新型闪烁晶体Gd3（Al,Ga）5O12:Ce3+的研究进展

论文摘要

无机闪烁晶体在核辐射探测领域有重要的应用,铈掺杂铝酸钆镓(Gd3（Al,Ga）5O12:Ce,缩写为GAGG:Ce)闪烁晶体性能优良,在高能物理、γ相机等应用领域有广阔的应用前景,因此成为了当前闪烁体领域的研究热点。本文总结了GAGG:Ce闪烁晶体近年来主要的研究进展;分析了GAGG:Ce晶体的结构及其稳定性;阐述了反位缺陷对晶体发光性能的影响;通过"带隙工程"理论解释了Gd、Ga离子掺杂消除反位缺陷的机理;总结了近年来GAGG:Ce晶体生长中存在的问题及解决途径;梳理了GAGG:Ce晶体的发光机理、闪烁性能及其影响因素;对各国团队通过阳离子掺杂的"缺陷工程"理论抑制GAGG:Ce晶体闪烁衰减慢分量的研究进行分析总结;展望了GAGG:Ce闪烁晶体发展方向。

论文目录

• 1 引言
• 2 GAGG∶Ce晶体的结构、相稳定性、反位缺陷及离子置换
•   2.1 晶体结构
•   2.2 晶体结构的相稳定性
•   2.3 晶体的反位缺陷
•   2.4 离子置换调整Ce3+能级
• 3 GAGG∶Ce晶体的生长
•   3.1 Ga2O3挥发问题及解决思路
•   3.2 螺旋生长问题及解决思路
• 4 GAGG∶Ce晶体的发光机理和闪烁性能
•   4.1 GAGG∶Ce的发光机理研究
•   4.2 光输出、能量分辨率的研究
•   4.3 衰减时间慢分量的研究
• 5 模拟计算
• 6 应用
• 7 结论

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 孟猛,祁强,丁栋舟,赫崇君,施俊杰,任国浩

关键词: 闪烁晶体,掺杂,光输出,能量分辨率

来源: 人工晶体学报 2019年08期

年度: 2019

分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑

专业: 物理学,化学

单位: 中国科学院上海硅酸盐研究所,中国科学院大学材料与光电研究中心,南京航空航天大学航天学院,上海理工大学材料科学与工程学院,中国科学院海西创新研究院

基金: “中国科学院关键技术人才”项目(Y74YQ3130G),中科院上海硅酸盐研究所科技创新重点项目(Y74ZC5152G),海西研究院自主部署项目(FJCXY18040202)

分类号: O734

DOI: 10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2019.08.002

页码: 1386-1394

总页数: 9

文件大小: 2080K

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