论文摘要
ZnGeP2晶体在2～2. 5μm有几个吸收峰,GeZn及VZn这两种点缺陷对此波段吸收峰产生影响。利用实验与模拟计算相结合方法进行研究,首先通过理论计算的方法确定了理想ZnGeP2晶体的电子本征吸收和自由激子吸收引起的吸收位能量大于1. 85 e V区间,对应的波长小于670 nm。其次通过实验的方法采用过量0. 5at% Ge的非化学计量配比,生长出了有大量的GeZn缺陷的晶体,再在富P的环境下退火。通过与化学计量比生长的ZnGeP2晶体吸收谱对比分析得知:2～2. 3μm的吸收峰主要是GeZn缺陷产生的,2. 4μm以后的吸收峰为VZn点缺陷产生。最后基于密度泛函理论,运用VASP软件包来进行第一性原理计算,验证了这一结论。
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文章来源
类型: 期刊论文
作者: 方声浩,谢华,杨顺达,庄巍,叶宁
关键词: 点缺陷,红外吸收谱
来源: 人工晶体学报 2019年12期
年度: 2019
分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑
专业: 化学
单位: 中国科学院福建物质结构研究所
基金: 国家自然科学基金重大项目(51890862)
分类号: O614.241
DOI: 10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2019.12.001
页码: 2169-2173
总页数: 5
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