导读:本文包含了分凝系数论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:系数,晶体,氟化,生长率,晶形,离子,吸收光谱。
分凝系数论文文献综述
阎哲华,代丽,孙晋,姜发同,刘威[1]（2016）在《TSSG法生长Zr:Fe:LiNbO_3晶体及其分凝系数》一文中研究指出采用顶部耔晶法生长了不同Li/Nb(Li/Nb=0.94,1.05,1.20and1.38)的Zr:Fe:LiNbO_3单晶.测试了Zr:Fe:LiNbO_3晶体的分凝系数.实验结果表明,Li/Nb=1.38的Zr:Fe:LiNbO_3晶体有的Zr离子分凝系数减少并趋于1,随着熔体中Li/Nb比增加,晶体Li/Nb比增加,结合LiNbO_3晶体的占位机制和锂空位缺陷解释了这一实验结果.(本文来源于《哈尔滨理工大学学报》期刊2016年04期）
S.Nakano,K.Kakimoto[2]（2007）在《多晶硅定向凝固工艺过程杂质分凝系数的模拟》一文中研究指出杂质如C、N、O以及SiC和Si_3N_4沉淀物的含量和均匀性对多晶硅太阳电池效率的影响起着重要的作用。我们建立了一个多晶硅定向凝固的完整的瞬态热迁移模型以及基于Si-C相元图求解熔融硅中SiC粒子沉淀物的化学反应模型。通过计算阐明了在定向凝固工艺过程中C在熔融硅中的分凝和沉淀形成的特性。研究了硅原料中杂质浓度和凝固工艺条件对凝固硅锭中的替位C分布和SiC沉淀分布的影响。结果表明当硅原料中C的浓度超过1.26×10~(17)atoms/cm~3时,随着C浓度的进一步增加,凝固的硅锭中SiC沉淀的含量在数量上和空间上就显着增加。通过优化工艺条件可以控制C和SiC沉淀物的分布。(本文来源于《第二届晶体硅太阳电池及材料科学与技术国际研讨会论文集》期刊2007-12-01）
夏海平,王金浩,曾宪林,章践立,张新民[3]（2005）在《ICP与吸收光谱测定LiNbO_3,Zn:LiNbO_3晶体中Cr~(3+)离子的分布及有效分凝系数》一文中研究指出应用坩埚下降法生长了掺杂Cr与双掺杂Cr,Zn的LiNbO3晶体。测定了掺杂晶体不同部位的吸收系数。用电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP)法测定了Cr离子在LN晶体中的浓度,并计算了Cr离子在LiNbO3晶体中的有效分凝系数。研究结果表明:在单掺杂Cr的LiNbO3晶体中,随着Cr3+ 掺杂浓度从0 1增加到0 5mol%时,其有效分凝系数从3 75减少到2 4 9,Cr3+ 离子在晶体中的浓度分布差异逐步减少;ZnO的掺入能有效地减少Cr3+ 的分凝系数,然而ZnO掺杂浓度从3增加到6mol%时,其有效分凝系数且从1 85增加到2 2 5。可从ZnO组分对Cr离子的排斥作用及Zn离子在LN晶体中随掺杂数量变化的分凝现象解释了产生Cr离子浓度及有效分凝系数变化的原因。(本文来源于《光谱学与光谱分析》期刊2005年06期）
徐晓东,赵志伟,宋平新,李抒智,周国清[4]（2004）在《Yb∶YAG晶体的晶胞参量及Yb~(3+)分凝系数的研究》一文中研究指出应用提拉法生长出不同Yb3+ 浓度的Yb3xY3( 1-x) Al5O12 晶体 Yb3+ 离子的分凝系数 1是 1 .0 8±0 .0 1 ,与Yb3+ 离子掺杂浓度无关 研究了Yb3xY3( 1-x) Al5O12 晶体的晶胞参量 ,推导出联系晶胞参量、密度与Yb3+ 离子掺杂浓度的关系方程式(本文来源于《光子学报》期刊2004年05期）
傅秦生,王焕然,姜国栋[5]（2002）在《透平压缩机级间冷却器中具有可分凝组分气体混合物粘性系数和导热系数的计算》一文中研究指出通过透平压缩机级间冷却器具有可分凝组分气体混合物迁移性质各种计算方法的比较、验证和选择 ,以及有关计算关联式较为精确的拟合 ,确立了合理有效的计算方法和混合法则。在相平衡计算的基础上 ,利用所确立的方法和FORTRAN程序对具有可分凝组分气体混合物的粘性系数和导热系数进行计算 ,取得了较为满意的结果(本文来源于《风机技术》期刊2002年02期）
那木吉拉图,袁兵,阮永丰,袁静[6]（2001）在《稀土离子在LiYF_4晶体中的有效分凝系数》一文中研究指出在CF4气氛中成功地生长出高质量的掺叁价稀土离子的LiYF4晶体 ,测试了 16种稀土离子在LiYF4晶体中的有效分凝系数 .叁价稀土离子在LiYF4晶体中的有效分凝系数随离子半径变化是有规律的 ,离子半径小于Y3 +的稀土离子的有效分凝系数都大于 1,离子半径大于Y3 +的稀土离子的有效分凝系数都小于 1,并且后者随离子半径增大而单调减小 .这种变化规律主要与离子进入晶体后对晶胞的畸变作用有关 .(本文来源于《硅酸盐学报》期刊2001年06期）
赵志伟,姜彦岛[7]（2000）在《(Yb~(3+),Nd~(3+))∶Ca_3(VO_4)_2晶体的电荷补偿与分凝系数的关系》一文中研究指出讨论了Ca3(VO4 ) 2 晶体中由于叁价的Yb3+ 离子和Nd3+ 离子代替二价的Ca2 + 离子带来的电价不平衡问题 ,采用了 3种电价补偿方法 ,即阳离子空位电价平衡方法、四价阳离子替代五价V5+离子补偿电价方法和直接填充法。采用ICP AES法测量了不同电荷平衡方式下的各离子浓度 ,估算了 3种电荷平衡方式下的有效分凝系数 :空位方式Nd3+ 的分凝系数为 1.2 0在添加方式下的分凝系数为 0 .92 ;Yb3+ 分凝系数在空位方式下为 1.0 4在四价阳离子补偿方式下为 1.0 2。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2000年02期）
李铭华,杨春晖,赵业权,徐悟生,贾晓林[8]（1998）在《共掺ZnO提高LiNbO_3晶体中Ho~(3+)分凝系数的研究》一文中研究指出在Ｈｏ∶ＬｉＮｂＯ３中掺入摩尔分数为６％的ＺｎＯ，生长（Ｈｏ，ＺｎＯ）∶ＬｉＮｂＯ３晶体．用电感耦合等离子体发射光谱（ＩＣＰ－ＡＥＳ）法，测定了晶体不同部位Ｈｏ３＋的浓度，并计算其分凝系数．共掺ＺｎＯ后，晶体中Ｈｏ３＋的分凝系数由０．３提高到０．６，表明Ｈｏ３＋在晶体中分布更均匀．对双掺Ｈｏ和Ｚｎ的ＬｉＮｂＯ３晶体组分均匀性提高的机理进行了探讨(本文来源于《硅酸盐学报》期刊1998年02期）
韦江维,何华辉[9]（1997）在《液相外延生长磁性石榴石薄膜中铋的分凝系数与生长率的关系》一文中研究指出在Ｂｉ２Ｏ３－ＰｂＯ－Ｂ２Ｏ３复合助熔剂中，采用等温浸渍液相外延技术在ＧＧＧ基片的（１１１）面上生长了（Ｂｉ，Ａｌ）∶ＹＩＧ薄膜。通过调整过冷度和基片转速来改变薄膜的生长速率。测量了外延膜中铋的含量。给出了铋的分凝系数的表达式，并计算了铋的分凝系数。讨论了铋的分凝系数与生长率的定量关系。发现ＫＢｉ符合ＢＰＳ生长模型。(本文来源于《功能材料》期刊1997年05期）
朱洪滨,潘佩聪,颜声辉,王四亭,柴耀[10]（1991）在《掺铬硅酸镁单晶中铬分凝系数的测定》一文中研究指出Mg_2SiO_4:Cr是近年来新发现的一种终态声子激光晶体,其可调谐范围和Al_2O_3:Ti~(3+)晶体调谐范围相接,是一种有前途的近红外可调谐晶体。提拉法晶体生长过程中,掺杂离子的分凝系数值对于确定晶体生长工艺参数,提高晶体质量有着重要的参考作用。掺铬硅酸镁单(本文来源于《人工晶体学报》期刊1991年Z1期）
分凝系数论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
杂质如C、N、O以及SiC和Si_3N_4沉淀物的含量和均匀性对多晶硅太阳电池效率的影响起着重要的作用。我们建立了一个多晶硅定向凝固的完整的瞬态热迁移模型以及基于Si-C相元图求解熔融硅中SiC粒子沉淀物的化学反应模型。通过计算阐明了在定向凝固工艺过程中C在熔融硅中的分凝和沉淀形成的特性。研究了硅原料中杂质浓度和凝固工艺条件对凝固硅锭中的替位C分布和SiC沉淀分布的影响。结果表明当硅原料中C的浓度超过1.26×10~(17)atoms/cm~3时,随着C浓度的进一步增加,凝固的硅锭中SiC沉淀的含量在数量上和空间上就显着增加。通过优化工艺条件可以控制C和SiC沉淀物的分布。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
分凝系数论文参考文献
[1].阎哲华,代丽,孙晋,姜发同,刘威.TSSG法生长Zr:Fe:LiNbO_3晶体及其分凝系数[J].哈尔滨理工大学学报.2016
[2].S.Nakano,K.Kakimoto.多晶硅定向凝固工艺过程杂质分凝系数的模拟[C].第二届晶体硅太阳电池及材料科学与技术国际研讨会论文集.2007
[3].夏海平,王金浩,曾宪林,章践立,张新民.ICP与吸收光谱测定LiNbO_3,Zn:LiNbO_3晶体中Cr~(3+)离子的分布及有效分凝系数[J].光谱学与光谱分析.2005
[4].徐晓东,赵志伟,宋平新,李抒智,周国清.Yb∶YAG晶体的晶胞参量及Yb~(3+)分凝系数的研究[J].光子学报.2004
[5].傅秦生,王焕然,姜国栋.透平压缩机级间冷却器中具有可分凝组分气体混合物粘性系数和导热系数的计算[J].风机技术.2002
[6].那木吉拉图,袁兵,阮永丰,袁静.稀土离子在LiYF_4晶体中的有效分凝系数[J].硅酸盐学报.2001
[7].赵志伟,姜彦岛.(Yb~(3+),Nd~(3+))∶Ca_3(VO_4)_2晶体的电荷补偿与分凝系数的关系[J].人工晶体学报.2000
[8].李铭华,杨春晖,赵业权,徐悟生,贾晓林.共掺ZnO提高LiNbO_3晶体中Ho~(3+)分凝系数的研究[J].硅酸盐学报.1998
[9].韦江维,何华辉.液相外延生长磁性石榴石薄膜中铋的分凝系数与生长率的关系[J].功能材料.1997
[10].朱洪滨,潘佩聪,颜声辉,王四亭,柴耀.掺铬硅酸镁单晶中铬分凝系数的测定[J].人工晶体学报.1991
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