功率器件论文_陈杰,刘峰,饶真真,杨春容,李晔

导读:本文包含了功率器件论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:功率,器件,半导体,制冷机,碳化硅,合金,技术。

功率器件论文文献综述

陈杰,刘峰,饶真真,杨春容,李晔^[1]（2020）在《微波功率器件中AuGe合金焊接界面特征》一文中研究指出在微观尺度上,焊点的可靠性取决于焊料同焊盘之间界面反应生成的界面金属间化合物(IMC)的结构。通过金锗合金焊点的界面反应及微观结构随环境的变化表征了焊点的可靠性,研究了AuGe合金焊料与不同金层厚度的Ni/Au焊盘共晶焊接后其界面特征,同时总结了AuGe合金焊料在Cu和Ni等常见焊盘上的焊接润湿性及其焊接界面特征。切片分析结果显示,在共晶焊接后,厚金样品焊接界面冷却时焊料层析出富Au相形成不规则焊接结合层,Au层厚度减薄50%～60%;薄金样品的Au层全部消失,并在界面处形成很薄的一层富Ni的NiGe化合物。实验结果显示,厚Au层样品未出现Ni向焊接层扩散的现象和NiGe化合物的生成,厚Au层起到了阻挡层作用;薄金样品时,Ni通过互扩散缓慢与Ge形成NiGe化合物,在长期使用中焊接层会通过元素扩散等形式演变,使整个焊接层转变为含氧化层、富P层、NiGe层和AuCuGe合金层等多层结构的IMC,降低了焊点强度,严重影响焊接层可靠性。这说明IMC在焊接过程中主要以界面化学反应方式形成,服役过程中主要以元素扩散方式演变。(本文来源于《微纳电子技术》期刊2020年01期）

邹学锋,丁立强,翟玉卫,刘岩,梁法国^[2]（2019）在《显微红外测温中功率器件的边缘效应及其修正》一文中研究指出针对显微红外热成像中对功率器件进行测温时边缘效应引起的测温误差,提出了采用精密位置调节装置进行修正的方法。分析了显微红外测温中边缘效应产生的原因,认为热膨胀等因素造成了被测功率器件表面两种不同发射率的材料与显微红外热像仪相对位置发生改变,并在两种材料的边缘区域导致明显的测温误差。在理论分析的基础上提出了判断被测件与显微红外热像仪相对位置改变方向的方法,并用显微红外热像仪进行了实验验证。根据被测件表面不同材料的发射率以及测温误差的正负可以判断被测件位置改变的方向,采用精密位移装置补偿这一位置改变即可有效消除边缘效应引起的测温误差。(本文来源于《半导体技术》期刊2019年12期）

葛海波,夏昊天,孙冰冰^[3]（2019）在《碳化硅功率器件的关键技术及标准化研究》一文中研究指出当前随着社会经济的高速发展,功率器件生产规模数量呈不断扩大的趋势,其中硅基为基础的器件性能开发成本逐步提升,这导致碳化硅(SiC)在功率器件的生产过程中的应用受到了人们的重点关注。文章首先介绍了碳化硅功率器件的应用优势,继而分析了碳化硅功率器件的关键技术,并且阐述了相关标准适用性,以便为相关电子产品的生产提供科学合理的参考依据。(本文来源于《科技传播》期刊2019年22期）

魏军,仇钱进,张磊^[4]（2019）在《浅谈DC/DC功率器件在ATE测试过程中的故障分析》一文中研究指出由于数据业务的飞速发展和分布式供电系统的不断推广,DC-DC模块电源的增幅已经超出了一次电源,而且其功率密度也越来越大,对封测得要求也越来越高。大功率DC/DC集成电路或者功率电源控制芯片在研发测试(特别是ATE测试)过程中经常会出现各种各样的产品失效,有些是产品故障,有些却是误判。因此,我们必须学会对失效产品进行故障分析,以甄别失效的真假。(本文来源于《电子质量》期刊2019年11期）

刘珂,高文凯,洪迪峰^[5]（2019）在《随钻仪器工业级功率器件拓展应用研究》一文中研究指出随钻仪器工业级功率器件是井下电路不可缺少的电子元器件,其自身发热量大,而井筒的高温环境不利于热量扩散,造成其温升过高导致性能下降甚至损坏,从而影响随钻测量。对其进行温度控制,拓展其工作温度上限很有必要。鉴于此,设计了一种随钻仪器功率器件温控试验系统。通过试验研究获取数据,借助最小二乘法建立温控模型,预测随钻仪器工业级功率器件拓展应用温度上限。研究结果表明:在85℃环境中,通过温控试验系统,可将模拟功率器件所代替的工业级功率器件温度上限拓展至122. 7℃,拓展幅度达到37. 7℃,拓展率上升44. 4%;可将真实功率器件所代替的工业级功率器件温度上限拓展至150℃以上,拓展幅度超过65℃,拓展率超过75. 3%。该温控试验系统对随钻仪器工业级功率器件具有良好的温控效果,具备拓展其温度上限的能力,同时温控试验系统开启后300 s内,可使模拟功率器件和真实功率器件温度均低于环境温度30℃以上,并趋于稳定,具有响应速度快的特点。(本文来源于《石油机械》期刊2019年11期）

刘乐^[6]（2019）在《功率半导体器件封装技术的新趋势分析》一文中研究指出功率半导体体积较小、输出功率非常大,在现代制造行业当中有着非常广泛的应用,对其封装技术进行讨论,有利于全面提高功率半导体器件应用的有效性。基于此,本文主要分析功率半导体器件封装当中的关键技术,并结合具体的器件封装发展情况,分析这种封装技术的新趋势。(本文来源于《科学技术创新》期刊2019年30期）

^[7]（2019）在《第五届全国新型半导体功率器件及应用技术研讨会》一文中研究指出为紧跟国际功率半导体器件技术发展步伐,推动我国新型半导体功率器件技术水平进一步提高,加快其成果转化和应用推广,增强自主创新能力,由中国半导体行业协会半导体分立器件分会主办的"第五届全国新型半导体功率器件及应用技术研讨会"于2019年11月22—24日在广东深圳召开。本会议是继厦门、昆明、长沙、苏州成功举办后,全国新型半导体功率器件及应用领域又一次重要的学术与技术交流活动,将为广大从事新型半导体功率材料、器件及其应用技术的工作者提供一个高起点、大范围、多领域的沟通平台,增进产、学、研之间的技术交流,相互学习,共同提高。为此,会议组(本文来源于《微纳电子技术》期刊2019年11期）

刁华彬,杨凯,赵超,罗军^[8]（2019）在《新一代功率半导体β-Ga_2O_3器件进展与展望》一文中研究指出Ga_2O_3是一种新兴的超宽禁带半导体材料,具有超宽带隙4.8 eV、超高理论击穿电场8 MV/cm以及超高的Baliga品质因数等优良特性,作为下一代高功率器件材料其越来越受到人们的关注。首先,回顾了宽禁带半导体材料β-Ga_2O_3的基本性质,包括β-Ga_2O_3的晶体结构和电学性质,简述了基于β-Ga_2O_3制造的功率器件,主要包括肖特基势垒二极管(SBD)和金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)。总结回顾了β-Ga_2O_3SBD和MOSFET近年来的研究进展,比较了不同结构器件的特性,并分析了目前β-Ga_2O_3功率器件存在的问题。分析表明,β-Ga_2O_3用于高功率和高压电子器件具有巨大潜力。(本文来源于《微纳电子技术》期刊2019年11期）

王品贺,杨明,商书宇,吕泽楷,徐殿国^[9]（2019）在《基于GaN功率器件伺服驱动系统的设计与研究》一文中研究指出GaN等高频功率器件应用于电机驱动领域,高频化后的驱动系统能够显着减小系统的体积、重量和成本,但也会带来du/dt和di/dt过大的问题。首先设计了基于GaN功率器件伺服驱动器的硬件电路,对GaN驱动电路中PCB设计存在的问题进行了详细的分析,并给出了PCB寄生参数的优先级顺序,同时用FPGA控制器实现了电机的双闭环控制算法,最后通过仿真和实验,实现了电机的转速控制,这对于GaN功率器件在电机驱动领域的推广和应用具有实际意义。(本文来源于《电气传动》期刊2019年10期）

袁嘉隆,夏姚忠,胡一峰,柯攀,韩健^[10]（2019）在《一种功率分立器件最大输出电流的计算方法》一文中研究指出基于MATLAB数值计算工具,以典型的TO封装IGBT器件为研究对象,从规格书的测试曲线中获得拟合参数,建立了频率与最大输出电流关系的计算模型,结果显示:结壳稳态热阻值对最大输出电流的计算结果具有明显影响,使用实测结壳稳态热阻所计算出的最大输出电流与规格书的测试数据具有较好的吻合,最大误差约为8%。(本文来源于《电子器件》期刊2019年05期）

功率器件论文开题报告

（1）论文研究背景及目的

此处内容要求：

首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。

写法范例：

针对显微红外热成像中对功率器件进行测温时边缘效应引起的测温误差,提出了采用精密位置调节装置进行修正的方法。分析了显微红外测温中边缘效应产生的原因,认为热膨胀等因素造成了被测功率器件表面两种不同发射率的材料与显微红外热像仪相对位置发生改变,并在两种材料的边缘区域导致明显的测温误差。在理论分析的基础上提出了判断被测件与显微红外热像仪相对位置改变方向的方法,并用显微红外热像仪进行了实验验证。根据被测件表面不同材料的发射率以及测温误差的正负可以判断被测件位置改变的方向,采用精密位移装置补偿这一位置改变即可有效消除边缘效应引起的测温误差。

（2）本文研究方法

调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。

观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。

实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。

文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。

实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。

定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。

定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。

跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。

功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。

模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。

功率器件论文参考文献

[1].陈杰,刘峰,饶真真,杨春容,李晔.微波功率器件中AuGe合金焊接界面特征[J].微纳电子技术.2020

[2].邹学锋,丁立强,翟玉卫,刘岩,梁法国.显微红外测温中功率器件的边缘效应及其修正[J].半导体技术.2019

[3].葛海波,夏昊天,孙冰冰.碳化硅功率器件的关键技术及标准化研究[J].科技传播.2019

[4].魏军,仇钱进,张磊.浅谈DC/DC功率器件在ATE测试过程中的故障分析[J].电子质量.2019

[5].刘珂,高文凯,洪迪峰.随钻仪器工业级功率器件拓展应用研究[J].石油机械.2019

[6].刘乐.功率半导体器件封装技术的新趋势分析[J].科学技术创新.2019

[7]..第五届全国新型半导体功率器件及应用技术研讨会[J].微纳电子技术.2019

[8].刁华彬,杨凯,赵超,罗军.新一代功率半导体β-Ga_2O_3器件进展与展望[J].微纳电子技术.2019

[9].王品贺,杨明,商书宇,吕泽楷,徐殿国.基于GaN功率器件伺服驱动系统的设计与研究[J].电气传动.2019

[10].袁嘉隆,夏姚忠,胡一峰,柯攀,韩健.一种功率分立器件最大输出电流的计算方法[J].电子器件.2019

论文知识图

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