SOI基高响应度TFET探测器的设计与仿真

论文摘要

提出一种SOI基的新型隧穿场效应晶体管（TFET）探测器结构,将光电二极管与TFET结合,实现光信号的探测放大。光电二极管的正极与TFET的栅极互连,感光后光电二极管的光生电势调控TFET的沟道势垒,控制TFET的输出电流,实现光信号到电流信号的转化。陡峭的亚阈值摆幅能有效放大输出电流,提高TFET探测器的响应度。应用SILVACO完成探测器结构和性能的模拟仿真。光电二极管的光生电势通过较薄的BOX区形成了TFET的底部栅压,增强了对沟道势垒的控制能力,增大了输出电流,结果表明,探测器对弱光具有较高的响应度,当入射光强小于10mW/cm2时,响应度可超过104A/W。此外,通过调整光电二极管的反偏电压、在源区与沟道间插入n+口袋等方法可显著提高探测器的输出电流和响应度。

论文目录

• 0 引言
• 1 器件结构和工作原理
• 2 结果和讨论
• 3 结论

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 王雪飞,谢生,毛陆虹,王续霏,杜永超

关键词: 光电探测器,绝缘体上硅,隧穿场效应晶体管,响应度,弱光探测

来源: 光子学报 2019年12期

年度: 2019

分类: 基础科学,信息科技

专业: 无线电电子学

单位: 天津大学微电子学院天津市成像与感知微电子技术重点实验室,天津大学电气自动化与信息工程学院

基金: 国家自然科学基金(No.61474081),集成光电子学国家重点实验室开放课题(No.IOSKL2017KF07)~~

分类号: TN386

页码: 7-13

总页数: 7

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