导读:本文包含了剂量与辐射效应论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:HZO铁电薄膜,MFIS,总剂量电离辐射
剂量与辐射效应论文文献综述
孙琦,曾诗妍,付秀涛,刘巧玲,彭强祥[1]（2019）在《TiN/HZO/HfO_2/Si铁电晶体管栅结构的~(60)Coγ射线总剂量辐射效应》一文中研究指出该文制备了TiN/Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_2(HZO)/HfO_2/Si (MFIS)型的铁电晶体管栅结构,并在常规实验环境下对其进行了P-E、J-E、疲劳和保持等的电学性能测试.结果表明这种基于铪系氧化物的栅结构具有优良的电学性能,2P_r可达30μC/cm~2,2E_c约为6.8 MV/cm,矫顽场附近的漏电流密度为10~(-6)A/cm~2,在10~(5 )s保持时间内剩余极化值衰减10%,经10~7次翻转后剩余极化值基本保持不变,经10~9次翻转后剩余极化值的衰减维持在15%以内.MFIS铁电栅的~(60)Coγ射线电离辐射实验结果表明这种栅结构对总剂量电离辐射具有很强的免疫力,在辐射剂量高达5 Mrad(Si)时,电滞回线矩形度、对称性以及保持性能等几乎没有退化.该文所制备的全铪系薄膜铁电栅为高抗总剂量辐射、高读写寿命、长保存时间的高性能晶体管型铁电存储器的制备提供了数据支撑.(本文来源于《湘潭大学学报(自然科学版)》期刊2019年03期）
龚力,何谦[2]（2019）在《低剂量电离辐射效应及对我国放射从业人员甲状腺功能及结节影响研究进展》一文中研究指出电离辐射,特别是X射线和放射性物质,在疾病的治疗和诊断中起着重要作用,但同时电离辐射也是工作环境中有害因素之一,可能会对放射性职业人群造成严重的、不可逆的损害。长期低剂量电离辐射可能会对放射从业人员产生甲状腺功能下降和其他甲状腺疾病,本文对低剂量电离辐射对我国职业从业人员甲状腺功能及结节的影响研究进展进行了综述。(本文来源于《职业与健康》期刊2019年10期）
马林东,李豫东,郭旗,文林,周东[3]（2018）在《不同偏置状态下4T-CMOS图像传感器的总剂量辐射效应》一文中研究指出对不同偏置状态下的国产科学级0.18μm工艺掩埋型4T-CMOS有源像素图像传感器进行钴-60γ射线辐照和退火实验,研究总剂量效应对图像传感器的性能影响,并观察是否存在总剂量偏置效应。着重分析暗电流、满阱容量等参数随累积剂量的变化规律。实验结果表明随着辐照总剂量累加,暗电流前期缓慢增长,之后退化明显加剧,这主要是由于辐照致界面态和氧化物陷阱电荷密度增加。4T-CMOS图像传感器的暗电流主要由来源于STI界面,而辐照导致耗尽区展宽与STI接触使得暗电流增长加剧,同时,辐照导致的耗尽区展宽也引起满阱容量的下降。并且在4T-CMOS图像传感器的实验中没有发现明显的总剂量偏置效应。(本文来源于《红外与激光工程》期刊2018年10期）
夏春晖,李建军,范雪,阳至瞻,邹豪[4]（2018）在《0.5 μm工艺的NMOS器件总剂量辐射效应研究》一文中研究指出在国产某0.5μm CMOS工艺线上制备了高压环栅、高压直栅、低压环栅、低压直栅四种NMOSFET晶体管,并对其进行了钴60总剂量辐照实验,辐照剂量最高达11 000Gy(Si)。通过对比NMOSFET辐射前后的转移特性、阈值电压和截止漏电流等参数,研究了高压及低压NMOS晶体管对总剂量效应的敏感程度。通过中带电压法对器件受辐射产生的氧化层陷阱电荷和界面态电荷进行分离研究,对比了高压器件与低压器件的辐射效应。对比研究了环栅与直栅MOS器件的总剂量辐射效应,分析了环栅加固方式对该工艺下两种器件的加固效果。研究结果显示,高压器件因为与低压器件工艺流程的不同造成其对总剂量辐照更为敏感,同时环栅加固对高压器件的总剂量效应加固效果变弱。(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊2018年05期）
朱少立,汤偲愉,刘国柱,曹立超,洪根深[5]（2018）在《90nm浮栅型P-FLASH器件总剂量电离辐射效应研究》一文中研究指出研究了基于90 nm e FLASH工艺制备的浮栅型P-Channel FLASH单元的总剂量电离辐射效应,主要研究了FLASH单元随总剂量增加的变化规律及编程/擦除时间对FLASH单元抗总剂量能力的影响。研究表明:随着总剂量的增加,浮栅型P-FLASH器件"开"态驱动能力(Idsat)、"关"态漏电(Ioff)及跨导(gm)未发生明显退化,但"擦除/编程"态的阈值窗口明显减小,且呈现"编程"态阈值电压(VTP)下降幅度较"擦除"态(VTE)快的特征;编程/擦除时间的增加会导致FLASH单元阈值电压漂移量,对编程态FLASH单元,编程时间的增大导致阈值电压漂移量增大,而对于擦除态器件FLASH单元,擦除时间的增加导致阈值电压漂移量减小。综上所述,总剂量的增加仅引起浮栅型P-FLASH单元阈值电压的漂移,即浮栅内电荷的转移;编程/擦除时间的增加导致FLASH单元阈值电压漂移量的差异,主要是由于编程/擦除应力时间的增加导致隧道氧化层及界面处陷阱电荷的引入所引起的。(本文来源于《电子与封装》期刊2018年08期）
李同德[6]（2018）在《体硅集成电路的瞬时剂量率辐射效应研究》一文中研究指出集成电路在高剂量率辐射环境下会产生很强的瞬时光电流,造成存储电路翻转、逻辑和模拟电路强烈扰动,对于CMOS电路则会出现闩锁等问题。当特征尺寸进入到纳米尺度后,器件的瞬时剂量率辐射响应是怎样的,出现哪些新的机制,这些都是瞬时剂量率辐射效应加固的重要依据。由辐射所产生的光电流是造成电信号的扰动、翻转,甚至导致电路烧毁的直接原因。高能射线所引起的电路响应是目前应用在此环境下的电路产生软/硬错误的主要来源。器件的制造工艺、电路结构、偏置设置等随着应用环境变化而产生改变。研究这些因素对由辐射产生光电流的影响,将对抗辐照集成电路的设计提供理论依据。此外,由于体硅器件在目前集成电路中的广泛使用,充分考虑瞬时辐射对此类器件的影响,对体硅集成电路的抗辐射加固电路设计具有重要的指导意义。本课题作为某抗核辐射项目的主要研究内容之一,研究了0.18微米和65纳米体硅工艺器件和电路的剂量率辐射响应,总结出在不同条件下影响电路状态的光电流的变化情况。本文主要研究成果总结如下:(1)建立了瞬时剂量率仿真平台。利用TCAD软件进行0.18微米和65纳米工艺叁维器件的结构建立和I/V特性的工艺校准,实现了对单元电路瞬时剂量率辐射效应的器件级建模,为瞬时剂量率辐射效应的仿真提供叁维模型的支持。(2)揭示了影响光电流大小的因素、机制和机理。设计不同的仿真结构,通过仿真发现寄生双极效应是影响小尺寸器件瞬时光电流大小的主要因素,提出针对此研究结果的加固方法。总结了阱掺杂、阱面积、阱接触等因素对剂量率辐射效应的影响。(3)仿真发现了内核反相器在受到瞬时辐射后,其电源电压的恢复时间较IO反相器的电源电压恢复时间长。建立了0.18微米内核和IO工艺反相器的的全叁维器件模型,并进行了功能验证以及剂量率仿真。得到是由于不同的掺杂浓度影响了寄生双极效应的开启时间,从而导致内核工艺反相器的电源电压需要更长的时间恢复的结论。(4)通过实验获取了复杂电路的辐射响应,验证了仿真的正确性。对0.18微米工艺4Mbit SRAM电路进行了不同剂量率的辐照实验,重点关注了内核电源电压和IO电源电压的辐射响应,得到了电源电压的恢复情况:包括两个过程,即辐射引起的瞬时光电流造成的扰动的恢复过程和光电流消失后电路状态的建立过程。(本文来源于《中国航天科技集团公司第一研究院》期刊2018-03-23）
许灵达,罗杰馨,陈静,何伟伟,吴伟[7]（2018）在《SOI NMOS侧壁晶体管总剂量辐射效应电流模型》一文中研究指出针对绝缘体上硅(SOI)NMOS侧壁晶体管的电流特性研究,利用Verilog-A语言建立了一个含有漏致势垒降低(DIBL)效应的侧壁晶体管电流模型。进一步基于SOI NMOS总剂量辐射效应机理将总剂量辐射效应引入该模型。新建立的侧壁晶体管电流模型既保留了侧壁晶体管本身的电流特性,又可以反映总剂量辐射导致的电流变化。将新的侧壁晶体管总剂量模型嵌入商用SOI模型仿真验证的结果表明,该SOI侧壁晶体管总剂量模型在不同漏端偏置电压下的仿真与测试结果高度吻合,可以给电路设计者提供可靠的仿真结果,缩短抗辐射电路开发周期。(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊2018年01期）
贾金成,陆妩,吴雪,张培健,孙静[8]（2018）在《双多晶自对准NPN管的总剂量辐射效应研究》一文中研究指出对国产先进互补双极工艺制作的双多晶自对准(DPSA)结构的NPN管进行了高、低剂量率的~(60)Co-γ源辐射实验。在总剂量辐射前后以及室温退火后,分别采用移位测试方法,研究了基极电流、集电极电流、电流增益等参数的变化规律。结果表明,DPSA NPN管比传统NPN管的抗辐射能力更强,但其低剂量率辐射损伤增强效应(ELDRS)改善不明显。最后,初步探讨了DPSA NPN管的辐射损伤机制,讨论了DPSA NPN管的抗ELDRS效应的机制。(本文来源于《微电子学》期刊2018年01期）
龚力,孙爱娟,何谦,李琴,苟悦[9]（2018）在《低剂量电离辐射效应及其对我国放射作业人员血液指标影响研究进展》一文中研究指出随着我国科学技术的提高,放射诊断治疗(以下简称"诊疗")设备逐渐增多,从事放射诊疗的医生以及接受放射诊疗的患者和受检者亦逐渐增多。经统计,2015年全国共有放射诊疗机构54 318家,放射作业人员262 884人[1]。长期接受电离辐射可能会对放射作业人员产生严重的和不可逆的损伤,而低剂量电离辐射对人体的生物效应一直是辐射防护领域的研究热点。不同细胞对电离辐射的敏感性不同,其中以(本文来源于《中国职业医学》期刊2018年01期）
徐玉婷,孙静,郭俊杰,闫华[10]（2017）在《40 nm工艺SRAM型FPGA总剂量辐射效应研究》一文中研究指出对自主研发的40 nm工艺SRAM型FPGA电路的抗总剂量辐射能力进行摸底试验和分析。试验表明,采用普通商用40 nm工艺未做加固的FPGA电路抗总剂量辐射能力可达100 krad(Si),说明普通商用40 nm工艺本身具有一定的抗总剂量性能。同时验证了总剂量辐射引起的器件参数退化随栅氧化层厚度的减薄而下降。(本文来源于《电子与封装》期刊2017年12期）
剂量与辐射效应论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
电离辐射,特别是X射线和放射性物质,在疾病的治疗和诊断中起着重要作用,但同时电离辐射也是工作环境中有害因素之一,可能会对放射性职业人群造成严重的、不可逆的损害。长期低剂量电离辐射可能会对放射从业人员产生甲状腺功能下降和其他甲状腺疾病,本文对低剂量电离辐射对我国职业从业人员甲状腺功能及结节的影响研究进展进行了综述。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
剂量与辐射效应论文参考文献
[1].孙琦,曾诗妍,付秀涛,刘巧玲,彭强祥.TiN/HZO/HfO_2/Si铁电晶体管栅结构的~(60)Coγ射线总剂量辐射效应[J].湘潭大学学报(自然科学版).2019
[2].龚力,何谦.低剂量电离辐射效应及对我国放射从业人员甲状腺功能及结节影响研究进展[J].职业与健康.2019
[3].马林东,李豫东,郭旗,文林,周东.不同偏置状态下4T-CMOS图像传感器的总剂量辐射效应[J].红外与激光工程.2018
[4].夏春晖,李建军,范雪,阳至瞻,邹豪.0.5μm工艺的NMOS器件总剂量辐射效应研究[J].固体电子学研究与进展.2018
[5].朱少立,汤偲愉,刘国柱,曹立超,洪根深.90nm浮栅型P-FLASH器件总剂量电离辐射效应研究[J].电子与封装.2018
[6].李同德.体硅集成电路的瞬时剂量率辐射效应研究[D].中国航天科技集团公司第一研究院.2018
[7].许灵达,罗杰馨,陈静,何伟伟,吴伟.SOINMOS侧壁晶体管总剂量辐射效应电流模型[J].固体电子学研究与进展.2018
[8].贾金成,陆妩,吴雪,张培健,孙静.双多晶自对准NPN管的总剂量辐射效应研究[J].微电子学.2018
[9].龚力,孙爱娟,何谦,李琴,苟悦.低剂量电离辐射效应及其对我国放射作业人员血液指标影响研究进展[J].中国职业医学.2018
[10].徐玉婷,孙静,郭俊杰,闫华.40nm工艺SRAM型FPGA总剂量辐射效应研究[J].电子与封装.2017