导读:本文包含了半导体能带理论论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:能带,半导体,理论,浮选,晶体管,物理化学,溶液。
半导体能带理论论文文献综述
闻军,朱柱[1]（2015）在《“半导体器件原理”课程教学中固体能带理论的应用》一文中研究指出"半导体器件原理"是高等院校微电子以及相关专业的一门重要的专业必修课。本文主要概述了固体物理能带理论及其在该课程教学中的具体应用。笔者的教学实践结果表明,深刻地理解固体能带理论有助于学生对于PN结二极管、双极结型晶体管、肖特基势垒二极管以及金属-氧化物-半导体场效应晶体管等构成半导体器件的基本元器件的物理原理的掌握。(本文来源于《科教文汇(下旬刊)》期刊2015年03期）
李宏煦,王淀佐[2]（2004）在《硫化矿细菌浸出的半导体能带理论分析》一文中研究指出许多硫化矿物为半导体 ,硫化矿氧化浸出过程实际是一半导体 溶液界面电子或空穴转移的过程。基于传统的半导体界面氧化理论 ,系统分析细菌存在时硫化矿 溶液界面电子或空穴转移步骤 ,提出黄铁矿、黄铜矿、铜兰细菌浸出过程的半导体 溶液界面电子及空穴转移模型 ,从半导体能带理论角度揭示了硫化矿细菌氧化浸出机理(本文来源于《有色金属》期刊2004年03期）
陈建华,冯其明,卢毅屏[3]（2000）在《电化学调控浮选能带模型及应用(Ⅰ)①——半导体能带理论及模型》一文中研究指出根据硫化矿物的半导体性质以及硫化矿浮选的电化学特性 ,得出了半导体矿物 溶液界面的电子能级分布能带模型。提出采用矿物浮选常用参数 ,即矿物静电位和矿物颗粒表面动电位来计算硫化矿物的费米能级和边缘能级的简便方法。矿物的禁带宽度、功函数、药剂吸附、溶液性质以及离子强度等因素能够改变矿物边缘能级的大小(本文来源于《中国有色金属学报》期刊2000年02期）
孙水裕,王淀佐,李柏淡[4]（1993）在《无捕收剂浮选的半导体能带理论讨论》一文中研究指出用量子力学计算得到了方铅矿(PbS)和黄铁矿(FeS_2)的半导体能带图,以及分子氧和HS-离子的HOMO和LUMO的能量。计算结果画成方铅矿和黄铁矿半导体与分子氧和HS-离子作用的能级图,从电子转移微观层次上解释这两类矿物的无捕收剂浮选机理(包括自诱导浮选和硫化钠诱导浮选)。结果表明,P型半导体(以黄铁矿为典型代表)具有良好硫化钠诱导浮选行为,N型半导体(以方铅矿为典型代表)具有良好自诱导浮选行为。电子载流子浓度(n_e)与空穴载流子浓度(n_p)之比值可以作为一个参数来判断无捕收剂浮选行为:n_c/n_p值大,自诱导浮选行为好;n_p/n_e值大,硫化钠诱导浮选行为好。(本文来源于《北京矿冶研究总院学报》期刊1993年03期）
半导体能带理论论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
许多硫化矿物为半导体 ,硫化矿氧化浸出过程实际是一半导体 溶液界面电子或空穴转移的过程。基于传统的半导体界面氧化理论 ,系统分析细菌存在时硫化矿 溶液界面电子或空穴转移步骤 ,提出黄铁矿、黄铜矿、铜兰细菌浸出过程的半导体 溶液界面电子及空穴转移模型 ,从半导体能带理论角度揭示了硫化矿细菌氧化浸出机理
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
半导体能带理论论文参考文献
[1].闻军,朱柱.“半导体器件原理”课程教学中固体能带理论的应用[J].科教文汇(下旬刊).2015
[2].李宏煦,王淀佐.硫化矿细菌浸出的半导体能带理论分析[J].有色金属.2004
[3].陈建华,冯其明,卢毅屏.电化学调控浮选能带模型及应用(Ⅰ)①——半导体能带理论及模型[J].中国有色金属学报.2000
[4].孙水裕,王淀佐,李柏淡.无捕收剂浮选的半导体能带理论讨论[J].北京矿冶研究总院学报.1993
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