导读:本文包含了载流子浓度论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献，主要关键词:载流子,浓度,电化学,薄膜,效应,等离子体,电导率。
载流子浓度论文文献综述写法
刘志坤,姚佰栋[1]（2019）在《一种测量石墨烯载流子浓度的光学方法》一文中研究指出本文根据FritsZernike提出的相衬成像技术—红外相差显微镜,将有助于石墨烯将来的研究和应用。远红外至部分中红外波段,石墨烯相位的变化比强度的变化更加敏感,并且随着载流子浓度的增加,相位与强度的比值越来越大。根据上述原理,可用红外相差显微镜来检测石墨烯载流子浓度,这种方法能够高效、快速和方便地检测载流子浓度。这将为以后的石墨烯研究和应用带来便利。(本文来源于《电子技术与软件工程》期刊2019年17期）
傅聪[2]（2019）在《ZnO半导体载流子浓度的拉曼光谱研究》一文中研究指出ZnO由于其室温禁带宽度大、激子束缚能高等优点,未来有望在半导体短波长发光领域实现应用。近年来,有关ZnO材料制备、掺杂、LED器件、LD器件、纳米结构方面的研究也有长足进展。但是,材料最终能否应用于实际,不仅仅需要对材料生长、器件制备工艺有深入理解,还需要相关半导体表征技术的发展。对于半导体材料来说,电学性能是极为关键的性能。随着材料器件结构、微观结构的复杂化,传统的电学性能测试(如霍尔效应测试)方法逐渐受到挑战。为此,研究适用性好、检测快速、无损伤的电学性能表征方法具有重要意义。拉曼光谱是解决这一问题的方法之一。基于极性半导体内部等离子体激元-LO声子耦合效应,拉曼光谱能够快速、无损地给出半导体材料的载流子浓度信息。本文基于拉曼光谱技术,研究了其在ZnO薄膜及ZnO基LED器件载流子浓度提取中的应用。主要的研究工作和成果如下:1.拉曼光谱在ZnO薄膜样品载流子浓度表征中的应用。通过对可见光、紫外光激发下ZnO样品的拉曼光谱分析,提出了利用共振拉曼散射研究ZnO薄膜载流子浓度的方法。实验结果发现,在共振拉曼条件下,模型拟合对象1LO模的行为不仅受到耦合作用的影响,还与晶体内缺陷浓度有关。为此,本文提出了利用二阶拉曼峰2LO作为模型拟合对象来消除晶体内缺陷对耦合模的影响。通过基于IIF散射机制和Lindhard-Mermin模型的拟合方法,本研究成功提取了 ZnO样品的载流子浓度。拟合结果与霍尔测试结果在高载流子浓度范围内(n>1019 cm-3)体现了较好的一致性。2.基于2LO的拉曼载流子浓度提取技术在ZnO基LED器件电流扩展层电学性能探测中的应用。对p-GaN/(ZnO/ZnMgO)多量子阱/n-ZnO LED器件进行拉曼散射研究,基于前文研究内容成功提取n-ZnO电流扩展层的载流子浓度n = 1.21 × 1019cm-3。结合器件实际性能和模拟结果,与参考样品进行对比后,半定量地说明了拉曼提取所得电子浓度的可靠性,证实了拉曼光谱在多层结构载流子浓度提取的可能性。(本文来源于《浙江大学》期刊2019-03-01）
黄文超,王晓芳,陈效双,薛玉雄,杨生胜[3]（2018）在《基于肖特基电流输运模型和扫描分布电阻显微术的窄量子阱载流子浓度表征（英文）》一文中研究指出目前对于纳米尺度半导体材料的局域电导与对应载流子浓度关系的描述主要以参数拟合为主。其关系模型主要依赖人工拟合参数,例如理想因子。所以无法从测得局域电导分布来推出载流子浓度分布。为此,提出了一种获取量子阱中载流子浓度的模型。通过小于10nm分辨的截面扫描分布电阻显微术,测得了GaAs/AlGaAs量子阱(110)截面的局域电导分布。基于实验设置,提出了只含有掺杂浓度参量的实验描述模型。通过模型,由测得的量子阱(掺杂浓度从10~(16)/cm~3到10~(18)/cm~3)局域电导分布,推导出了其载流子分布。相对误差在30%之内。(本文来源于《红外与毫米波学报》期刊2018年06期）
郭帅,杨磊,代兵,耿方娟,杨振怀[4]（2018）在《载流子浓度与迁移率对氧化物薄膜红外透明导电性能影响的研究进展》一文中研究指出红外透明导电薄膜凭借其在可见光-红外光范围内高透过和高导电的优点引起了广泛关注.根据德鲁德自由电子理论可知,透明导电薄膜的光学性能和电学性能之间难以协调.为了探明透明导电薄膜能否同时具有中-远红外光学透过性能和高导电性能,首先从电子与光子相互作用的机制出发,分析红外波段光电性能难以协调的本质原因,并提出实现红外透明导电的可能性.其次对近几年氧化物薄膜光电性能研究成果进行综述,探讨其光学性能和电学性能之间的作用关系,揭示了载流子浓度和迁移率与等离子波长和导电性能的关系,得出透明导电薄膜可以同时实现红外宽波段透过性能和高导电性能.最后得出可以通过调节薄膜的载流子浓度和迁移率,实现同时具有红外光学性能和电学性能的薄膜.(本文来源于《中国科学:技术科学》期刊2018年06期）
李勇,刘锋,钟文忠,李亮,李刚[5]（2017）在《量子点场效应单光子探测器二维电子气载流子浓度研究》一文中研究指出设计了一种基于场效应晶体管的量子点场效应单光子探测器(quantum dot field effect transistor,QDFET),建立了二维电子气(two-dimensional electron gas,2DEG)的薛定谔方程和泊松方程,通过对薛定谔方程和泊松方程的自洽求解,对2DEG的载流子浓度进行了模拟。模拟结果显示,AlGaAs的Al组分、δ掺杂层的掺杂浓度以及隔离层的厚度对于2DEG的载流子浓度均有影响。为了使2DEG具有较高的载流子浓度,AlGaAs的Al组分应为0.2~0.4,δ掺杂浓度应为6~8×10~(13)/cm~2,隔离层厚度应在50nm以下。通过对2DEG的载流子浓度进行研究,可以掌握2DEG载流子浓度的影响因素,从而通过优化QDFET结构,可提高2DEG的载流子浓度。这对于高灵敏度QDFET的制备具有重要的意义和应用价值。(本文来源于《光学技术》期刊2017年02期）
周梅,李春燕,赵德刚[6]（2016）在《利用p-n~+结反向I-V特性计算p-GaN载流子浓度的方法》一文中研究指出提出了一种利用p-n~+结反向I-V特性随偏压变化的关系计算p-Ga N载流子浓度的方法.研究发现,当p-n~+中的p-Ga N层没有完全耗尽时,反向电流比较小,属于正常的p-n结电流特性,当反向偏压增加到一定值时,p-Ga N层就完全耗尽,p-n~+结特性就变成了肖特基结特性,反向电流显着增加.找到达到稳定反向电流的临界电压值,就可以计算出p-Ga N的载流子浓度.模拟结果验证了这个思想,计算得到的p-Ga N载流子浓度与设定值基本一致.(本文来源于《物理学报》期刊2016年19期）
徐继平,程凤伶[7]（2016）在《电化学C-V法研究掺硅GaAs材料载流子浓度的分布》一文中研究指出电化学C-V法是当前测量化合物半导体载流子浓度纵向分布的非常重要的方法。本文采用电化学C-V法研究了MOCVD生长的掺硅GaAs多层薄膜的载流子浓度的面分布和纵向分布,并对测试结果进行分析。研究表明电化学C-V法测得的载流子浓度数据可以为研究掺硅GaAs半导体材料载流子浓度工艺优化和改进提供重要指导依据。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2016年09期）
王树峰,王伟,李渝[8]（2016）在《利用浓度分辨光谱研究有机-无机杂化钙钛矿材料中自由载流子与激子的动态共存》一文中研究指出基于有机-无机杂化钙钛矿光伏器件效率已经超过20%,是最有潜力的新一代光伏器件。在器件制备方面人们尝试了多种新的方法,接近最高效率的电池也已经在很多实验室中得以实现,表现出钙钛矿材料是一种具有广泛适应性的、性能优异的光伏材料。但是,这一材料同时也表现出许多令人困惑的新现象,例如,对于环境、制备方法、以及存储条件敏感,导致重复性较差;效率曲线的回滞效应与器件制备和结构密切相关。基本物理参数也具有不确定性,例如通过多种方法测量获得激子结合能,其结果的变化超过一个量级;实验得到的电子-空穴对有效质量也有数倍之差;激发态寿命在薄样品和厚样品中的差别也达到一个量级,含氯钙钛矿材料的寿命还要再高一个量级。这些结果表明材料具有复杂的多重属性,与传统的半导体材料存在显着差异。基于钙钛矿材料的独特之处,我们设计了全新的光物理研究方法:浓度分辨(瞬态)光谱。这一技术基于瞬态时间分辨光谱,提出了直接观察激发态浓度相关光物理的方法。这使得我们可以在数个量级的激发强度内直接观察自由载流子与激子的动态平衡,从而首次在钙钛矿(乃至半导体)材料中观察到二者的浓度相关热平衡现象。同时,这一技术直接揭示了材料的激子结合能,有效质量,以及离子极化在激子形成中的屏蔽作用。这些光物理参数在单一光学实验中得到,从而使我们发现了样品之间光物理特性的明显差异。这些方法和结果将使我们可以方便地研究基于具体样品的构型与物性关系,从而推进人们对这一材料微观机制的深入研究。(本文来源于《第叁届新型太阳能电池学术研讨会论文集》期刊2016-05-21）
文思逸,邹苑庄,胡飞,文圆[9]（2015）在《Cl掺杂对氧化亚铜薄膜载流子浓度及寿命的影响》一文中研究指出采用叁电极体系在硫酸铜-乳酸体系中电化学沉积法制备Cl∶Cu_2O薄膜,通过光电流(I-t)测试、莫特-肖特基(M-s)曲线测试、光电压衰减测试(V-t),研究Cl离子掺杂对氧化亚铜薄膜性能产生的影响。结果表明当p H值为8.5时,可以获得n型氧化亚铜。随着CuCl_2的加入,氧化亚铜薄膜的光电流密度先上升后下降。莫特-肖特基曲线测试的载流子浓度与光电流密度的趋势一致,当Cu Cl2为40 mmol/L时达到最高值,光电流密度为0.11 m A/cm2(较纯氧化亚铜提高了247.6%),载流子浓度为3.58×10~(19)cm~(-3)(较纯氧化亚铜的载流子浓度提高了2457%)。将光电压衰减测试结果进行拟合后发现在40 mmol/L Cu Cl_2溶液中得到的薄膜,其载流子的半衰期提高到了8.92 s,说明较纯氧化亚铜薄膜的光稳定性大大提高了。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2015年11期）
岳贤强,朱铁军,赵新兵[10]（2015）在《PbTe_(0.8)Se_(0.2)基热电材料载流子浓度优化与Mg合金化》一文中研究指出PbTe基合金是目前性能最好的中温区热电材料,近年来受到广泛关注。本文研究了载流子浓度对Na掺杂PbTe0.8Se0.2合金热电性能的影响,在Na含量为2%时,ZT可以达到1.73。在此基础上,利用Mg合金化降低材料晶格热导率的作用,进一步提升材料的热电性能。结果表明,在Mg含量为1~3%的时,ZT值在800K附近都达到了2.0左右。(本文来源于《材料科学与工程学报》期刊2015年05期）
载流子浓度论文开题报告范文
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
ZnO由于其室温禁带宽度大、激子束缚能高等优点,未来有望在半导体短波长发光领域实现应用。近年来,有关ZnO材料制备、掺杂、LED器件、LD器件、纳米结构方面的研究也有长足进展。但是,材料最终能否应用于实际,不仅仅需要对材料生长、器件制备工艺有深入理解,还需要相关半导体表征技术的发展。对于半导体材料来说,电学性能是极为关键的性能。随着材料器件结构、微观结构的复杂化,传统的电学性能测试(如霍尔效应测试)方法逐渐受到挑战。为此,研究适用性好、检测快速、无损伤的电学性能表征方法具有重要意义。拉曼光谱是解决这一问题的方法之一。基于极性半导体内部等离子体激元-LO声子耦合效应,拉曼光谱能够快速、无损地给出半导体材料的载流子浓度信息。本文基于拉曼光谱技术,研究了其在ZnO薄膜及ZnO基LED器件载流子浓度提取中的应用。主要的研究工作和成果如下:1.拉曼光谱在ZnO薄膜样品载流子浓度表征中的应用。通过对可见光、紫外光激发下ZnO样品的拉曼光谱分析,提出了利用共振拉曼散射研究ZnO薄膜载流子浓度的方法。实验结果发现,在共振拉曼条件下,模型拟合对象1LO模的行为不仅受到耦合作用的影响,还与晶体内缺陷浓度有关。为此,本文提出了利用二阶拉曼峰2LO作为模型拟合对象来消除晶体内缺陷对耦合模的影响。通过基于IIF散射机制和Lindhard-Mermin模型的拟合方法,本研究成功提取了 ZnO样品的载流子浓度。拟合结果与霍尔测试结果在高载流子浓度范围内(n>1019 cm-3)体现了较好的一致性。2.基于2LO的拉曼载流子浓度提取技术在ZnO基LED器件电流扩展层电学性能探测中的应用。对p-GaN/(ZnO/ZnMgO)多量子阱/n-ZnO LED器件进行拉曼散射研究,基于前文研究内容成功提取n-ZnO电流扩展层的载流子浓度n = 1.21 × 1019cm-3。结合器件实际性能和模拟结果,与参考样品进行对比后,半定量地说明了拉曼提取所得电子浓度的可靠性,证实了拉曼光谱在多层结构载流子浓度提取的可能性。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
载流子浓度论文参考文献
[1].刘志坤,姚佰栋.一种测量石墨烯载流子浓度的光学方法[J].电子技术与软件工程.2019
[2].傅聪.ZnO半导体载流子浓度的拉曼光谱研究[D].浙江大学.2019
[3].黄文超,王晓芳,陈效双,薛玉雄,杨生胜.基于肖特基电流输运模型和扫描分布电阻显微术的窄量子阱载流子浓度表征（英文）[J].红外与毫米波学报.2018
[4].郭帅,杨磊,代兵,耿方娟,杨振怀.载流子浓度与迁移率对氧化物薄膜红外透明导电性能影响的研究进展[J].中国科学:技术科学.2018
[5].李勇,刘锋,钟文忠,李亮,李刚.量子点场效应单光子探测器二维电子气载流子浓度研究[J].光学技术.2017
[6].周梅,李春燕,赵德刚.利用p-n~+结反向I-V特性计算p-GaN载流子浓度的方法[J].物理学报.2016
[7].徐继平,程凤伶.电化学C-V法研究掺硅GaAs材料载流子浓度的分布[J].人工晶体学报.2016
[8].王树峰,王伟,李渝.利用浓度分辨光谱研究有机-无机杂化钙钛矿材料中自由载流子与激子的动态共存[C].第叁届新型太阳能电池学术研讨会论文集.2016
[9].文思逸,邹苑庄,胡飞,文圆.Cl掺杂对氧化亚铜薄膜载流子浓度及寿命的影响[J].人工晶体学报.2015
[10].岳贤强,朱铁军,赵新兵.PbTe_(0.8)Se_(0.2)基热电材料载流子浓度优化与Mg合金化[J].材料科学与工程学报.2015