论文摘要
从垃圾渗滤液中分离得到了一株亚硝化单胞菌Nitrosomonas eutropha CZ-4,其16S rDNA序列与N. eutropha C91的相似性达99%.研究了pH值、温度、游离亚硝酸浓度、盐度等对其生长的影响,并测试了其在垃圾渗滤液、黑臭水和富营养化湖水中的脱氨效果.结果表明,该菌的最适生长pH值为7.3~8.7,最适生长温度为30.9℃,游离亚硝酸和盐度对该菌的半数抑制浓度分别约为0.11mg/L与2%.在最佳发酵条件下,该菌的最大氨氮去除速率为58mg/(L·h),最短倍增时间为8.2h;在不同类型的污水/地表水(初始氨氮浓度为0.66~603mg/L)中,该菌的最大氨氮去除速率为11.4mg/(L·h),最短倍增时间为10.9h,最低残余氨氮浓度为0.11mg/L.
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 熊英,向斯,程凯
关键词: 自养氨氧化菌,垃圾渗滤液,亚硝化单胞菌,氨氮去除速率,倍增时间
来源: 中国环境科学 2019年08期
年度: 2019
分类: 工程科技Ⅰ辑,基础科学
专业: 生物学,环境科学与资源利用
单位: 湖北工业大学资源与环境工程学院河湖生态修复与藻类利用湖北省重点实验室,武汉微盛科创环境生物科技有限公司
基金: 国家科技重大专项(2017ZX07602002)
分类号: X703;X172
DOI: 10.19674/j.cnki.issn1000-6923.2019.0400
页码: 3365-3372
总页数: 8
文件大小: 833K
下载量: 162
相关论文文献
- [1].硅片酸腐蚀过程中去除速率的控制[J]. 城市建设理论研究(电子版) 2017(19)
- [2].固结磨料研磨蓝宝石单晶的材料去除特性分析[J]. 南京航空航天大学学报 2020(01)
- [3].偏心距在偏心抛光中对去除速率均匀性的影响[J]. 机械制造与自动化 2009(01)
- [4].集成电路铜互连钌阻挡层异质材料去除选择性的研究[J]. 电镀与涂饰 2020(01)
- [5].新型阻挡层材料钌的研究进展[J]. 微纳电子技术 2018(12)
- [6].白细胞去除速率对血液质量的影响[J]. 中国输血杂志 2012(S1)
- [7].抛光压力与表面活性剂对铜CMP均匀性的影响[J]. 半导体技术 2017(02)
- [8].温度对厌氧氨氧化反应器脱氮效能稳定性的影响[J]. 环境科学 2012(04)
- [9].300mm硅晶圆粗抛速率优化[J]. 微纳电子技术 2016(11)
- [10].复合络合剂在阻挡层抛光液中的应用[J]. 半导体技术 2019(11)
- [11].钴与钛的去除速率选择比控制及电偶腐蚀[J]. 半导体技术 2019(11)
- [12].无氧化剂条件下铜钴CMP去除速率的控制[J]. 微纳电子技术 2018(01)
- [13].抛光垫使用寿命对铜CMP平均去除速率一致性的影响[J]. 微纳电子技术 2017(10)
- [14].味精废水生物除碳脱氮动力学特性的研究[J]. 中国给水排水 2009(15)
- [15].TSV Cu CMP碱性抛光液及工艺[J]. 微纳电子技术 2013(11)
- [16].新型GLSI弱碱性铜抛光液稳定性研究[J]. 半导体技术 2017(12)
- [17].弱碱性多羟多胺抛光液稳定性[J]. 微纳电子技术 2013(12)
- [18].多羟多胺在TSV铜膜CMP中的应用研究[J]. 功能材料 2013(24)
- [19].单流中间包挡墙对夹杂物去除速率的影响[J]. 辽宁科技大学学报 2018(03)
- [20].新型碱性抛光液对300 mm TaN镀膜片CMP效果评估[J]. 半导体技术 2017(11)
- [21].碱性抛光液对铜与钽CMP选择比的影响[J]. 微纳电子技术 2012(11)
- [22].GLSI阻挡层钌化学机械抛光去除速率的控制[J]. 微纳电子技术 2016(05)
- [23].反应条件对零价铁去除As(Ⅲ)动力学的影响[J]. 环境化学 2011(05)
- [24].高碘酸钾和双氧水对Cu,Ru和TaN去除速率影响的对比[J]. 微纳电子技术 2018(11)
- [25].铜膜高去除速率CMP碱性抛光液的研究及其性能测定[J]. 表面技术 2014(03)
- [26].CMP中TEOS去除速率的一致性[J]. 微纳电子技术 2017(09)
- [27].FAMS中的颗粒切削的微观机理的研究[J]. 电子工业专用设备 2019(01)
- [28].CP4研抛晶片时非均匀性和材料去除速率研究[J]. 金刚石与磨料磨具工程 2014(03)
- [29].不同pH值下过氧化氢对Ru的CMP的影响[J]. 微纳电子技术 2017(01)
- [30].BIT作为缓蚀剂在铜互连阻挡层CMP的应用[J]. 半导体技术 2020(04)