导读:本文包含了磁光存储论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献，主要关键词:薄膜,光存储,磁场,克尔,多层,矫顽力,晶态。
磁光存储论文文献综述写法
方云团,胡坚霞,徐青松,倪志瑶,何韩庆[1]（2015）在《基于单向边界模式与磁性微腔模式耦合的磁光存储系统》一文中研究指出光存储系统是未来全光通信和全光计算的关键要素。基于有限元方法的仿真实验研究,设计了一种新型的光学存储系统,该系统基于磁光光子晶体单向边界模式与微腔模式的耦合。应用磁光光子晶体单向边界模式特性形成闭合回路。设计另外的单向波导和磁性微腔,电磁信号不仅能从闭合回路中取出,而且能写入回路。通过外加磁场控制微腔属性,可动态实现电磁信号的读写操作。(本文来源于《中国激光》期刊2015年11期）
马姣民[2]（2011）在《单相Ag_2O光存储和磁光存储薄膜的射频磁控溅射研究》一文中研究指出本文利用射频磁控溅射(RF sputtering)技术,通过调制氧氩比(OFR= [O2]/[Ar]).衬底温度(T)和溅射功率(P)在玻璃衬底上制备了一系列单相Ag2O薄膜,并重点研究了不同工艺参数对Ag2O薄膜的微结构和光学性质的影响。利用X射线衍射谱和扫描电子显微镜对薄膜的微结构和表面特性进行了表征；利用分光光度计、椭圆偏振光谱技术和经典的单振子模型研究了Ag2O薄膜的光学性质,并拟合了与薄膜光学性质相关的光学常数等物理参数。在此基础上,通过构建通用振子模型研究了薄膜的微结构和光学性质之间的关系。主要的创新性研究结果如下：1.用RF sputtering技术制备了单相的Ag2O薄膜,使氧化银薄膜热分解临界温度降低到约200℃。提出将RF sputtering技术制备的单相Ag2O薄膜取代两相结构的AgxO薄膜有可能有效解决AgxO在短波方向的光存储和磁光存储应用瓶颈。2.采用RF sputtering技术,在T=200℃,OFR=0.667, P=200 W条件下制备了具有最好的<111>择优取向的单相Ag2O薄膜。随着P从120 W增大到240 W,薄膜的<111>方向上的平均晶粒尺寸会先从22.92 nm增大到27.96nm,然后再减小到26.66 nm,薄膜表面结构会从均匀、致密的表面结构向疏松、多孔结构的演变。3.采用RF sputtering技术,在P=200 W,OFR=0.667条件下通过改变T制备了一系列的Ag2O薄膜。T≤200℃时,制备的Ag2O薄膜均呈现出良好的<111>择优取向。随着T从100℃升高到225℃,Ag2O薄膜的结晶趋于变差。随着T的增大,Ag2O薄膜<111>方向上的平均晶粒尺寸从17.79 nm增加到30.60 nm.。薄膜的表面结构明显呈现了从均匀、致密的表面结构向疏松、混乱沟壑结构的演变。薄膜透明区的反射率和透射率随T的逐渐增大逐渐降低,而吸收率逐渐增高。随着T的增大,制备的Ag2O薄膜的光学带隙Eg,opt总体从3.25 eV减小到2.77 eV。4.利用RF sputtering技术,在T=200℃,P=200 W的条件下通过改变OFR制备了一系列的Ag2O薄膜,其中OFR=0.667条件下制备的单相Ag2O薄膜的质量最好,该薄膜具有明显的<111>择优取向。随着OFR的增加,薄膜的<111>方向的平均晶粒尺寸从23.65 nm增大到28.41nm,而薄膜的电导率在不断地F降大小保持在10-4的数量级。薄膜在近红外区的透射率均超过70%,在可见光区域急剧下降。薄膜的光学带隙在3.266 eV和3.107 eV之间。5借助测量的椭圆偏振光谱,并利用通用振子模型(包括1个Tauc-Lorentz振子和2个Lorentz振子)拟合了单相Ag2O膜的厚度、折射率、消光系数和光学带隙等参数。结果显示,正常色散发生在2.13 eV以下,反常色散发生在3.3 eV以上,与等离子振动频率一致。Eo和Ed别是单振子的能量和散射能,拟合的单振子模型参数Eo和Ed别为3.546 eV和13.367 eV。表明由射频磁控溅射法制备的Ag2O膜为离子型合物。根据单一谐振子模型,计算的带隙参数Ea等离子频率(?)ωρ别为0.89 eV和3.44 eV。(本文来源于《郑州大学》期刊2011-05-01）
王晶[3]（2009）在《蓝光超分辨磁光存储介质和性能的研究》一文中研究指出建立在磁光克尔效应基础上的磁光存储技术兼有磁存储和光存储的优点。蓝光技术和超分辨读出技术是提高磁光存储密度的两个重要手段,为了能进一步提高其存储密度,研究提出将两者的优势相结合,以期制备出具有更高存储密度的蓝光超分辨存储介质,这对于磁光存储技术的发展具有重要的意义。本工作采用直流磁控溅射法制备了Pt_3Co/TbFeCo和NdGdFeCo/TbFeCo交换耦合双层薄膜,利用表面磁光克尔效应(SMOKE)系统、振动样品磁强计(VSM)、Kerr谱仪等仪器测试了薄膜的磁及磁光性能,同时研究了双层薄膜的蓝光超分辨交换耦合性能。并对单层膜的制备工艺对性能的影响做了深入的研究。通过制备工艺的调整,得到了平面磁化的Pt_3Co与NdGdFeCo合金薄膜,垂直磁化的TbFeCo非晶合金薄膜。在80W、3.0Pa,基片温度300℃生长10nm条件下制备得到了Pt_3Co合金薄膜,其特性为:T_c=160℃,H_c=100Oe。在60W、0.8Pa室温下生长50nm条件下制备得到了Nd_(12)Gd_(23)(Fe_(75)Co_(25))_(65)非晶合金薄膜,其特性为:H_c=300Oe,θ_k=0.42°(λ=300nm),T_(comp)=90℃的。在60W、1.0Pa室温下生长50nm条件下制备得到了Tb_(20)(Fe_(85)Co_(15))_(80)非晶合金薄膜,其特性为:H_c =3500Oe, T_(comp)小于室温、T_c≈250℃的。各薄膜的性能表明,Pt_3Co和NdGdFeCo合金薄膜可以作为蓝光超分辨的读出层,TbFeCo合金薄膜为记录层介质。通过对耦合双层膜中各单层膜工艺的调整,首次在不间断真空的条件下制备了Pt_3Co/TbFeCo和NdGdFeCo/TbFeCo双层薄膜。Pt_3Co/Tb_(20)(Fe_(85)Co_(15))_(80)双层薄膜在160℃时读出层(Pt_3Co)磁化方向由平面变为垂直与记录层方向一致;当Nd_(12)Gd_(23)(Fe_(75)Co_(25))_(65)/Tb_(20) (Fe_(85)Co_(15))_(80)双层薄膜在温度为90℃时,读出层(Nd_(12)Gd_(23)(Fe_(75)Co_(25))_(65))磁化方向转变成与记录层方向一致。这两种耦合薄膜的读出层在室温时平面磁化对记录层起到了掩膜的作用,高温时均转变成垂直磁化实现信息由记录层到读出层地复制,实现了中心孔超分辨(CAD-MSR)读出效应。作为读出层的PtCo和NdGdFeCo合金薄膜在短波长时均有强克尔信号,因此,Pt_3Co/TbFeCo和NdGdFeCo/TbFeCo双层结构的耦合薄膜可以作为蓝光超分辨磁光存储介质。(本文来源于《上海师范大学》期刊2009-04-01）
熊钢[4]（2004）在《磁光存储及其介质的研究》一文中研究指出简要讨论了磁光存储的原理,论述了磁光存储介质的共性及其实用化所必须具备的性能,对磁光存储技术的发展作了展望(本文来源于《咸宁学院学报》期刊2004年03期）
郑玉祥,巨晓华,张荣君,王松有,李晶[5]（2003）在《磁光存储多层膜系统的光学与热分析方法》一文中研究指出采用光学转移矩阵法计算激光照射下磁光存储多层膜的磁光及光学响应、光强分布及焦耳热损失分布 ,再用有限元方法求解在这种多层膜中的热传导方程 ,从而得到激光照射下多层膜系统中的温度场分布 .这种方法可用于磁光光盘的光学与热学设计 .(本文来源于《红外与毫米波学报》期刊2003年01期）
王现英,张约品,沈德芳,干福熹[6]（2002）在《超高密度磁光存储及其介质研究进展》一文中研究指出短波长 (蓝光 )磁光存储、磁光超分辨近场结构光存储 (Super RENS)、混合记录技术是近年来发展起来的超大容量磁光存储技术 ,文章介绍了这些技术用于超高密度磁光存储的原理 ,并对其研究现状及发展前景作了全面综述 .(本文来源于《物理》期刊2002年12期）
刘畅[7]（2002）在《叁巨头联袂催熟磁光存储》一文中研究指出叁家厂商这次合作的目的十分明确——融合惠普的产品、SONY的技术实力以及OTG先进的管理软件,打造一整套高可用性MO存储解决方案,并以此吸引广大用户及ISV(本文来源于《互联网周刊》期刊2002年10期）
周勋,王海,梁冰清,王荫君,唐云俊[8]（2001）在《磁光存储介质的研究》一文中研究指出从硬磁盘的存储出发讨论了磁光存储的现状和未来发展。分析了第一代、第二代磁光存储介质的理论和应用的研究状况 ,说明磁和磁光存储在信息存储中的应用潜力。(本文来源于《贵州师范大学学报(自然科学版)》期刊2001年03期）
Gary,Potts[9]（2000）在《有关磁光存储技术的一些术语》一文中研究指出数据存储行业的发展促成了一批术语的问世,这是些只用一组字母来表示的术语。与其他技术行业相似,随着时间的推移,字母后面的意义常常会变得模糊起来。下文介绍了一些磁光(MO)存储器件中“字母后面”的含义。数值孔径 光学透镜的数值孔径(NA)越大则表示其成像越清晰越明亮,而对于MO驱动器的激光元件而言,越大的数值孔径表示入射光束的直径或盘面上的光点直径越小。典型磁光产品(符合ISO标准)的透镜NA值是0.55,随着激光器、透镜及光纤技术的不断发展,数值孔径大小有可能提高至1.0,这已是固体透镜的折射极限了。(本文来源于《今日电子》期刊2000年07期）
胡琅,宋惠忠,沈德芳[10]（1998）在《磁场调制直接重写磁光存储介质的记录特性研究》一文中研究指出用直流共溅射方法制备了富稀土－过渡族金属非晶态合金薄膜。用数值计算的方法计算了激光照射下多层膜结构盘片的温度场分布，分析了盘片材料成分和结构对热磁记录的影响。对盘片结构进行了优化设计并选定了合适的磁光层和电介质层厚度。实验盘片可在低偏场和低激光功率下记录，盘片的读写性能基本符合２５英寸可擦重写磁光盘（ＭｉｎｉＤｉｓｋ）的使用要求。(本文来源于《功能材料与器件学报》期刊1998年03期）
磁光存储论文开题报告范文
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文利用射频磁控溅射(RF sputtering)技术,通过调制氧氩比(OFR= [O2]/[Ar]).衬底温度(T)和溅射功率(P)在玻璃衬底上制备了一系列单相Ag2O薄膜,并重点研究了不同工艺参数对Ag2O薄膜的微结构和光学性质的影响。利用X射线衍射谱和扫描电子显微镜对薄膜的微结构和表面特性进行了表征；利用分光光度计、椭圆偏振光谱技术和经典的单振子模型研究了Ag2O薄膜的光学性质,并拟合了与薄膜光学性质相关的光学常数等物理参数。在此基础上,通过构建通用振子模型研究了薄膜的微结构和光学性质之间的关系。主要的创新性研究结果如下：1.用RF sputtering技术制备了单相的Ag2O薄膜,使氧化银薄膜热分解临界温度降低到约200℃。提出将RF sputtering技术制备的单相Ag2O薄膜取代两相结构的AgxO薄膜有可能有效解决AgxO在短波方向的光存储和磁光存储应用瓶颈。2.采用RF sputtering技术,在T=200℃,OFR=0.667, P=200 W条件下制备了具有最好的<111>择优取向的单相Ag2O薄膜。随着P从120 W增大到240 W,薄膜的<111>方向上的平均晶粒尺寸会先从22.92 nm增大到27.96nm,然后再减小到26.66 nm,薄膜表面结构会从均匀、致密的表面结构向疏松、多孔结构的演变。3.采用RF sputtering技术,在P=200 W,OFR=0.667条件下通过改变T制备了一系列的Ag2O薄膜。T≤200℃时,制备的Ag2O薄膜均呈现出良好的<111>择优取向。随着T从100℃升高到225℃,Ag2O薄膜的结晶趋于变差。随着T的增大,Ag2O薄膜<111>方向上的平均晶粒尺寸从17.79 nm增加到30.60 nm.。薄膜的表面结构明显呈现了从均匀、致密的表面结构向疏松、混乱沟壑结构的演变。薄膜透明区的反射率和透射率随T的逐渐增大逐渐降低,而吸收率逐渐增高。随着T的增大,制备的Ag2O薄膜的光学带隙Eg,opt总体从3.25 eV减小到2.77 eV。4.利用RF sputtering技术,在T=200℃,P=200 W的条件下通过改变OFR制备了一系列的Ag2O薄膜,其中OFR=0.667条件下制备的单相Ag2O薄膜的质量最好,该薄膜具有明显的<111>择优取向。随着OFR的增加,薄膜的<111>方向的平均晶粒尺寸从23.65 nm增大到28.41nm,而薄膜的电导率在不断地F降大小保持在10-4的数量级。薄膜在近红外区的透射率均超过70%,在可见光区域急剧下降。薄膜的光学带隙在3.266 eV和3.107 eV之间。5借助测量的椭圆偏振光谱,并利用通用振子模型(包括1个Tauc-Lorentz振子和2个Lorentz振子)拟合了单相Ag2O膜的厚度、折射率、消光系数和光学带隙等参数。结果显示,正常色散发生在2.13 eV以下,反常色散发生在3.3 eV以上,与等离子振动频率一致。Eo和Ed别是单振子的能量和散射能,拟合的单振子模型参数Eo和Ed别为3.546 eV和13.367 eV。表明由射频磁控溅射法制备的Ag2O膜为离子型合物。根据单一谐振子模型,计算的带隙参数Ea等离子频率(?)ωρ别为0.89 eV和3.44 eV。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
磁光存储论文参考文献
[1].方云团,胡坚霞,徐青松,倪志瑶,何韩庆.基于单向边界模式与磁性微腔模式耦合的磁光存储系统[J].中国激光.2015
[2].马姣民.单相Ag_2O光存储和磁光存储薄膜的射频磁控溅射研究[D].郑州大学.2011
[3].王晶.蓝光超分辨磁光存储介质和性能的研究[D].上海师范大学.2009
[4].熊钢.磁光存储及其介质的研究[J].咸宁学院学报.2004
[5].郑玉祥,巨晓华,张荣君,王松有,李晶.磁光存储多层膜系统的光学与热分析方法[J].红外与毫米波学报.2003
[6].王现英,张约品,沈德芳,干福熹.超高密度磁光存储及其介质研究进展[J].物理.2002
[7].刘畅.叁巨头联袂催熟磁光存储[J].互联网周刊.2002
[8].周勋,王海,梁冰清,王荫君,唐云俊.磁光存储介质的研究[J].贵州师范大学学报(自然科学版).2001
[9].Gary,Potts.有关磁光存储技术的一些术语[J].今日电子.2000
[10].胡琅,宋惠忠,沈德芳.磁场调制直接重写磁光存储介质的记录特性研究[J].功能材料与器件学报.1998