W/SiO2基太阳光谱选择性吸收薄膜的制备和表征

论文摘要

采用磁控溅射镀膜仪制备了基于过渡金属W和介质SiO2的6层薄膜样品,膜系结构为Cu （>100.0nm）/SiO2（63.5nm）/W（11.0nm）/SiO2（60.0nm）/W（5.4nm）/SiO2（75.5nm）。在250～2500nm的波长范围内,该样品的太阳光吸收率为95.3%,且在400℃低真空（6Pa）条件下退火72h之后,样品的反射光谱特性变化较小,证明了该样品具有极高的热稳定性。使用红外热成像仪对样品的红外辐射特性进行了在位实时表征,结果表明样品具有低辐射特性。这些优良的特性有利于该样品在太阳能光热转换中的应用。

论文目录

• 1 引言
• 2 实验
•   2.1 样品制备
•   2.2 样品表征
• 3 结果分析
• 4 结论

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 郭帅,吴莹,古同,胡二涛

关键词: 薄膜,太阳光谱选择性吸收,磁控溅射,热辐射,热成像仪

来源: 光学学报 2019年05期

年度: 2019

分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑,工程科技Ⅱ辑

专业: 材料科学,工业通用技术及设备

单位: 南京邮电大学电子与光学工程学院微电子学院

基金: 国家自然科学基金(61605089),南京邮电大学引进人才科研启动基金(NY218107)

分类号: TB383.2

页码: 415-420

总页数: 6

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