全文摘要
本发明提供一种基于黑砷磷的脉冲激光调制组件及脉冲光纤激光器，包括偏振控制器与可饱和吸收体装置，可饱和吸收体装置包括及设在壳体上的输入光纤与输出光纤，所述输入光纤与偏振控制器的输出端相连；所述输入光纤与输出光纤在壳体内通过可饱和吸收体相连，所述可饱和吸收组件上设有可饱和吸收体，所述可饱和吸收体由黑砷磷二维材料制成。通过采用黑砷磷作为可饱和吸收体，既能降低脉冲调制器件成本，也能通过采用不同砷磷浓度比的黑砷磷来调控价带与导带之间的间隙，其电子行为类似于半导体，具有独有的电子和光学性质。本发明应用于脉冲光纤激光器领域。
主设计要求
1.一种基于黑砷磷的脉冲激光调制组件，其特征在于，包括偏振控制器与可饱和吸收体装置；所述可饱和吸收体装置包括壳体以及设在壳体上的输入光纤与输出光纤，所述输入光纤与偏振控制器的输出端相连；所述输入光纤与输出光纤在壳体内通过可饱和吸收组件相连，所述可饱和吸收组件上设有可饱和吸收体，所述可饱和吸收体由黑砷磷制成。
设计方案
1.一种基于黑砷磷的脉冲激光调制组件，其特征在于，包括偏振控制器与可饱和吸收体装置；
所述可饱和吸收体装置包括壳体以及设在壳体上的输入光纤与输出光纤，所述输入光纤与偏振控制器的输出端相连；
所述输入光纤与输出光纤在壳体内通过可饱和吸收组件相连，所述可饱和吸收组件上设有可饱和吸收体，所述可饱和吸收体由黑砷磷制成。
2.根据权利要求1所述基于黑砷磷的脉冲激光调制组件，其特征在于，所述可饱和吸收组件包括位于壳体内的第一连接光纤与第二连接光纤，所述可饱和吸收体为夹持在第一连接光纤的尾端与第二连接光纤的首端之间的黑砷磷薄膜，所述第一连接光纤的首端与输入光纤相接，所述第二连接光纤的尾端与输出光纤相接。
3.根据权利要求2所述基于黑砷磷的脉冲激光调制组件，其特征在于，所述黑砷磷薄膜的制备过程具体包括：
S1、将砷磷混合物、锡粉与四碘化锡以质量比例10～60:1～3:0.5～1进行配料，将配料真空封装在低压的石英管中；
S2、将封好的石英玻璃管水平放置在加热炉的加热区，加热加热炉并在加热后保持炉温2～3h；
S3、在7～8h内将炉温冷却至450～550℃以完成对加热炉的第一次冷却，并在第一次冷却后保持炉温3～4h；
S4、在3～4h内将炉温冷却室温以完成对加热炉的第二次冷却，第二次冷却后在石英管的冷端得到黑砷磷晶体；
S5、将所得到的黑砷磷晶体进行电解，获得液态二维的黑砷磷薄膜；
S6、对液态二维的黑砷磷薄膜进行抽滤，获得固态二维的黑砷磷薄膜。
4.根据权利要求3所述基于黑砷磷的脉冲激光调制组件，其特征在于，步骤S1中，所述砷磷混合物中的砷为纯度在99.99％以上的灰砷，所述砷磷混合物中的磷为纯度在99.99％以上的红磷晶体。
5.根据权利要求3所述基于黑砷磷的脉冲激光调制组件，其特征在于，步骤S1中，将配料真空封装在低压的石英管时控制石英管中配料的含量为15～30mg\/cm3<\/sup>。
6.根据权利要求3所述基于黑砷磷的脉冲激光调制组件，其特征在于，步骤S1中，所述将配料真空封装在低压的石英管中具体为：
利用分子泵机组和氢氧火焰将配料真空封装在5×10-3<\/sup>～15×10-3<\/sup>pa的石英管中。
7.据权利要求3所述基于黑砷磷的脉冲激光调制组件，其特征在于，步骤S3中，所述加热加热炉具体为：
以3～5℃\/min的速度加热加热炉到700℃～800℃。
8.一种脉冲光纤激光器，其特征在于，包括泵浦源、波分复用器、增益光纤、偏振无关隔离器、第一光纤耦合器和第二光纤耦合器以及权利要求1至7任一项所述基于黑砷磷的脉冲激光调制组件；
所述波分复用器、增益光纤、偏振无关隔离器、基于黑砷磷的脉冲激光调制组件中的偏振控制器、基于黑砷磷的脉冲激光调制组件中的可饱和吸收体装置、第一光纤耦合器通过光纤依次相连，所述泵浦源以及第一光纤耦合器的一个输出端均与波分复用器的输入端相接，所述第一光纤耦合器的另一个输出端与第二光纤耦合器的输入端相接；
所述偏振无关隔离器的输出端与偏振控制器的输入端相接；所述基于黑砷磷的脉冲激光调制组件中的输出光纤与第一光纤耦合器的输入端相接。
9.根据权利要求8所述脉冲光纤激光器，其特征在于，所述增益光纤为掺稀土离子单模光纤。
10.根据权利要求8所述脉冲光纤激光器，其特征在于，所述泵浦源为激光二极管。
设计说明书
技术领域
本发明涉及脉冲光纤激光器，尤其涉及一种基于黑砷磷的脉冲激光调制组件及脉冲光纤激光器。
背景技术
自从1961年，美国光学公司的Snitzer首次提出将光纤结构应用于激光器与放大器，并与Koester进行了实验，用纤芯300μm、长度1m的掺Nd增益光纤在1060nm波长附近获得了高达47dB的放大。这是世界上首例关于光纤激光器的报道。
和传统的固定激光器不同，以掺稀土元素光纤为增益介质的光纤激光器，其增益性质优良且阈值低、转换效率高。并且光纤的散热效果较好，其波导特性使输出的光束具有优异的空间分布质量。凭借着体积小、集成度高、结构紧凑、成本低廉的优势，光纤激光器得到了研究人员的广泛关注研究。
与固体激光器一样，光纤激光器也可以产生脉冲。超短脉冲光纤激光器是激光器研究领域的一个重要组成部分，由于其具有极高的峰值功率、超短的持续时间、极宽的光谱等优异的光学特性，在非线性光学，激光雷达，光学测量，光学微加工，光通讯，生物光学，生物医学技术，国防军事安全等领域都有重要的应用。
常见的获得高峰值功率、高能量超短脉冲激光技术有调Q和锁模技术。在主动锁模技术中，需要利用一个电光调制器或声光调制器等锁模调制器来控制相邻纵模间相位差恒定，从而实现脉冲激光输出。可饱和吸收体(saturable absorber，SA)是被动调Q和被动锁模的重要器件，激光腔内插入可饱和吸收体，利用可饱和吸收体本身饱和吸收调制特性来实现将连续激光变为脉冲激光输出。
可饱和吸收体是脉冲光纤激光器的重要核心关键器件，人们总是在不断寻找性能优异的可饱和吸收体。最初发展的被动调Q和被动锁模激光器，研究人员采用的都是基于染料的可饱和吸收体。但染料有毒、寿命短，要经常更换，限制了它的应用。一个合适的可饱和吸收体对于材料的关键要求是响应时间快，波长范围宽，非线性系数大，光损失阈值高，低成本，并且易于集成到激光器系统中。近年来，二维材料被作为可饱和吸收体广泛应用于光纤脉冲激光中。二维材料黑砷磷是可饱和吸收体的一种重要选择。
发明内容
针对现有技术中脉冲光纤激光器对可饱和吸收体需求，本发明的目的是采用黑砷磷作为可饱和吸收体，提供一种基于黑砷磷的脉冲激光调制组件及脉冲光纤激光器，通过采用不同砷磷浓度比的黑砷磷来调控价带和导带之间的间隙，实现具有特殊电子和光学性质，符合脉冲光纤激光器需求。同时制备方法经济、高效，既能减少能量消耗，同时降低成本。
为了实现上述发明目的，本发明提供一种基于黑砷磷的脉冲激光调制组件，其采用的技术方案是：
一种基于黑砷磷的脉冲激光调制组件，其特征在于，包括偏振控制器与可饱和吸收体装置；
所述可饱和吸收体装置包括壳体以及设在壳体上的输入光纤与输出光纤，所述输入光纤与偏振控制器的输出端相连；
所述输入光纤与输出光纤在壳体内通过可饱和吸收组件相连，所述可饱和吸收组件上设有可饱和吸收体，所述可饱和吸收体由黑砷磷制成。
作为上述技术方案的进一步改进，所述可饱和吸收组件包括位于壳体内的第一连接光纤与第二连接光纤，所述可饱和吸收体为夹持在第一连接光纤的尾端与第二连接光纤的首端之间的黑砷磷薄膜，所述第一连接光纤的首端与输入光纤相接，所述第二连接光纤的尾端与输出光纤相接。
作为上述技术方案的进一步改进，所述黑砷磷的制备薄膜过程具体包括：
S1、将砷磷混合物、锡粉与四碘化锡以质量比例10～60:1～3:0.5～1进行配料，将配料真空封装在低压的石英管中，其中，砷磷混合物中砷和磷的比例可以自由调配，通过设计黑砷磷二维材料中砷和磷的比例调控价带和导带之间的间隙，实现具有特殊电子和光学性质，符合脉冲光纤激光器需求；
S2、将封好的石英玻璃管水平放置在加热炉的加热区，加热加热炉并在加热后保持炉温2～3h；
S3、在7～8h内将炉温冷却至450～550℃以完成对加热炉的第一次冷却，并在第一次冷却后保持炉温3～4h；
S4、在3～4h内将炉温冷却室温以完成对加热炉的第二次冷却，第二次冷却后在石英管的冷端得到黑砷磷晶体；
S5、将所得到的黑砷磷块材进行电解，获得液态二维的黑砷磷薄膜。电解过程，使用双电极方法进行电解，其中黑砷磷晶体作为阴极，阳极为铂电极；
S6、对液态二维的黑砷磷薄膜进行抽滤，获得固态二维的黑砷磷薄膜。
作为上述技术方案的进一步改进，步骤S1中，所述砷磷混合物中的砷为纯度在99.99％以上的灰砷，所述砷磷混合物中的磷为纯度在99.99％以上的红磷晶体。
作为上述技术方案的进一步改进，步骤S1中，将配料真空封装在低压的石英管时控制石英管中配料的含量为15～30mg\/cm3<\/sup>。
作为上述技术方案的进一步改进，步骤S1中，所述将配料真空封装在低压的石英管中具体为：
利用分子泵机组和氢氧火焰将配料真空封装在5×10-3<\/sup>～15×10-3<\/sup>pa的石英管中。
作为上述技术方案的进一步改进，步骤S3中，所述加热加热炉具体为：
以3～5℃\/min的速度加热加热炉到700℃～800℃。
作为上述技术方案的进一步改进，步骤S5中，使用双电极方法进行电解，其中黑砷磷块材作为阴极，电解过程中，施加不同的电位将导致不同的反应速度，特别是本例中，施加-20V的电位时，仅需5分钟便能观察到晶体膨胀和溶液变成棕色。
为了实现上述发明目的，本发明提供一种脉冲光纤激光器，其采用的技术方案是：
一种脉冲光纤激光器，包括泵浦源、波分复用器、增益光纤、偏振无关隔离器、第一光纤耦合器和第二光纤耦合器以及上述基于黑砷磷的脉冲激光调制组件；
所述波分复用器、增益光纤、偏振无关隔离器、基于黑砷磷的脉冲激光调制组件中的偏振控制器、基于黑砷磷的脉冲激光调制组件中的可饱和吸收体装置、第一光纤耦合器通过光纤依次相连，所述泵浦源以及第一光纤耦合器的一个输出端均与波分复用器的输入端相接，所述第一光纤耦合器的另一个输出端与第二光纤耦合器的输入端相接；
所述偏振无关隔离器的输出端与偏振控制器的输入端相接；所述基于黑砷磷的脉冲激光调制组件中的输出光纤与第一光纤耦合器的输入端相接。
作为上述技术方案的进一步改进，所述增益光纤为掺稀土离子单模光纤。
作为上述技术方案的进一步改进，所述泵浦源为激光二极管。
本发明的有益技术效果：
本发明通过采用黑砷磷二维材料作为可饱和吸收体，能通过采用不同砷磷浓度比的黑砷磷来调控价带与导带之间的间隙，其电子行为类似于半导体，具有独有的电子和光学性质。
附图说明
图1是基于黑砷磷的脉冲激光调制组件的结构示意图；
图2是可饱和吸收体装置的内部结构图；
图3是图2中标识部分的放大示意图；
图4是脉冲光纤激光器的结构示意图；
图5是实施例1的石英管及生长出的黑砷磷晶体的外观图；
图6是实施例2的石英管及生长出的黑砷磷晶体的外观图；
图7是实施例1与实施例2生长出的黑砷磷晶体的Raman及XRD图；
图8是实施例1制备的黑砷磷晶体的SEM图；
图9是不同原子配比的黑砷磷晶体光吸收带隙图；
图10是实施例3实验结果的输出脉冲序列图；
图11是实施例3实验结果的输出单脉冲图；
图12是实施例4实验结果的输出脉冲序列图；
图13是实施例4实验结果的输出单脉冲图；
图14是实施例5实验结果的输出脉冲序列图；
图15是实施例5实验结果的输出单脉冲图。
具体实施方式
为了便于本发明的实施，下面结合具体实例作进一步的说明。
如图1所示，本实施例公开了一种基于黑砷磷的脉冲激光调制组件，包括偏振控制器1与可饱和吸收体装置2；可饱和吸收体装置2包括壳体21以及设在壳体21上的输入光纤22与输出光纤23，输入光纤22与偏振控制器1的输出端相连；偏振控制器1上设有激光输入端11以及激光输出端12，激光输入端11用于与外接激光源相连，激光通过偏振控制器1后经激光输出端12输出，使得激光输出端12所输出的激光的偏振态可调。激光输出端12与输入光纤22相接，使得偏振态可调的激光进入可饱和吸收体装置2，输入光纤22与输出光纤23在壳体21内通过可饱和吸收组件相连，使得激光经过可饱和吸收组件后在输出光纤23内产生光脉冲，可饱和吸收组件上设有可饱和吸收体，输入光纤22内的偏振态可调激光经过可饱和吸收组件上的可饱和吸收体后进入输出光纤23，可饱和吸收体由黑砷磷制成。
通过激光输出端12与输入光纤22相接使得偏振态可调激光进入可饱和吸收体装置2，随后通过可饱和吸收体装置2中的可饱和吸收组件连接输入光纤22与输出光纤23，其中输入光纤22内的偏振态可调激光经过黑砷磷制成的可饱和吸收体后进入输出光纤23，利用黑砷磷的非线性吸收特性，对从输入光纤22进入壳体21的激光的时域特性进行调制，同时通过偏振控制器1调整激光的偏振态，即能实现脉冲激光的输出，结构简单且易于搭建。
参考图2与图3，可饱和吸收组件包括位于壳体21内的第一连接光纤241与第二连接光纤242，可饱和吸收体为夹持在第一连接光纤241的尾端与第二连接光纤242的首端之间的薄膜243，薄膜243由黑砷磷制成，第一连接光纤241的首端与输入光纤22相接，第二连接光纤242的尾端与输出光纤23相接。其中，第一连接光纤241与输入光纤22一体成型，第二连接光纤242与输出光纤23一体成型。第一连接光纤241的尾端与第二连接光纤242的首端通过光纤法兰244相连，两个光纤法兰244连接第一连接光纤241与第二连接光纤242的过程中将砷磷薄膜243夹持在第一连接光纤241与第二连接光纤242之间，其中，光纤法兰244为FC-PC跳线头跳线用单模法兰。激光从输入光纤22进入第一连接光纤241，随后从第一连接光纤241的尾端射出，穿过薄膜243后进入第二连接光纤242，在穿过薄膜243的过程中利用黑砷磷的非线性吸收特性，对从输入光纤22进入壳体21的激光的时域特性进行调制，进程在输出光纤23中产生脉冲。
优选的，可饱和吸收组件还可以包括喷涂在第一连接光纤241与第二连接光纤242的侧面上薄膜层245，薄膜层245由黑砷磷制成，在激光经过第一连接光纤241与第二连接光纤242的过程中，利用黑砷磷的非线性吸收特性和光纤外层的倏逝场效应，可以对从输入光纤22进入壳体21的激光的时域特性进行调制，进而提升脉冲激发效果。
如图4所示，本实施例还公开了一种脉冲光纤激光器，包括泵浦源3、波分复用器4、增益光纤5、偏振无关隔离器6、第一光纤耦合器7以及上述基于黑砷磷的脉冲激光调制组件；波分复用器4、增益光纤5、偏振无关隔离器6、基于黑砷磷的脉冲激光调制组件中的偏振控制器1、基于黑砷磷的脉冲激光调制组件中的可饱和吸收体装置2、第一光纤耦合器7通过光纤依次相连，泵浦源3以及第一光纤耦合器7的一个输出端均与波分复用器4的输入端相接，第一光纤耦合器7的另一个输出端与第二光纤耦合器的输入端相接；偏振无关隔离器6的输出端与偏振控制器1的输入端相接；基于黑砷磷的脉冲激光调制组件中的输出光纤23与第一光纤耦合器7的输入端相接。
具体的：
泵浦源3，为激光二极管，用于输出泵浦光，其中心波长位于980nm附近。在本实例中，测得的输出的功率在50mW以下。
波分复用器4，具有第一输入端、第二输入端和第一输出端；第一输入端接收泵浦源3输出的激光，第一输入端接收第一光纤耦合器7输出的反馈信号；通过波分复用器4对激光和反馈光信号进行光信号合成，并通过第一输出端输出合成光束，本实施例中，波分复用器4的工作波长是980nm\/1550nm，波分复用器4的尾纤类型为SMF-28的普通单模光纤。
增益光纤5，为掺铒单模光纤，用于接收波分复用器4输出的合成光束，采用掺铒光纤作为增益光纤5，具有吸收增益谱宽，高光电转换效率，容易输出脉冲激光。
偏振无关隔离器6，设置于增益光纤5和偏振控制器1之间，使激光只能在设定方向上透过，确保光的单向传输，本实施例中，偏振无关隔离器6采用中心波长为1550nm的偏振无关的隔离器。
偏振控制器1，接受从偏振无关隔离器6中传输出的激光，对激光进行偏振处理，输出至可饱和吸收体装置2中。
可饱和吸收体装置2，利用其中的二维黑砷磷材料的非线性效应对激光进行处理并输出，当光较弱时，可饱和吸收体吸收大部分光，当光较强时，可饱和吸收体几乎不吸收光，对光有“漂白”作用。
第一光纤耦合器7分束比为90:10、2×1型的光纤耦合器，其中，90％用于腔内振荡，10％用于输出。
第二光纤耦合器分束比为80:20、2×1型的光纤耦合器，其中，80％用于接入示波器，20％用于输出。
上述激光器的工作过程具体如下：
泵浦源3输出的泵浦光经过波分复用器4入射到掺铒单模增益光纤5进行增益，产生激光；激光入射到偏振无关隔离器6中，保证了激光在环形腔内的单向传输，偏振控制器1接收到从偏振无关隔离器6中出射的激光，调整激光的偏振态，之后激光进入可饱和吸收体装置2中，与可饱和吸收体相互作用，随后通过第一光纤耦合器7进行分光，90％的光接入波分复用器4，用于腔内振荡，形成闭合环形腔，10％的光接入第二光纤耦合器，第二光纤耦合器中80％接入示波器用于测量，20％用于输出，可以测量输出功率和接入光谱仪测量光波长。
本实施例中，采用黑砷磷作为可饱和吸收体，其电子行为类似于半导体，它是一种半导体材料。可能的应用领域包括晶体管和传感器，以及机械柔性的半导体器件。目前可以在无高大气压条件下合成黑砷磷，这使得能量更少、成本更低，价带和导带之间的间隙可以通过调整砷的浓度进行精确控制。这使得我们能够生产具有以前无法获得的电子和光学性质材料。
本实施例还公开了一种上述的黑砷磷可饱和吸收体薄膜的制备方法，具体包括以下步骤：
S1、将砷磷混合物、锡粉与四碘化锡以质量比例10～60:1～3:0.5～1进行配料，利用分子泵机组和氢氧火焰将配料真空封装在5×10-3<\/sup>～15×10-3<\/sup>pa的石英管中，将配料真空封装在低压的石英管时控制石英管中配料的含量为15～30mg\/cm3<\/sup>。其中，砷磷混合物中砷和磷的比例可以自由调配，通过设计黑砷磷二维材料中砷和磷的比例调控价带和导带之间的间隙，实现具有特殊电子和光学性质，符合脉冲光纤激光器需求
其中，砷磷混合物中的砷为高纯灰砷，即纯度在99.99％以上的灰砷，磷为高纯红磷晶体，即纯度在99.99％以上的红磷晶体，采用廉价的灰砷与红磷块材，有效的降低制备成本。本实施例中的石英管的壁厚1～2mm，外径10mm或15mm或20mm，或者其他尺寸石英管。
S2、将封好的石英玻璃管水平放置在加热炉的加热区，以3～5℃\/min的速度加热加热炉到700℃～800℃并在加热后保持炉温2～3h。其中，加热炉包含但不仅限于管式炉以及马弗炉。
S3、在7～8h内将炉温冷却至450～550℃以完成对加热炉的第一次冷却，并在第一次冷却后保持炉温3～4h；
S4、在3～4h内将炉温冷却室温以完成对加热炉的第二次冷却，第二次冷却后在石英管的冷端得到黑砷磷晶体；
S5、将所得到的黑砷磷块材进行电解，获得液态二维的黑砷磷薄膜。电解过程，使用双电极方法进行电解，其中黑砷磷晶体作为阴极，阳极为铂电极；
S6、对液态二维的黑砷磷薄膜进行抽滤，获得固态二维的黑砷磷薄膜，即实施例中能够与光纤复合使用的可饱和吸收体。
上述方法优化了黑砷磷的制备过程，具体以廉价的红磷块材，灰砷晶体，锡粉和四碘化锡粉末作为原料，通过矿化剂辅助化学气相输运的方法，在较短时间以及较低压强下，制备出不同元素比例的高质量层状黑砷磷晶体。采用沸点适中的四碘化锡(沸点为364℃)代替了二碘化铅(沸点为954℃)和碘(沸点为184.3℃)，降低了生长温度提高了输运效率，同时可以防止封管的时候碘挥发导致真空泵腔体发生腐蚀。提高了转化率，没有其他杂质相产生，避免了有毒物质的生成，具有绿色环保的优点。而且生长控制在一天之内，提高了生长效率；生长设备简单，不局限于常见的管式炉，马弗炉等，温度区间稳定的炉子均可使用，单次产率只限于炉子容量，提高了产率，为放大生产提供了技术支持。不同砷磷元素配比的黑砷磷晶体具有不同的半导体带隙，因此应用范围更广。
实施例1
将原子比0.5:0.5的高纯灰砷和红磷晶体的混合与锡粉以及四碘化锡按照25:1:0.6的质量比装入外径10mm、壁厚为1mm的石英管中，利用分子泵机组和氢氧火焰将石英块真空密封至10-2<\/sup>Pa，将密封好的石英管水平放入管式炉的加热区中，设定炉内温度，首先将炉子以5℃\/min的速度加热到750℃，在750℃下保持3小时后，在5小时内将炉冷却至500℃并在该温度下再保持4小时。在3小时内进一步缓慢冷却至室温。在石英玻璃管的冷端可以得到黑砷磷晶体b-As0.5<\/sub>P0.5<\/sub>，如图5所示。
实施例2
将原子比0.83:0.17的高纯灰砷和红磷晶体与锡粉以及四碘化锡按照30:2:1.5的质量比装入外径15mm、壁厚为1.5mm的石英管中，利用分子泵机组和氢氧火焰将石英块真空密封至10-2<\/sup>Pa，将密封好的石英管水平放入马弗炉的加热区中，设定炉内温度，首先将炉子以4℃\/min的速度加热到750℃，在750℃下保持3小时后，在7小时内将炉冷却至500℃并在该温度下再保持4小时。在5小时内进一步缓慢冷却至室温。在石英玻璃管的冷端可以得到黑砷磷晶体b-As0.83<\/sub>P0.17<\/sub>，如图6所示。
将实施例1与实施例2所得的黑砷磷晶体b-As0.5<\/sub>P0.5<\/sub>与b-As0.83<\/sub>P0.17<\/sub>进行XRD和Raman表征，结果如图7所示；将实验所得的黑砷磷晶体b-As0.5<\/sub>P0.5<\/sub>进行SEM表征，结果如图8所示，证明了生长出了层状的黑砷磷晶体。不同原子配比的黑砷磷晶体光吸收带隙图如图9所示，证明了本方法拓展了黑砷磷的带隙变化及应用范围。
实施例3
以实施例1所制备的黑砷磷晶体b-As0.5<\/sub>P0.5<\/sub>进行电解处理后得到的二维黑砷磷材料作为本实施例中脉冲光纤激光器的可饱和吸收体进行试验，获得的输出脉冲序列如图10所示，输出单脉冲如图11所示。
实施例4
以实施例1所制备的黑砷磷晶体b-As0.83<\/sub>P0.17<\/sub>进行电解处理后得到的二维黑砷磷材料作为本实施例中脉冲光纤激光器的可饱和吸收体进行试验，获得的输出脉冲序列如图12所示，输出单脉冲如图13所示。
实施例5
以黑磷作为本实施例中脉冲光纤激光器的可饱和吸收体进行试验，获得的输出脉冲序列如图14所示，输出单脉冲如图15所示。
由实施例3-5可知，以本实施例中的方法所制备的黑砷磷能够达到与黑磷类似的脉冲激发效果。
以上包含了本发明优选实施例的说明，这是为了详细说明本发明的技术特征，并不是想要将发明内容限制在实施例所描述的具体形式中，依据本发明内容主旨进行的其他修改和变型也受本专利保护。本发明内容的主旨是由权利要求书所界定，而非由实施例的具体描述所界定。
设计图
相关信息详情
申请码:申请号:CN201910049211.7
申请日:2019-01-18
公开号:CN109687280A
公开日:2019-04-26
国家:CN
国家/省市:43(湖南)
授权编号:CN109687280B
授权时间:20191213
主分类号:H01S3/11
专利分类号:H01S3/11;H01S3/10
范畴分类:申请人:中国人民解放军国防科技大学
第一申请人:中国人民解放军国防科技大学
申请人地址:410073 湖南省长沙市开福区德雅路109号
发明人:吴坚;汪进;王涛;来文昌;常洪祥;马阎星;马鹏飞;粟荣涛;姜曼;周朴;姜宗福
第一发明人:吴坚
当前权利人:中国人民解放军国防科技大学
代理人:邱轶
代理机构:43225
代理机构编号:长沙国科天河知识产权代理有限公司
优先权:关键词:当前状态:审核中
类型名称:外观设计