导读:本文包含了晶体硅太阳电池论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:晶体,异质,氧化物,空穴,表面,电池,金属。
晶体硅太阳电池论文文献综述
赵生盛,徐玉增,陈俊帆,张力,侯国付[1]（2019）在《免掺杂、非对称异质接触晶体硅太阳电池的研究进展》一文中研究指出免掺杂、非对称异质接触的新型太阳电池由于近几年的飞速发展,理论转化效率已达到28%,具有较大的发展空间,引起了人们的重视.由于传统晶硅太阳电池产业存在生产设备成本高、原材料易燃易爆等诸多限制,市场对太阳电池产业低成本、绿色无污染的期待越来越高,极大地增加了免掺杂、非对称异质接触的新型太阳电池研究和开发的必要性.为了进一步加快免掺杂、非对称异质接触晶体硅太阳电池的研究进度,本文对其发展现状进行了综述,着重讨论了过渡金属氧化物(TMO)载流子选择性运输的基本原理、制备技术以及空穴传输层、电子传输层和钝化层对基于TMO构建的免掺杂、非对称异质接触(DASH)太阳电池性能的影响,以期对电池的工作机理、材料选择有更深刻的认识,为新型高效的DASH太阳电池制备提供指导.(本文来源于《物理学报》期刊2019年04期）
林文杰,吴伟梁,包杰,刘宗涛,梁宗存[2]（2019）在《金属氧化物多层膜晶体硅太阳电池的背场研究》一文中研究指出在n-Si与金属电极之间插入电子选择性材料Ca和Cs_2CO_3、LiF_x,可有效降低接触电阻和界面复合,该文研究Ca和Cs_2CO_3、LiF_x作为背场在氧化钨金属多层膜(WAW)/n-Si太阳电池中对电池性能和稳定性的影响。3种电子选择性材料中,2 nm的LiF_x对电池转换效率的提升最高,稳定性最好。对WAW/n-Si/LiF_x太阳电池R_s的各部分组成进行提取和分析,表明LiF_x/n-Si的接触电阻和LiF_x/Ag接触电阻仅占总串联电阻的0.2%,背场工艺得到最佳的优化。将LiF_x做为背场应用于氧化钒金属多层膜背接触晶体硅(MLBC)太阳电池中,达到19.02%的转换效率,而且用环氧树脂封装的MLBC太阳电池放置在空气中表现出极好的稳定性。(本文来源于《太阳能学报》期刊2019年01期）
胡昌吉,班群,段春艳,董娴[3]（2018）在《晶体硅太阳电池生产虚拟实训平台建设》一文中研究指出针对晶体硅太阳电池生产工艺课程实训教学设备不能满足实训教学需求的问题,开发了一套晶体硅太阳电池生产虚拟实训平台。通过该平台开展工程实训教学,可以让学生更好地掌握晶体硅太阳电池生产工艺,为学生以后在太阳电池生产相关领域工作奠定良好的理论和实践基础。(本文来源于《能源与节能》期刊2018年12期）
蹇康,张臻,梁旭丹,钱茜,宁楚珺[4]（2018）在《缺陷晶体硅太阳电池热斑实验》一文中研究指出设计了室内外缺陷电池热斑情况的测试方案,将缺陷电池反接12 V直流电压,使电池片处于反向偏置状态,并对比了电池片的温度分布和漏电流大小,测试了不同反偏电压下温度分布和电流变化。提出了一种缺陷电池测试方法,将单块电池接入组件,在不同遮挡比例下测试组件的I-V、P-V曲线,对比不同类型缺陷电池的差异。(本文来源于《电源技术》期刊2018年11期）
李能能,马继奎[5]（2018）在《n型晶体硅太阳电池光诱导衰减现象研究》一文中研究指出基于n型晶体硅太阳电池,分析了经光辐照后电池各性能参数的变化,探究了n型晶体硅太阳电池光诱导衰减机理。使用工业化设备在大面积(156 mm×156 mm)n型单晶硅片上制备太阳电池。利用太阳光谱模拟仪对制备的太阳电池进行光照处理,对比各阶段太阳电池电性能参数。结果表明,光照时会导致太阳电池表面减反射膜SiN∶H/Si界面处积聚大量固定电荷,增大界面态密度,破坏电池表面钝化层结构,导致开路电压和短路电流产生较大衰减,35 kWh/m~2光辐照后n型硅太阳电池效率衰减3.6%。在380℃低温退火处理后电池效率基本可恢复到初始状态。内量子效率测试结果表明光辐照后电池短波区域响应减弱,前表面界面效应导致电池效率发生较大衰减。(本文来源于《半导体技术》期刊2018年07期）
何坚[6]（2018）在《高效晶体硅-有机物异质结太阳电池光电性能研究》一文中研究指出尽管晶体硅太阳电池通过结合异质结与交叉背接触结构已将最高效率突破至26.6%,由于高掺杂非晶硅层存在固有的寄生吸收/俄歇复合,以及制备p~+和n~+异质结接触需要复杂的制备工艺,这一结构电池依旧存在较为严重的光电损失以及技术限制。这些问题的存在促使人们寻求替代性的新型功能材料以及简化的沉积技术。以n型晶体硅(n-Si)作为光吸收层,导电聚合物(聚3,4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐,PEDOT:PSS)作为空穴选择性传输层,构建的载流子选择性非掺杂晶体硅-有机异质结太阳电池,以其制备工艺简单、制备成本低等优点,成为备受关注的新型光伏技术。然而现阶段其光电转换效率依旧较低,无法与主流晶体硅太阳电池相媲美。本论文围绕高效n-Si/PEDOT:PSS异质结太阳电池的设计与制备,重点讨论n-Si/PEDOT:PSS异质结界面及器件制备前/后处理对太阳电池光电性能的影响,主要研究内容及结果如下:1.硅表面化学预处理提高n-Si/PEDOT:PSS异质结太阳电池光电性能。通过对硅表面四甲基氢氧化铵溶液预处理,降低硅表面缺陷,调控异质结界面氧化层厚度,从而抑制界面载流子的复合。同时在PEDOT:PSS薄膜表面沉积一层高功函的碘化亚铜薄膜诱导调控PEDOT:PSS薄膜功函数,达到增强异质结界面反型的效果。结合这两种处理,在不使用背钝化的前提下可以将异质结电池的开路电压提升到0.660 V,填充因子提升到78.1%,最终器件光电转换效率提升至14.3%。2.硅表面微纳米结构调控改善n-Si/PEDOT:PSS异质结界面接触性能。通过金属辅助化学刻蚀方法对硅表面随机纳米结构/周期性纳米柱结构进行化学重构,在20μm硅衬底上分别制备低表面积的分层碗状纳米孔结构以及纳米锥-纳米柱阵列结构,在全波长范围内增加薄膜硅衬底的光吸收性能,并改善其与PEDOT:PSS薄膜的接触性能。最终制备的n-Si/PEDOT:PSS异质结太阳电池光电转换效率分别为13.6%和12.2%。3.硅/铝界面修饰提高n-Si/PEDOT:PSS异质结太阳电池光电性能。通过在n-Si/Al界面引入窄带隙共轭聚合物电解质(PTB7-NBr)作为电子选择性传输层构建载流子选择性非掺杂n-Si/PEDOT:PSS异质结太阳电池。得益于溴离子掺杂的PTB7-NBr层优异的电子传输性能以及其对Al电极良好的功函数修饰,n-Si/Al界面的接触电阻可降低至6.7±0.8 mΩcm~2。结合正面纳米结构的陷光效果,最终获得的电池器件光电转换效率超过15.0%。4.设计并制备n-Si/PEDOT:PSS界面全接触的异质结太阳电池。通过对随机正金字塔制绒的n-Si/PEDOT:PSS表面进行后处理,实现了PEDOT:PSS薄膜在制绒硅表面的全包覆接触。结合背面本征/掺杂非晶硅层提供的优异钝化性能及电子传输性能,最终获得的异质结太阳电池光电转换效率超过16.2%。此外,这一后处理工艺可以有效保护PEDOT:PSS薄膜和底部界面氧化物免受环境中水汽的影响,有利于改善器件稳定性。该研究为硅-有机异质结太阳电池的稳定性及效率提升提供了有效途径。(本文来源于《中国科学院大学(中国科学院宁波材料技术与工程研究所)》期刊2018-06-01）
李迎辉[7]（2018）在《晶体硅太阳电池免银背电极工艺研究》一文中研究指出使用贵金属银作为晶硅电池前后电极制作的原材料,一直是电池成本偏高的一个主要因素,因此为了降低电极生产成本,越来越多的研究人员提出以其它金属替代贵金属制备导电浆料。但是由于晶硅电池前电极结构相对复杂、结深较浅等问题,目前仍未实现大规模的生产应用,而背电极则没有这样的限制。因此,本研究仅对晶硅电池背电极的免银化进行相关探索,提出了两种方案:采用铝-锡浆料替代银浆制作背电极和采用铝带替代银浆制作背电极。第一种方案中,考虑到背电极的制作必须是熔体与硅的相互作用后形成可靠的机械连接和电连接,才能实现收集电流和导电的作用,我们尝试将硅片浸入铝-锡熔体中,考察铝-锡熔体与硅之间的相互作用效果,包括界面的均匀性及电性能等等,从而确定该方案的可行性。第二种方案的思路是,直接将铝带熔化与硅结合形成纯铝电极,而不处于电池片上的铝片可做电池片间的连接导体。这一思路体现在生产中,背电极在组件制作时实现,而在电池制作中预留背电极处为空白。本研究先考察在经过电池电极烧结温度制度后的空白硅片上,铝带熔化及相互作用效果的影响因素。然后以烧结过但背电极处为空白的电池片为研究对象,模拟现行太阳电池组件的制作方法,在外压下使铝带在背电极处熔化与并与硅结合形成纯铝电极,得到完整电池片,考察电池片性能。研究结果表明:同样的温度制度条件下,硅片在纯铝熔体中能够形成均匀熔蚀区,而在铝-锡熔体中则存在部分未作用区,并且随着熔体中锡含量的增加,硅片和熔体的相互作用也越来越困难。经过测试发现未作用区的硅片少子寿命并未增加,即熔体对未作用区的硅片没有起到钝化作用。铝-锡合金在空气中经过工业电池片温度制度烧结后,已无法达到和镀锡铜带相互连接的要求,金属锡有严重的氧化以及挥发现象。这些结果表明,采用的铝-锡粉浆料代替银浆制作背电极的思路已不可行。在无外力作用的条件下采用工业电池片烧结温度。研究发现,当峰值温度为770℃以上时可以达到无背银电池片和铝电极连接的要求,并且能够制备出效率略高于银背电极的电池片,其最高转换效率为12.3%(同批次银背电极电池片经切割和打磨步骤后的平均效率为12.2%)。在有外力作用的条件下模拟工业电池片组件焊接。研究发现,当温度制度为615℃加热65s或700℃加热5s以上时均可达到无背银电池片和铝电极连接的要求。0.2mm厚铝带作为背电极制备出的电池相比于0.1mm厚铝带制备出的电池有更好的电性能。在一定范围内随着样品加热温度的升高以及加热时间的延长,电池片转换效率也越高。(本文来源于《南昌大学》期刊2018-05-31）
沈磊磊,孟凡英,石建华,刘正新[8]（2018）在《高迁移率IWO薄膜特性及其在薄膜硅/晶体硅异质结太阳电池中的应用研究》一文中研究指出采用反应等离子沉积(RPD)技术在玻璃衬底上制备掺W的In_2O_3(IWO)薄膜,实验发现氧偏压对薄膜特性影响较大。研究氧偏压对IWO薄膜光电特性的影响,低温条件下制备的薄膜结晶性较好,IWO迁移率达到60.0cm~2/(V·s)。经过退火处理后,IWO的迁移率达到120.0 cm~2/(V·s)以上。基于X射线衍射(XRD)和变温霍尔效应测试分析,高迁移率主要归因于良好的结晶性以及较低的晶界势垒。最后将优化的IWO薄膜应用到薄膜硅/晶体硅异质结(SHJ)太阳电池中,高迁移率有助于提高电池的短路电流和填充因子,获得高达22.3%的光电转换效率。(本文来源于《太阳能学报》期刊2018年05期）
谢猛[9]（2018）在《PERC型晶体硅太阳电池的光致衰减及其钝化技术研究》一文中研究指出高效、低成本是目前晶体硅太阳能电池主要追求的目标。钝化发射极背面接触(PERC)电池技术因为良好的氧化铝背表面钝化而具有较高的转换效率,是目前产业界认为最有潜力的高效电池技术之一。然而PERC电池具有严重的光致衰减(LID)问题,所以对PERC电池表面钝化进行相关探究以及其光致衰减机理和抑制方法进行探究对于发展更加高效的PERC电池具有非常重要的意义。本文通过大电流注入的方法来探究PERC电池光致衰减的抑制途径。实验发现,对于单晶PERC电池,大电流注入的方法能使得电池迅速实现第叁态回复的过程,处理后的样品具有明显的抗光致衰减性能;同时我们发现批量大电流处理也能使得处理的电池具有较小的光致衰减。同时我们发现大电流注入对于多晶PERC 的 LeTID(Light and Elevated Temperature Induced Degradation)具有很好的抑制效果,同时热退火处理也能提高电池的抗光致衰减性能,而退火和大电流处理迭加,电池的抗光致衰减性能更加突出。ALD-Al2O3对晶体硅的钝化作用会在光照条件下而增强,光照后,这种增强效应在避光条件下又会慢慢消失;而增强过程和回复过程都是热激活过程,其激活能大约分别为0.32 eV和0.59 eV。我们通过C-V曲线表征发现Al2O3在光照钝化效果增强的原因是光照过程中Al2O3界面负电荷增加而导致场致钝化增强。通过深能级瞬态谱(DLTS)的瞬态电容法,我们发现氢钝化后能显着降低Al2O3/p-Si表面态的态密度,同时氢钝化也能显着降低表面态对空穴的捕获截面,但是氢钝化不能改变表面态的“localized”和“band-like”的性质。同时实验观察到Cu沾污能显着增加表面态的态密度,也使得空穴的捕获截面增加超过两个数量级,而且Cu沾污能削弱氢对表面态的钝化效果。(本文来源于《浙江大学》期刊2018-01-25）
高向明,王硕,冉宏霞,刘瑞峰,苑进社[10]（2018）在《晶体硅太阳电池热电集成组件的集热特性》一文中研究指出【目的】研究晶体硅太阳电池作为集热芯实现热电集成的可行性。【方法】基于硅基太阳电池的输出特性,通过优化设计组件结构和层压工艺技术条件,研制出晶体硅太阳电池光伏光热一体化集成组件。【结果】对组件集热性能进行了室外实地实验测试和对比试验,发现热电集成单组件发电峰值功率达到100 Wp,同时可平均日产40~60℃热水50kg,综合利用效率达到50%以上。【结论】试验表明将太阳电池片作为热水系统吸热板芯片是可行的,且组件的热电性能均能得到有效改善。(本文来源于《重庆师范大学学报(自然科学版)》期刊2018年01期）
晶体硅太阳电池论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
在n-Si与金属电极之间插入电子选择性材料Ca和Cs_2CO_3、LiF_x,可有效降低接触电阻和界面复合,该文研究Ca和Cs_2CO_3、LiF_x作为背场在氧化钨金属多层膜(WAW)/n-Si太阳电池中对电池性能和稳定性的影响。3种电子选择性材料中,2 nm的LiF_x对电池转换效率的提升最高,稳定性最好。对WAW/n-Si/LiF_x太阳电池R_s的各部分组成进行提取和分析,表明LiF_x/n-Si的接触电阻和LiF_x/Ag接触电阻仅占总串联电阻的0.2%,背场工艺得到最佳的优化。将LiF_x做为背场应用于氧化钒金属多层膜背接触晶体硅(MLBC)太阳电池中,达到19.02%的转换效率,而且用环氧树脂封装的MLBC太阳电池放置在空气中表现出极好的稳定性。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
晶体硅太阳电池论文参考文献
[1].赵生盛,徐玉增,陈俊帆,张力,侯国付.免掺杂、非对称异质接触晶体硅太阳电池的研究进展[J].物理学报.2019
[2].林文杰,吴伟梁,包杰,刘宗涛,梁宗存.金属氧化物多层膜晶体硅太阳电池的背场研究[J].太阳能学报.2019
[3].胡昌吉,班群,段春艳,董娴.晶体硅太阳电池生产虚拟实训平台建设[J].能源与节能.2018
[4].蹇康,张臻,梁旭丹,钱茜,宁楚珺.缺陷晶体硅太阳电池热斑实验[J].电源技术.2018
[5].李能能,马继奎.n型晶体硅太阳电池光诱导衰减现象研究[J].半导体技术.2018
[6].何坚.高效晶体硅-有机物异质结太阳电池光电性能研究[D].中国科学院大学(中国科学院宁波材料技术与工程研究所).2018
[7].李迎辉.晶体硅太阳电池免银背电极工艺研究[D].南昌大学.2018
[8].沈磊磊,孟凡英,石建华,刘正新.高迁移率IWO薄膜特性及其在薄膜硅/晶体硅异质结太阳电池中的应用研究[J].太阳能学报.2018
[9].谢猛.PERC型晶体硅太阳电池的光致衰减及其钝化技术研究[D].浙江大学.2018
[10].高向明,王硕,冉宏霞,刘瑞峰,苑进社.晶体硅太阳电池热电集成组件的集热特性[J].重庆师范大学学报(自然科学版).2018
论文知识图
