导读:本文包含了超薄栅氧化层论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:电流,电压,斜坡,缺陷,结构,等离子体,氧化物。
超薄栅氧化层论文文献综述
赵文彬,李蕾蕾,于宗光[1]（2009）在《超薄栅氧化层等离子体损伤的工艺监测》一文中研究指出随着集成电路向深亚微米、纳米技术发展,等离子体充电对制造工艺造成的影响,尤其对超薄隧道氧化层的损伤越来越显着.本文分析了等离子体工艺损伤机理以及天线效应,设计了带有多晶、孔、金属等层次天线监测结构的电容和器件,并有不同的天线比.设计结构简单、完全工艺兼容,测试结果直观、测量灵敏度高等优点,实现了等离子体损伤芯片级工艺监控.测试分析表明,不同的膜层结构,等离子体损伤程度不同,当天线比大于103以后,充电损伤变得明显.同时测试也发现了工艺损伤较为严重的环节,为优化制造工艺,提高超薄栅氧化层抗等离子体损伤能力提供了科学的依据.(本文来源于《电子学报》期刊2009年05期）
熊海,孔学东,章晓文[2]（2008）在《超薄栅氧化层中应力诱导漏电流的研究》一文中研究指出随超大规模集成电路的发展,栅氧化层的质量在器件和电路的可靠性方面起非常重要的作用。应力诱导漏电流(SILC)已经成为评价栅氧化层质量的重要参数。在这篇文章中栅漏电流的变化量被用来监控MOSFET器件中氧化层的老化。本文就栅漏电流和栅氧化层的可靠性的关系进行了研究。(本文来源于《中国电子学会可靠性分会第十四届学术年会论文选》期刊2008-11-01）
栾苏珍,刘红侠,贾仁需[3]（2008）在《动态应力下超薄栅氧化层经时击穿的可靠性评价》一文中研究指出实验发现动态电压应力条件下,由于栅氧化层很薄,高电平应力时间内隧穿入氧化层的电子与陷落在氧化层中的空穴复合产生中性电子陷阱,中性电子陷阱辅助电子隧穿.由于每个周期的高电平时间较短(远远低于电荷的复合时间),隧穿到氧化层的电子很少,同时低电平应力时间内一部分电荷退陷,形成的中性电子陷阱更少.随着应力时间的累积,中性电子陷阱达到某个临界值,栅氧化层突然击穿.高电平时形成的陷阱较少和低电平时一部分电荷退陷,使得器件的寿命提高.(本文来源于《物理学报》期刊2008年04期）
廖翠萍[4]（2007）在《超薄栅氧化层的TDDB特性与寿命评估》一文中研究指出随着超大规模集成电路的不断发展,超薄栅氧化层的质量对器件和电路可靠性的作用越来越重要。经时绝缘击穿(TDDB)是评价薄栅氧化层质量的重要方法。本文介绍了氧化硅结构及其作为栅氧化层的击穿机理和几种主要TDDB击穿模型,重点介绍了其中的1/E模型。论述了薄栅氧化层TDDB可靠性表征方法及其相关参数。采用恒定电压法,对同一种工艺条件,沟道长为90nm,栅氧化层厚度为1.4nm的NMOSFET施加五种电压应力,测试其相应的击穿时间。比较了相同器件在不同电应力条件下击穿时间和击穿栅漏电流的差异,通过不同应力下样品的击穿时间得到与其对应的栅氧化层累积失效分布图和中位寿命,进而完成1/E模型参数的提取,最后由模型外推出器件在正常工作电压下栅氧化层的寿命,并分别从应力类别和应力大小两个方面对实验结果进行了修正。此外,栅氧化层发展的另一个方向是寻找高k栅介质替代传统的氧化硅,文中就如何选择高k栅介质材料进行了论述,并对氧化硅的理想替代物HfO_2及其电学特性做了详细讨论。(本文来源于《西安电子科技大学》期刊2007-01-01）
贾高升,许铭真,谭长华,段小蓉[5]（2006）在《用DTPDO研究超薄栅氧化层的诱生缺陷》一文中研究指出应用直接隧道比例差分(DTPDO)谱技术研究了深亚微米MOS器件超薄栅氧化层的应力诱生缺陷。实验结果发现超薄栅氧化层直接隧道栅电流的比例差分谱存在明显的叁个谱峰。这意味着在超薄栅氧化层退化的过程中有叁种氧化层高场诱生缺陷共存。研究结果表明,叁种缺陷的饱和缺陷密度均随着应力电压和应力温度的增加而增加。叁种缺陷的特征产生时间常数与器件的实验温度、所加的应力电压和氧化层的失效时间相关。(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊2006年04期）
马晓华,郝跃,陈海峰,曹艳荣,周鹏举[6]（2006）在《电压应力下超薄栅氧化层n-MOSFET的击穿特性》一文中研究指出研究了90nm工艺下栅氧化层厚度为1.4nm的n-MOSFET的击穿特性,包括V-ramp(斜坡电压)应力下器件栅电流模型和CVS(恒定电压应力)下的TDDB(经时击穿)特性,分析了电压应力下器件的失效和退化机理.发现器件的栅电流不是由单一的隧穿引起,同时还有电子的翻越和渗透.在电压应力下,SiO2中形成的缺陷不仅降低了SiO2的势垒高度,而且等效减小了SiO2的厚度(势垒宽度).另外,每一个缺陷都会形成一个导电通道,这些导电通道的形成增大了栅电流,导致器件性能的退化,同时栅击穿时间变长.(本文来源于《物理学报》期刊2006年11期）
王彦刚,许铭真,谭长华,段小蓉[7]（2006）在《基于类渗流导电的超薄栅氧化层软击穿后的电流模拟》一文中研究指出研究了超薄栅氧化层(≤3.0nm)软击穿(softbreakdown,SBD)后的栅电流和衬底电流特性.提出了一个基于类渗流导电的SBD后栅电流和衬底电流的解析公式———类渗流导电公式.该公式能够在较大的电压范围(-4～+3V)模拟氧化层SBD后的栅电流和衬底电流的电流电压特性,为超薄栅氧化层可靠性的研究提供了一个较为简便的公式.(本文来源于《半导体学报》期刊2006年04期）
王彦刚,许铭真,谭长华,段小蓉[8]（2005）在《超薄栅氧化层n-MOSFET软击穿后的导电机制》一文中研究指出研究了恒压应力下超薄栅氧化层n型金属-氧化物-半导体场效应晶体管(n-MOSFET)软击穿后的导电机制.发现在一定的栅电压Vg范围内,软击穿后的栅电流Ig符合Fowler-Nordheim隧穿公式,但室温下隧穿势垒b的平均值仅为0·936eV,远小于Si/SiO2界面的势垒高度3·15eV.研究表明,软击穿后,处于Si/SiO2界面量子化能级上的电子不隧穿到氧化层的导带,而是隧穿到氧化层内的缺陷带上.b与缺陷带能级和电子所处的量子能级相关;高温下,激发态电子对隧穿电流贡献的增大导致b逐渐降低.(本文来源于《物理学报》期刊2005年08期）
韩静,李斌[9]（2004）在《超薄栅氧化层中的软击穿的击穿机理和击穿模型》一文中研究指出软击穿是与氧化层质量密切相关的一种新击穿形式。当氧化层厚度小于5 mm时,软击穿效应显着,是超薄栅氧化层的主要失效机理。通过对国外软击穿研究状况的分析,对超薄栅氧化层中软击穿的失效模型和机理进行了综述。(本文来源于《电子产品可靠性与环境试验》期刊2004年03期）
霍宗亮,毛凌锋,谭长华,许铭真[10]（2003）在《直接隧穿应力下超薄栅氧化层中的多缺陷产生行为(英文)》一文中研究指出基于一阶速率方程 ,讨论了恒定电压应力下应力电流的饱和行为 .通过对应力电流的拟合 ,发现存在叁类缺陷产生的前身 .更进一步的统计实验显示 ,在缺陷产生时间常数、击穿时间以及应力电压之间存在着明确的关系 .这意味着缺陷产生时间常数能够被用于有效预测氧化层的寿命 .与常规的氧化层击穿实验相比 ,基于缺陷产生时间常数的预测更快、更有效(本文来源于《半导体学报》期刊2003年02期）
超薄栅氧化层论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
随超大规模集成电路的发展,栅氧化层的质量在器件和电路的可靠性方面起非常重要的作用。应力诱导漏电流(SILC)已经成为评价栅氧化层质量的重要参数。在这篇文章中栅漏电流的变化量被用来监控MOSFET器件中氧化层的老化。本文就栅漏电流和栅氧化层的可靠性的关系进行了研究。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
超薄栅氧化层论文参考文献
[1].赵文彬,李蕾蕾,于宗光.超薄栅氧化层等离子体损伤的工艺监测[J].电子学报.2009
[2].熊海,孔学东,章晓文.超薄栅氧化层中应力诱导漏电流的研究[C].中国电子学会可靠性分会第十四届学术年会论文选.2008
[3].栾苏珍,刘红侠,贾仁需.动态应力下超薄栅氧化层经时击穿的可靠性评价[J].物理学报.2008
[4].廖翠萍.超薄栅氧化层的TDDB特性与寿命评估[D].西安电子科技大学.2007
[5].贾高升,许铭真,谭长华,段小蓉.用DTPDO研究超薄栅氧化层的诱生缺陷[J].固体电子学研究与进展.2006
[6].马晓华,郝跃,陈海峰,曹艳荣,周鹏举.电压应力下超薄栅氧化层n-MOSFET的击穿特性[J].物理学报.2006
[7].王彦刚,许铭真,谭长华,段小蓉.基于类渗流导电的超薄栅氧化层软击穿后的电流模拟[J].半导体学报.2006
[8].王彦刚,许铭真,谭长华,段小蓉.超薄栅氧化层n-MOSFET软击穿后的导电机制[J].物理学报.2005
[9].韩静,李斌.超薄栅氧化层中的软击穿的击穿机理和击穿模型[J].电子产品可靠性与环境试验.2004
[10].霍宗亮,毛凌锋,谭长华,许铭真.直接隧穿应力下超薄栅氧化层中的多缺陷产生行为(英文)[J].半导体学报.2003
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