元素硅是一种灰色、易碎、四价的非金属化学元素。地壳成分中27.8％是硅元素构成的，仅次于氧元素含量排行第二，硅是自然界中比较富的元素。在石英、玛瑙、燧石和普通的滩石中就可以发现硅元素。硅晶片又称晶圆片，是由硅锭加工而成的，通过专门的工艺可以在硅晶片上刻蚀出数以百万计的晶体管，被广泛应用于集成电路的制造，半导体或芯片是由硅生产出来的。晶圆片上刻蚀出数以百万计的晶体管，这些晶体管比人的头发要细小上百倍。半导体通过控制电流来管理数据，形成各种文字、数字、声音、图像和色彩。它们被广泛用于集成电路，并间接被地球上的每个人使用。这些应用有些是日常应用，如计算机、电信和电视，还有的应用于先进的微波传送、激光转换系统、医疗诊断和治疗设备、防御系统和NASA航天飞机。随着社会的发展，越来越多的硅晶片被人们所使用，对于硅晶片的需求量也越来越大，硅晶片在制作时需要很好的切割，才能保证硅晶片的质量。
因此，对于上述问题有必要提出一种矽晶片切割装置。
实用新型内容
针对上述现有技术中存在的不足，本实用新型的目的在于提供一种矽晶片切割装置。
一种矽晶片切割装置,包括底板、立梁、第一导轨、第二导轨、第一滑块、第二滑块、负压泵和激光切割器，所述立梁固定于所述底板的其中一侧边，所述立梁的上端设置有两个间隔分布的所述第一导轨，所述第一滑块滑动连接于所述第一导轨，所述第一滑块的上部设置有两个间隔分布的所述第二导轨，所述第二滑块滑动连接于所述第二导轨，所述激光切割器安装于所述第二滑块的下部；所述底板上安装有伺服电机，所述伺服电机的输出端安装有吸盘组件，所述吸盘组件上设置有多个吸盘，所述负压泵连通于所述吸盘组件。
与现有技术相比，本实用新型有益效果：本实用新型设置有第一导轨、第二导轨、第一滑块、第二滑块、负压泵和激光切割器，第一滑块沿第一导轨纵向移动，第二滑块沿第二导轨横向移动，使得激光切割器多方位移动，便于切割，伺服电机带动矽晶片旋转，转换方向，负压泵为吸盘组件提供负压力，吸盘用于吸住矽晶片起到固定作用。
进一步的，所述立梁的一端安装有第一伸缩气缸，所述第一伸缩气缸的输出端固定于所述第一滑块。
采用进一步的技术方案有益效果：第一伸缩气缸为第一滑块提供驱动力。
进一步的，所述第一滑块的其中一端安装有第二伸缩气缸，所述第二伸缩气缸的输出端固定于所述第二滑块。
采用进一步的技术方案有益效果：第二伸缩气缸为第二滑块提供驱动力。
进一步的，所述第一伸缩气缸和第二伸缩气缸均连通有气泵。
采用进一步的技术方案有益效果：气泵分别为第一伸缩气缸和第二伸缩气缸提供气源。
进一步的，所述负压泵、气泵和伺服电机均电连接有控制器。
采用进一步的技术方案有益效果：控制器控制负压泵、气泵和伺服电机，提高工作效率。
进一步的，所述第二滑块的下部设置有限位器。
采用进一步的技术方案有益效果：限位器起到限位作用。
进一步的，所述底板的上端面涂装有一层激光反辐射涂层。
采用进一步的技术方案有益效果：激光反辐射涂层起到反辐射激光作用，防止激光烧坏底板。
附图说明
图1是本实用新型提供的矽晶片切割装置结构图；
图2是本实用新型的俯视图。
图中附图标记：1、底板；2、立梁；3、第一滑块；4、第二滑块；5、第一导轨；6、第二导轨；7、激光切割器；8、伺服电机；9、吸盘组件；10、吸盘；11、限位器；12、第一伸缩气缸；13、第二伸缩气缸；14、矽晶片。
具体实施方式
需要说明的是，在不冲突的情况下，本实用新型中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以通过具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
以下结合附图对本实用新型的实施例进行详细说明，但是本实用新型可以由权利要求限定和覆盖的多种不同方式实施。
如图1并结合图2所示，一种矽晶片切割装置,包括底板1、立梁2、第一导轨5、第二导轨6、第一滑块3、第二滑块4、负压泵和激光切割器7，所述立梁2固定于所述底板1的其中一侧边，所述立梁2的上端设置有两个间隔分布的所述第一导轨5，所述第一滑块4滑动连接于所述第一导轨5，所述第一滑块3的上部设置有两个间隔分布的所述第二导6轨，所述第二滑块4滑动连接于所述第二导轨6，所述激光切割器7安装于所述第二滑块4的下部；所述底板1上安装有伺服电机8，所述伺服电机8的输出端安装有吸盘组件9，所述吸盘组件9上设置有多个吸盘10，所述负压泵连通于所述吸盘组件9。
与现有技术相比，本实用新型有益效果：本实用新型设置有第一导轨5、第二导轨6、第一滑块3、第二滑块4、负压泵和激光切割器7，第一滑块3沿第一导轨5纵向移动，第二滑块4沿第二导轨6横向移动，使得激光切割器7多方位移动，便于切割，伺服电机8带动矽晶片14旋转，转换方向，负压泵为吸盘组件9提供负压力，吸盘10用于吸住矽晶片14起到固定作用。
优选地，所述立梁2的一端安装有第一伸缩气缸12，所述第一伸缩气缸12的输出端固定于所述第一滑块3。
采用优选地技术方案有益效果：第一伸缩气缸12为第一滑块3提供驱动力。
优选地，所述第一滑块3的其中一端安装有第二伸缩气缸13，所述第二伸缩气缸13的输出端固定于所述第二滑块4。
采用优选地技术方案有益效果：第二伸缩气缸13为第二滑块4提供驱动力。
优选地，所述第一伸缩气缸12和第二伸缩气缸13均连通有气泵。
采用优选地技术方案有益效果：气泵分别为第一伸缩气缸12和第二伸缩气缸13提供气源。
优选地，所述负压泵、气泵和伺服电机8均电连接有控制器。
采用优选地技术方案有益效果：控制器控制负压泵、气泵和伺服电机8，提高工作效率。
优选地，所述第二滑块4的下部设置有限位器11。
采用优选地技术方案有益效果：限位器11起到限位作用。
优选地，所述底板1的上端面涂装有一层激光反辐射涂层。
采用优选地技术方案有益效果：激光反辐射涂层起到反辐射激光作用，防止激光烧坏底板1。
工作流程：第一滑块3沿第一导轨5纵向移动，第二滑块4沿第二导轨6横向移动，使得激光切割器7多方位移动，启动激光切割器7对矽晶片14进行切割，伺服电机8带动矽晶片14旋转，转换方向，负压泵为吸盘组件9提供负压力，吸盘10用于吸住矽晶片14，起到固定作用。
以上所述仅为本实用新型的优选实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。
设计图
相关信息详情
申请码:申请号:CN201920120891.2
申请日:2019-01-23
公开号:公开日:国家:CN
国家/省市:44(广东)
授权编号:CN209461420U
授权时间:20191001
主分类号:H01L 21/67
专利分类号:H01L21/67;H01L21/687;H01L21/677
范畴分类:38F;23E;
申请人:佛山市南海益晶科技有限公司
第一申请人:佛山市南海益晶科技有限公司
申请人地址:528000 广东省佛山市南海里水镇宏岗沥口东兴路13号之四
发明人:李翔
第一发明人:李翔
当前权利人:佛山市南海益晶科技有限公司
代理人:张伶俐
代理机构:42241
代理机构编号:武汉明正专利代理事务所(普通合伙)
优先权:关键词:当前状态:审核中
类型名称:外观设计