导读:本文包含了单片材料论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:无铅介质陶瓷材料,煅烧温度,高稳定性,介电常数ε
单片材料论文文献综述
李文兴,许丹,魏娇[1]（2013）在《高稳定·宽温单片(或独石)电容器用介质陶瓷材料》一文中研究指出利用介质陶瓷材料制造的高稳定、宽温单片(或独石)电容器,广泛应用于航空航天、军事及民用通信及电子设备中。在对介质陶瓷材料组分理论、控制温度工艺研究,以及BaTiO3-MgO3-Nb2O5系材料组分重组的分析的基础上,通过改进研磨工艺,控制煅烧温度等方法,研制出了工作温度范围宽、低损耗、介电常数ε可通过调整、性能稳定性电容器介质陶瓷材料。(本文来源于《电子设计工程》期刊2013年09期）
闫映策[2]（2013）在《面向单片光电子集成的新型材料系理论研究与异变外延生长实验》一文中研究指出本论文工作是围绕课题组承担的国家863计划项目“面向单片集成的新型Ⅲ-Ⅴ族含硼光电子材料的创新性研究”(No：2009AA032417)；国家973计划项目“新型光电子器件中的异质兼容问题与功能微结构体系基础研究”(No：2010CB327600)中的课题二“半导体异质兼容集成中的新型材料系探索与特殊超晶格结构”(No：2010CB327602)以及国家高等学校学科创新引智计划(B07005)项目展开的。新一代光纤通信系统的发展,对新型光电子器件提出了高速化、集成化的要求,光电子器件由分立走向集成将为光纤通信带来重要的变革。而通信光电子器件集成需解决的最突出问题是材料异质兼容的问题。新型光电子材料的预测和异变外延是解决这个瓶颈的重要途径。本论文重点对面向单片光电子集成的新型材料系进行了理论预测并对InP/GaAs的异变外延生长进行了实验研究,主要研究内容和创新点如下：1、利用第一性原理方法和特殊准随机近似,计算了叁元BGaAs合金的结构参数、电子结构、光学性质和热力学性质。讨论了BGaAs带隙宽度和带隙弯曲参数(2.57eV～5.01eV)的变化趋势。分析了BGaAs随组分和温度变化的相变图像,混合形成焓的最大值是161.99meV/atom,解释了高质量BGaAs在通常的生长温度范围内很难合成的原因。2、理论分析了与GaAs基晶格匹配的含硼四元BGaInAs与BGaAsSb合金的电子结构和光学性质。研究了合金中不同原子分布结构的稳定性。得到了B、In和B、Sb的并入对GaAs带隙宽度的影响。在此基础上,对B、In (B、 Sb)的并入对于GaAs的光学参数如介电函数、吸收谱、反射率、折射率和能量耗散函数的影响进行了定量分析。3、研究了叁元稀氮GaP1-xNx合金的结构参数、电子结构性质和混合形成焓。结果表明：对于氮组分为6.25%和9.375%,N原子分布在(000)(222)和(000)(011)(222)位置晶体结构是最稳定的。GaP1-xNx晶胞单位体积与Vegard定理相比存在较大的负偏离;GaP1-xNx合金在x=3.125%时表现出直接带隙的特征,N的并入会显着地降低带隙宽度。4、计算了叁元GaN1-xBix和InP1-xBix合金的能带结构和光学性质。研究表明：随着Bi组分的增加,两种合金的带隙宽度都明显降低；Bi组分在0～6.25%的范围内,GaN1-xBix与InP1-xBix带隙宽度的平均降低速率约分别为227meV/%Bi和89meV/%Bi; Bi并入后对GaN的吸收谱、反射率、折射率和光导率等参数都有较大的改变。5、探索和优化了InP/GaAs异变外延生长工艺。通过低温超薄InP缓冲层及正常InP外延层中插入多周期InP/InGaP应变层超晶格等方法外延生长了正常InP层。采用低温GaAs和低温InP缓冲层生长InP外延层(1.1μm),其XRD co-29扫描的半高全宽为443arcsec。在InP外延层中插入InGaP/InP应变层超晶格,InP外延层的XRD ω-29扫描的半高全宽下降到340arcseC。利用组分渐变缓冲层方案,分别使用组分线性渐变和台阶式渐变两种技术生长了InGaP与InGaA异变缓冲层,分析了其阻挡穿透位错穿入外延层的作用。(本文来源于《北京邮电大学》期刊2013-05-01）
郭维廉,牛萍娟,苗长云,于欣,王伟[3]（2008）在《RTD/HEMT单片集成中RTD直流参数与材料结构的关系》一文中研究指出为了研究器件参数与材料结构的关系,设计了叁种不同的GaAs基RTD材料结构。通过完全相同的器件制造工艺,研制出叁种RTD器件,并测量了它们的9个直流参数。对测量结果进行了对比和分析。最后针对RTD与HEMT集成时,如何处理RTD与HEMT间的电流匹配问题提出了建议。(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊2008年02期）
赵洪斌,陈宏章,刘忠珊[4]（2000）在《纤维复合材料单片板簧的研制》一文中研究指出本文主要叙述汽车用纤维复合材料 (下称 FRP)单片板簧的原材料，成型工艺，板簧结构，吊耳连接及性能试验等研制工作。(本文来源于《纤维复合材料》期刊2000年03期）
张福民[5]（1998）在《磁性材料第3部分:用单片测试仪测量磁性钢片和钢带磁性能的方法》一文中研究指出1目的和适用范围这部分的目的在于规定用单片测试仪测量磁性钢片和钢带磁性能的一般原理和技术细节。IEC404的这部分在工频下适用于：a）晶粒取向的磁性钢片和钢带：1．0T和1．8T之间测量：—比总损耗；—比表观功率；—磁场强度的有效值；在磁场强度的峰值高达(本文来源于《电工合金》期刊1998年04期）
陈国聪,李中国,陈长江[6]（1994）在《应用单片微机改造早期的万能材料试验机》一文中研究指出介绍了应用单片微机改造早期万能材料试验机的硬件和软件结构，给出了求和的数学模型和简捷的算法，阐述了提高数据采集分辨率和准确度的方法以及应用ＰＰ４０打印机作ｘ—Ｙ函数记录仪，实现智能打印和绘图的思路。转换电路中，用１片八位Ａ／Ｄ和Ｄ／Ａ芯片实现１６位Ａ／Ｄ转换。改造好的试验机提高测量效率数十倍，测量精度亦大大提高；仅投资几千元即可达进口几十万元设备的功能。(本文来源于《电脑开发与应用》期刊1994年03期）
陈国聪,李中国,陈长江[7]（1993）在《应用单片微机改造早期的万能材料试验机》一文中研究指出本文介绍了应用单片微机改造早期万能材料试验机的硬件和软件结构;给出了求σ_(0.1)和σ_p的数学模型和简捷的算法;介绍了提高数据采集分辩率和准确度的方法以及应用PP40打印机作X—Y函数记录仪,实现智能打印和绘图的思路。本系统功能全,数据处理能力强。(本文来源于《兵工自动化》期刊1993年03期）
周志乾,李斌[8]（1987）在《高分辨铁磁材料智能检测仪的原理和功能(下)——仪器的单片微机控制系统的工作原理》一文中研究指出高分辨铁磁材料智能检测仪采用单片微机进行数据处理和程序控制,面板上用十进制二位数字直接显示钢筋保护层厚度。为提高测量精度,对电路和程序采用的主要措施有:电源自检、振荡器输出电压的自检、桥路输出平衡的自检与自动补偿及测量厚度结果的自检等。(本文来源于《混凝土与水泥制品》期刊1987年03期）
张汉叁[9]（1987）在《一种新颖的半导体衬底材料——单片化GaAs/Si》一文中研究指出单片化GaAs/Si(MGS)衬底是在Si衬底上生长GaAs薄层而构成的一种复合化衬底,Si和GaAs相辅相成,集二者的长处于一身,而短处得以补救。本文概述了这种衬底材料的开发背景、生长方法、应用现状和存在问题。(本文来源于《半导体情报》期刊1987年02期）
单片材料论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本论文工作是围绕课题组承担的国家863计划项目“面向单片集成的新型Ⅲ-Ⅴ族含硼光电子材料的创新性研究”(No：2009AA032417)；国家973计划项目“新型光电子器件中的异质兼容问题与功能微结构体系基础研究”(No：2010CB327600)中的课题二“半导体异质兼容集成中的新型材料系探索与特殊超晶格结构”(No：2010CB327602)以及国家高等学校学科创新引智计划(B07005)项目展开的。新一代光纤通信系统的发展,对新型光电子器件提出了高速化、集成化的要求,光电子器件由分立走向集成将为光纤通信带来重要的变革。而通信光电子器件集成需解决的最突出问题是材料异质兼容的问题。新型光电子材料的预测和异变外延是解决这个瓶颈的重要途径。本论文重点对面向单片光电子集成的新型材料系进行了理论预测并对InP/GaAs的异变外延生长进行了实验研究,主要研究内容和创新点如下：1、利用第一性原理方法和特殊准随机近似,计算了叁元BGaAs合金的结构参数、电子结构、光学性质和热力学性质。讨论了BGaAs带隙宽度和带隙弯曲参数(2.57eV～5.01eV)的变化趋势。分析了BGaAs随组分和温度变化的相变图像,混合形成焓的最大值是161.99meV/atom,解释了高质量BGaAs在通常的生长温度范围内很难合成的原因。2、理论分析了与GaAs基晶格匹配的含硼四元BGaInAs与BGaAsSb合金的电子结构和光学性质。研究了合金中不同原子分布结构的稳定性。得到了B、In和B、Sb的并入对GaAs带隙宽度的影响。在此基础上,对B、In (B、 Sb)的并入对于GaAs的光学参数如介电函数、吸收谱、反射率、折射率和能量耗散函数的影响进行了定量分析。3、研究了叁元稀氮GaP1-xNx合金的结构参数、电子结构性质和混合形成焓。结果表明：对于氮组分为6.25%和9.375%,N原子分布在(000)(222)和(000)(011)(222)位置晶体结构是最稳定的。GaP1-xNx晶胞单位体积与Vegard定理相比存在较大的负偏离;GaP1-xNx合金在x=3.125%时表现出直接带隙的特征,N的并入会显着地降低带隙宽度。4、计算了叁元GaN1-xBix和InP1-xBix合金的能带结构和光学性质。研究表明：随着Bi组分的增加,两种合金的带隙宽度都明显降低；Bi组分在0～6.25%的范围内,GaN1-xBix与InP1-xBix带隙宽度的平均降低速率约分别为227meV/%Bi和89meV/%Bi; Bi并入后对GaN的吸收谱、反射率、折射率和光导率等参数都有较大的改变。5、探索和优化了InP/GaAs异变外延生长工艺。通过低温超薄InP缓冲层及正常InP外延层中插入多周期InP/InGaP应变层超晶格等方法外延生长了正常InP层。采用低温GaAs和低温InP缓冲层生长InP外延层(1.1μm),其XRD co-29扫描的半高全宽为443arcsec。在InP外延层中插入InGaP/InP应变层超晶格,InP外延层的XRD ω-29扫描的半高全宽下降到340arcseC。利用组分渐变缓冲层方案,分别使用组分线性渐变和台阶式渐变两种技术生长了InGaP与InGaA异变缓冲层,分析了其阻挡穿透位错穿入外延层的作用。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
单片材料论文参考文献
[1].李文兴,许丹,魏娇.高稳定·宽温单片(或独石)电容器用介质陶瓷材料[J].电子设计工程.2013
[2].闫映策.面向单片光电子集成的新型材料系理论研究与异变外延生长实验[D].北京邮电大学.2013
[3].郭维廉,牛萍娟,苗长云,于欣,王伟.RTD/HEMT单片集成中RTD直流参数与材料结构的关系[J].固体电子学研究与进展.2008
[4].赵洪斌,陈宏章,刘忠珊.纤维复合材料单片板簧的研制[J].纤维复合材料.2000
[5].张福民.磁性材料第3部分:用单片测试仪测量磁性钢片和钢带磁性能的方法[J].电工合金.1998
[6].陈国聪,李中国,陈长江.应用单片微机改造早期的万能材料试验机[J].电脑开发与应用.1994
[7].陈国聪,李中国,陈长江.应用单片微机改造早期的万能材料试验机[J].兵工自动化.1993
[8].周志乾,李斌.高分辨铁磁材料智能检测仪的原理和功能(下)——仪器的单片微机控制系统的工作原理[J].混凝土与水泥制品.1987
[9].张汉叁.一种新颖的半导体衬底材料——单片化GaAs/Si[J].半导体情报.1987