导读:本文包含了电子结构性质论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:结构,性质,电子,原理,光学,氮化,热力学。
电子结构性质论文文献综述
李文涛[1]（2019）在《SrCoO_3的电子结构、弹性及热力学性质的第一性原理计算》一文中研究指出采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法研究了SrCoO_3立方相的电子结构、弹性以及晶格振动的声子谱和热力学性质.通过理论计算给出了立方相SrCoO_3的晶格常数、弹性常数以及体弹性模量和剪切模量等参数.结合能带结构和电子态密度的分析,研究了SrCoO_3的铁磁性质,结果表明Co原子中3d电子处于中间自旋态.通过声子色散关系的计算,发现低温下SrCoO_3立方相可能会发生四方结构的相变.为了得到不同温度和压强下SrCoO_3立方相的热力学性质,采用准谐德拜模型进行了计算和拟合,给出了0～12 GPa和0～700 K范围内晶格常数、热膨胀系数和比热容的变化,并比较了两种不同德拜模型的理论计算结果.(本文来源于《陕西科技大学学报》期刊2019年06期）
张加宏,谢丽君,陈虎,顾芳,王银[2]（2019）在《掺杂与应力对ZrO_2薄膜电子结构和光学性质的影响》一文中研究指出利用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法系统地研究了掺杂和应力对ZrO_2薄膜的电子结构与光学性质的影响.本文首先研究了Hf原子替代掺杂对ZrO_2薄膜物性的影响,研究结果表明,Hf原子掺杂减小了ZrO_2薄膜的带隙和态密度大小,可在一定程度上降低其表面缺陷电荷和漏电流.掺杂Hf原子后介电峰和吸收峰的值明显下降,同时介电峰和吸收峰的波形均出现了窄化现象,半高宽显着减小.本文也着重研究了不同应力下四方晶相ZrO_2薄膜物理性质变化及规律.研究发现压应力显着调控了ZrO_2薄膜的带隙以及价带顶和导带底附近的能带结构.施加应力后吸收峰的吸收范围和强度均显着增大,峰值对应的光子能量蓝移则表明对紫外光的吸收随着应力的增加有所增强.在低能量红外和可见光区域,施加压应力后ZrO_2薄膜的折射率变大,但在紫外线区域,压应力使ZrO_2薄膜的折射率呈现出先增大后减小的波动特性.上述研究结果为ZrO_2薄膜材料的设计与应用提供了理论依据.(本文来源于《四川大学学报(自然科学版)》期刊2019年06期）
张淑华,程翔,柳福提[3]（2019）在《高压下纤锌矿GaN电子结构与光学性质的第一性原理计算》一文中研究指出运用超软赝势平面波第一性原理方法,对纤锌矿GaN在单位面积压力为0～40 GPa时的电子结构与光学特性进行了计算.结果发现,随着单位面积压力的增大,晶格常数减小,带隙值由2.067 eV逐渐增大为3.026 eV;静态反射率减小,反射峰值减小,且峰值位置向高能量方向移动,即发生蓝移;静态折射率减小,峰值增大,位置发生蓝移;吸收边向高能方向移动,吸收峰值增大,位置也发生蓝移.(本文来源于《河北师范大学学报(自然科学版)》期刊2019年06期）
董明慧,苑光明,王学文,刘恩超,张彩丽[4]（2019）在《Ce-N共掺锐钛矿TiO_2(001)取向电子结构和光学性质》一文中研究指出采用第一性原理研究了Ce和N共掺杂锐钛矿TiO_2的稳定性、电子结构和光学性质。结果表明在锐钛矿TiO_2中Ce倾向于间隙掺杂,而N更倾向于O替位掺杂;Ce单掺杂和Ce-N共掺杂都能使TiO_2带隙宽度减小,同时N原子还能在价带顶引入浅受主能级,有利于可见光的吸收和阻止光生载流子-空穴复合;Ce单掺杂和Ce-N共掺杂锐钛矿TiO_2(001)取向都满足光催化制氢条件,因此都具有良好的光催化特性。综合分析带边位置和吸收光谱发现Ce-N共掺杂能有效提高锐钛矿TiO_2(001)取向的光催化制氢能力。(本文来源于《电子元件与材料》期刊2019年11期）
李亚,张俊举,杜玉杰,沙娓娓,陈若曦[5]（2019）在《外电场作用下InP电子结构与光学性质的计算》一文中研究指出磷化铟(InP)已成为光电器件和微电子器件不可或缺的重要半导体材料。采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波赝势方法,计算了不同外电场作用下InP超胞的电子结构和光学性质。计算结果表明:未加电场时InP的能隙值为0.876eV,随着z轴方向的外电场增大,该值逐渐减小,当电场强度达到1.0×10~8 V/cm时,InP的禁带宽度几乎为0。InP导带区域的总态密度随着外电场增大逐渐向费米面偏移,态密度跨度变小,而价带与导带的情况恰恰相反。外电场对介电函数虚部的影响主要体现在低能量区域(0～7eV),而在较高能量区域内可忽略不计。外电场对InP吸收系数的影响主要集中在近红外波段。(本文来源于《半导体光电》期刊2019年06期）
舒华兵[6]（2019）在《硼-砷单层的稳定性、电子结构和光学性质研究》一文中研究指出基于密度泛函和多体微扰理论,提出类似于石墨烯结构的硼-砷单层并且探究硼-砷单层的结构稳定性、电子结构和光学性质.计算表明:硼-砷单层有负的大结合能(-5.32 eV/atom)、声子谱中没有出现虚频,暗示它具有高的静态和动力学稳定性;其次,电子结构指明它是一个具有中等直接带隙(1.576 eV)的半导体且带隙对应变敏感可调;光学吸收谱表明硼-砷单层对近红外和可见光有较好的吸收且具有较大的激子束缚能(约590 meV).研究结果表明:硼-砷单层在电子和光电子方面具有一定的应用潜能.(本文来源于《江苏科技大学学报(自然科学版)》期刊2019年05期）
潘凤春,林雪玲,曹志杰,李小伏[7]（2019）在《Fe,Co,Ni掺杂GaSb的电子结构和光学性质》一文中研究指出运用第一性原理LDA+U方法 (考虑了交换关联项的Hubbard U修正的局域密度近似方法)研究了过渡族金属X (X=Fe, Co, Ni)掺杂GaSb的电子结构和光学性质.研究结果表明:X掺杂均能提升GaSb半导体材料对红外光区光子的吸收幅度,并能有效提高GaSb材料的光催化性能;过渡金属X在GaSb材料中主要以X替代Ga缺陷(X@Ga)的形式存在, X的电荷布居和键布居表明, X的掺入容易引起体系的晶格畸变,由此产生的电偶极矩有利于光生电子-空穴对的分离,从而提高材料的光催化性能; X掺杂引入的杂质能级位于0点费米能级附近,因而掺杂体系复介电函数虚部在光子能量为0时就会有响应,同时掺杂体系的静介电常数也得到了很大的提升; X的掺杂对GaSb体系的光学性能都有很大的改善,但Ni掺入对改善GaSb材料的光催化特性最有利;最佳Ni原子的掺杂摩尔浓度为10.94%,均匀掺杂可以避免光生电子-空穴复合中心的形成,此时光学吸收范围和吸收峰值都达到最大,对材料的光催化性能最有利.(本文来源于《物理学报》期刊2019年18期）
雷博程,刘桂安,王少霞,赵旭才,毛着鹏[8]（2019）在《GGA+U法研究稀土(La、Ce、Pr、Nd)掺杂对ZnO电子结构和光学性质的影响》一文中研究指出基于GGA+U的第一性原理方法,分析了La、Ce、Pr、Nd四种元素掺杂的Zn O结构,对晶体的结构、电子结构和光学性质进行了对比分析。由键布局分析可知,掺杂体系Zn-O键共价性的强弱与杂质掺入原子的序数成正比。掺杂后体系的类型仍为直接跃迁,能级整体下移;随着Pr、Nd掺入,出现了杂质能级,这是由稀土元素的4f电子态所导致。在光学性质方面,掺杂体系的吸收系数、静介电常数都比纯Zn O的高,体系的吸收边都向低能方向移动,其中Zn_7La O_8的红移程度最高、静介电常数最大,说明其光催化能力和极化能力都最强。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2019年09期）
邓永荣,陈秋琳,骆远征,闫万珺[9]（2019）在《Si空位缺陷对Ca_2Si电子结构及光学性质的影响研究》一文中研究指出基于第一性原理的方法计算了含Si空位缺陷Ca_2Si的几何结构、能带结构、电子态密度及光学性质。计算结果表明,Si空位缺陷出现使Ca_2Si的晶胞体积增大,带隙变宽,导电类型为n型,静态介电常数、反射率增大,介电函数虚部ε_2、吸收系数向低能方向移动。(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊2019年04期）
杨创华[10]（2019）在《β-Ga_2O_3电子结构、光学性质及激子效应研究》一文中研究指出基于自洽的准粒子近似(GW近似)和求解Bethe-Salpete方程的多体微扰方法,准确计算了β-Ga_2O_3的电子结构、光学性质以及激子效应。准确绘制出了β-Ga_2O_3的第一布里渊区,确定了布里渊区高对称点及高对称点路径。基于GW方法修正计算了能带结构,计算得到的能带带隙为4.67 eV,与实验的结果比较吻合。计算得到了Γ点能带的电子有效质量,它们几乎是各向同性的,其值在0.27m_e和0.28m_e之间。包含激子效应的光学性质计算结果表明β-Ga_2O_3材料中的激子效应非常明显,主导了它的光学性质。还计算出了激子束缚能,及最大吸收峰位置与强度。(本文来源于《陕西理工大学学报(自然科学版)》期刊2019年04期）
电子结构性质论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
利用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法系统地研究了掺杂和应力对ZrO_2薄膜的电子结构与光学性质的影响.本文首先研究了Hf原子替代掺杂对ZrO_2薄膜物性的影响,研究结果表明,Hf原子掺杂减小了ZrO_2薄膜的带隙和态密度大小,可在一定程度上降低其表面缺陷电荷和漏电流.掺杂Hf原子后介电峰和吸收峰的值明显下降,同时介电峰和吸收峰的波形均出现了窄化现象,半高宽显着减小.本文也着重研究了不同应力下四方晶相ZrO_2薄膜物理性质变化及规律.研究发现压应力显着调控了ZrO_2薄膜的带隙以及价带顶和导带底附近的能带结构.施加应力后吸收峰的吸收范围和强度均显着增大,峰值对应的光子能量蓝移则表明对紫外光的吸收随着应力的增加有所增强.在低能量红外和可见光区域,施加压应力后ZrO_2薄膜的折射率变大,但在紫外线区域,压应力使ZrO_2薄膜的折射率呈现出先增大后减小的波动特性.上述研究结果为ZrO_2薄膜材料的设计与应用提供了理论依据.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
电子结构性质论文参考文献
[1].李文涛.SrCoO_3的电子结构、弹性及热力学性质的第一性原理计算[J].陕西科技大学学报.2019
[2].张加宏,谢丽君,陈虎,顾芳,王银.掺杂与应力对ZrO_2薄膜电子结构和光学性质的影响[J].四川大学学报(自然科学版).2019
[3].张淑华,程翔,柳福提.高压下纤锌矿GaN电子结构与光学性质的第一性原理计算[J].河北师范大学学报(自然科学版).2019
[4].董明慧,苑光明,王学文,刘恩超,张彩丽.Ce-N共掺锐钛矿TiO_2(001)取向电子结构和光学性质[J].电子元件与材料.2019
[5].李亚,张俊举,杜玉杰,沙娓娓,陈若曦.外电场作用下InP电子结构与光学性质的计算[J].半导体光电.2019
[6].舒华兵.硼-砷单层的稳定性、电子结构和光学性质研究[J].江苏科技大学学报(自然科学版).2019
[7].潘凤春,林雪玲,曹志杰,李小伏.Fe,Co,Ni掺杂GaSb的电子结构和光学性质[J].物理学报.2019
[8].雷博程,刘桂安,王少霞,赵旭才,毛着鹏.GGA+U法研究稀土(La、Ce、Pr、Nd)掺杂对ZnO电子结构和光学性质的影响[J].人工晶体学报.2019
[9].邓永荣,陈秋琳,骆远征,闫万珺.Si空位缺陷对Ca_2Si电子结构及光学性质的影响研究[J].固体电子学研究与进展.2019
[10].杨创华.β-Ga_2O_3电子结构、光学性质及激子效应研究[J].陕西理工大学学报(自然科学版).2019
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