导读:本文包含了带隙电压源论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:带隙电压,温度系数,BiCMOS工艺,电源抑制比
带隙电压源论文文献综述
张啸诚,邢建力[1]（2012）在《一种高电源抑制比和高精度带隙电压源设计》一文中研究指出介绍了一种BiCMOS工艺制作的高电源抑制比和高精确度的带隙基准电压源,其输出电压为1.2 V,在-40℃~80℃范围内有较好的温度特性,温度漂移系数为9.8×10-6℃-1。采用电压负反馈原理和减少耦合电容的方法,使电路具有高的电源抑制比,并且电路结构简单,匹配性好。采用Hspice工具对电路进行了仿真,验证了设计的正确性。该电路能广泛用于在电源环境恶劣的场合下工作的集成电路中。(本文来源于《信息与电子工程》期刊2012年03期）
唐宁,赵荣建,李书馨[2]（2012）在《用于开关电源的高精度多基准带隙电压源设计》一文中研究指出带隙基准源是开关电源的重要组成部分。在对传统带隙基准源电路进行分析的基础上,结合曲率校正技术、高增益反馈技术和缓冲隔离技术,提出了一款应用于开关电源的高电源抑制比、低温漂系数和多基准输出新型基准源电路。基于0.5μm CMOS工艺,对电路进行仿真。结果表明,在-25℃～150℃范围内和典型(TT)工艺角下,设计的基准源温漂系数小于3×10-6/℃,PSRR为-78dB,可产生3V,1.2V,1V,0.2V四个基准输出电压。(本文来源于《微电子学》期刊2012年02期）
徐勇,关宇,赵斐,肖红军,阎小静[3]（2006）在《高精度低功耗带隙电压源设计》一文中研究指出设计了一种集成电路中带隙电压参考源。作为IP核集成应用于单芯片集成电路中,提供与温度及电源电压无关的1.22 V电压参考基准。为克服半导体器件本身固有的温度特性,采用正负温度系数相互抵消的方法,设计实现了零温度系数的电压参考源。设计表明,在-45~125°C温度范围内,输出电压温度系数仅为7 ppm/°C,电源抑制比为-75 dB。在5 V电源电压作用下功耗电流为133μA,整个IP核芯片面积为285μm×285μm,采用0.6μm标准CMOS工艺实现。(本文来源于《解放军理工大学学报(自然科学版)》期刊2006年04期）
李仲秋[4]（2004）在《低压CMOS带隙电压源》一文中研究指出介绍了CMOS带隙电压源的基本原理,并根据目前CMOS集成电路工艺发展对低电源电压的要求,详细地分析了几种能产生低输出电压且能兼容标准CMOS工艺的CMOS带隙电压源电路。这些电路所需的电源电压只有1V左右,并且都能够输出1V以下具有零温度系数的参考电压,其中有些电路的输出电压可以由电阻的比值来调节,因而可以增加电路设计的灵活性。本文还对低压CMOS带隙电压源电路的低频和高频噪声特性进行了深入分析, 提出了改善输出参考电压噪声特性的途径。(本文来源于《半导体技术》期刊2004年04期）
带隙电压源论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
带隙基准源是开关电源的重要组成部分。在对传统带隙基准源电路进行分析的基础上,结合曲率校正技术、高增益反馈技术和缓冲隔离技术,提出了一款应用于开关电源的高电源抑制比、低温漂系数和多基准输出新型基准源电路。基于0.5μm CMOS工艺,对电路进行仿真。结果表明,在-25℃～150℃范围内和典型(TT)工艺角下,设计的基准源温漂系数小于3×10-6/℃,PSRR为-78dB,可产生3V,1.2V,1V,0.2V四个基准输出电压。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
带隙电压源论文参考文献
[1].张啸诚,邢建力.一种高电源抑制比和高精度带隙电压源设计[J].信息与电子工程.2012
[2].唐宁,赵荣建,李书馨.用于开关电源的高精度多基准带隙电压源设计[J].微电子学.2012
[3].徐勇,关宇,赵斐,肖红军,阎小静.高精度低功耗带隙电压源设计[J].解放军理工大学学报(自然科学版).2006
[4].李仲秋.低压CMOS带隙电压源[J].半导体技术.2004