导读:本文包含了垂直布络赫线论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:磁畴,磁泡,垂直布洛赫线
垂直布络赫线论文文献综述
李海涛,尹世忠,顾建军,胡云志,赵淑梅[1]（2009）在《温度对硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线间平衡间距的影响》一文中研究指出实验研究了温度对外延石榴石磁泡薄膜中叁类硬磁畴畴长的影响.研究发现,普通硬磁泡、第Ⅰ类哑铃畴和第Ⅱ类哑铃畴在条泡转变标准场和硬泡标准场处其畴长随温度的升高而增大,由此揭示了叁类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线间的平衡间距随温度的升高而变大,纠正了垂直布洛赫线间的平衡间距随温度的升高而变小这一结论.证明了叁类硬磁畴的畴壁结构是一致的,在直流偏场下之所以会出现不同的缩灭行为,完全是由垂直布洛赫线的数目引起的.在同一温度下,普通硬磁泡、第Ⅰ类哑铃畴和第Ⅱ类哑铃畴中的垂直布洛赫线数目依次增多.(本文来源于《河北师范大学学报(自然科学版)》期刊2009年06期）
贾莲芝,封顺珍,胡海宁,孙会元[2]（2004）在《转动面内场作用下普通硬磁泡畴壁中垂直布洛赫线的消失》一文中研究指出通过实验研究了转动面内场作用下普通硬磁泡(OHB)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的消失规律.结果发现,转动面内场作用下OHB畴壁中VBL的消失存在一个临界面内场范围[H(0)ip,Hip′],比不转动面内场时的临界面内场明显变窄,主要是由Hip′的迅速下降引起的.证明了面内场作用下VBL的最易消失方向为面内场与畴壁垂直的方向.(本文来源于《河北师范大学学报》期刊2004年03期）
郭革新[3]（2004）在《石榴石磁泡膜中硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线的稳定性》一文中研究指出1983年，Konish提出了超高密度布洛赫线存储器(BLM)方案。BLM存储技术采用条状磁畴中的负布洛赫线(VBL)对作为信息的载体，以VBL对的有无来体现信息的“1”和“0”。与磁泡存储器相比，BLM的存储密度大大提高。 硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线的形成及其稳定性的研究，对布洛赫线存储器(BLM)的研制与使用具有重要意义。 本文首先采用系列脉冲“低偏场法”，在两类不同标称成分的样品上，研究了直流偏场、脉冲偏场以及脉冲宽度的大小对硬磁畴形成的影响； 其次，对硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线的稳定性进行了综合研究： (1) 在同一样品上，对非压缩状态下，叁类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线的温度稳定性进行了综合研究。实验表明，非压缩状态下，OHB，ⅠD和ⅡD的畴壁中VBL都存在一个与材料参量有关的临界温度范围[T_0~1，T_0]，且叁者畴壁中VBL开始丢失的临界温度T_0~1是相同的；而叁者畴壁中VBL全部消失的温度T_0依次升高。(2) 在同一样品上，对非压缩状态下，叁类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线在温度和面内场共同作用下的稳定性进行了综合研究。研究表明，在非压缩状态下OHB，ⅠD和ⅡD在温度和面内场作用下，叁者畴壁中VBL的解体都存在一个与温度有关的临界面内场范围[H_(ip)(T)，H_(ip)(T)]；叁者畴壁中VBL开始丢失的临界面内场依次增大，而叁者畴壁中VBL完全丢失的临界面内场是相同的；且面内场范围[H_(ip)(T)，H_(ip)(T)]随着温度的增加而减小；H_(ip)(T)，H_(ip)(T)分别在T_0~1和T_0减小到零。(3) 研究了直流偏场和面内场共同作用下，第Ⅰ类哑铃畴畴壁中垂直布洛赫线的稳定性。实验表明，对处于直流偏场H_b压缩状态下的硬磁畴施加面内场时，存在一个阀值直流偏场(H_b)_(th)，如果H_b≤(H_b)_(th)，临界面内场H_(ip)和H_(ip)均与H_b无关；如果H_b＞(H_b)_(th)，石榴石磁泡膜中硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线的稳定性临界面内场H忿，和H罗随着H，的增加而减小。(4)研究了直流偏场和面内场共同作用第I类哑铃畴的条泡转变现象。实验表明，存在3个特征偏场(H，)。、(H。)，和(H。)A，:H。到H。)*，条泡转变后的磁畴均为sBs;凡高于(风)*和(凡)，，条泡转变后的磁畴中依次出现OHBs和IDs;H，高于(H，)，，，条泡转变后的磁畴均为Ds;IDs的最小和最大条泡转变面内场(H户:b.min和(H户:b.ma、均随着H。的增加而减小;当H，<Hs，时，必须施加较高的H，，IDs才能发生条泡转变;此外，当H，>(H，)*时，H忿，<(H，):b，min<(H，):b，ma、<H罗。(本文来源于《河北工业大学》期刊2004-01-01）
郭革新,马丽梅,唐贵德,孙会元,聂向富[4]（2003）在《3类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线的温度稳定性》一文中研究指出研究了温度作用下 3类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线 (VBL)的消失过程 ,发现和证实了普通硬磁泡 (OHBs) ,第I类哑铃畴 (IDs)和第II类哑铃畴 (IIDs)都存在一个与材料参量有关的VBL解体的临界温度范围 .对同一样品而言 ,3类硬磁畴的起始临界温度是相同的 ,而VBL完全解体的最低温度却是依次增加的 .在临界温度范围内 ,3类硬磁畴畴壁中的VBL是不稳定的 ,而且是逐步消失的(本文来源于《河北师范大学学报》期刊2003年04期）
唐贵德,胡海宁,孙会元,聂向富[5]（2001）在《垂直布洛赫线间静磁相互作用探讨》一文中研究指出本文以实验现象为基础 ,利用相邻布洛赫线间的静磁作用能 ,改进圆柱形硬磁畴的畴壁能公式 ,公式中只使用了一个由实验数据拟合而确定的参数 c.由一个典型样品得到的参数 c,用于其它几个样品计算时 ,所得数据都与实验数据符合较好 .从而使一些多年来一直不能解释的硬磁畴在直流偏磁场下的行为得到了统一的解释 ,特别是成功地解释了硬磁畴的一些温度特性 ,并首次提出垂直布洛赫线元模型 ,从而首次用热激发的观点解释了硬磁畴的自收缩现象(本文来源于《哈尔滨师范大学自然科学学报》期刊2001年04期）
唐贵德,刘英,孙会元,聂向富,李伯臧[6]（1998）在《硬磁畴稳定性与垂直布洛赫线间静磁相互作用的关系》一文中研究指出研究石榴石磁泡膜在直流偏磁场作用下布洛赫线间的静磁作用对硬磁畴稳定性的影响．一方面实验研究了圆形硬磁畴的缩灭行为和条泡转变行为以及两种行为间的关系；另一方面通过引入相邻布洛赫线间的静磁作用能，改进了圆柱形硬磁畴的畴壁能公式，从而使一些多年来一直不能解释的硬磁畴在直流偏磁场下的行为得到了统一的解释，并在此基础上提出了估算硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线数目的方法．最后还应用经该文改进了的畴壁能公式定性地解释了部分硬磁畴种类随温度而变化的现象．(本文来源于《应用科学学报》期刊1998年03期）
孙会元,聂向富,郭革新[7]（1995）在《对面内场作用下硬磁畴壁中垂直布洛赫线链解体方式的探讨》一文中研究指出通过对哑铃畴在面内场作用下自缩泡现象的研究，发现面内场作用下垂直布洛赫线链的解体与哑铃畴在面内场中的位置有关。当哑铃畴与面内场垂直时．其畴壁中的垂直布洛赫线最容易消失，当哑铃畴与面内场平行时，其畴壁中的垂直布洛赫线最难消失。(本文来源于《河北师范大学学报》期刊1995年S1期）
霍素国,韩宝善,李伯臧[8]（1994）在《温度对垂直布洛赫线链解体临界面内磁场区间的影响》一文中研究指出实验研究了温度对液相外延石榴石磁泡薄膜中条状普通硬磁畴壁内的垂直布洛赫线（ＶＢＬ）链解体临界面内磁场区间的影响。发现存在一对特征温度和（前者比后者略低但均高于室温），在从室温到的每个温度Ｔ下，使ＶＢＬ逐渐消失的面内磁场Ｈ＿ｉｐ都分布于一个与Ｔ有关的区间内，称为临界面内磁场区间：时，ＶＢＬ链保持不变，时，随着Ｈ＿ｉＰ的增加，越来越多的ＶＢＬ消失，时，所有ＶＢＬ都消失。及均随Ｔ的升高而下降，前二者分别于降为零。比随Ｔ的升高而开高，在低温段（包括室温）升高缓慢且约为附近急剧升高且至，时趋于∞。对以上结果做了理论分析。(本文来源于《物理学报》期刊1994年08期）
陈善宝,李佐宜[9]（1989）在《垂直布洛赫线传输的计算机模拟》一文中研究指出本文用有限差分法求解磁泡薄膜畴壁运动耦合微分方程组,讨论了二维含垂直布洛赫线(VBL)畴壁的边界条件和初始条件,用计算机摸拟了VBL势阱对畴壁和VBL运动及传输的影响.(本文来源于《华中理工大学学报》期刊1989年05期）
李靖元,于志弘,韩宝善,张寿恭[10]（1985）在《面内磁场中垂直布洛赫线的消失》一文中研究指出当面内磁场大于某一阈值H_(in)~′时,硬磁泡和硬畴段将变为正常泡和段。我们测量了不同磁泡材料的H_(in)~′。随垂直于膜面直流偏磁场的增大,H_(in)~′减小。观察到这种转变是一种弛豫过程,在适当条件下可以持续数秒或数十秒。采用Slonczewski和Malozemoff提出的面内场布洛赫点形核的概念对得到的实验结果做了定性的解释。(本文来源于《物理学报》期刊1985年02期）
垂直布络赫线论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
通过实验研究了转动面内场作用下普通硬磁泡(OHB)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的消失规律.结果发现,转动面内场作用下OHB畴壁中VBL的消失存在一个临界面内场范围[H(0)ip,Hip′],比不转动面内场时的临界面内场明显变窄,主要是由Hip′的迅速下降引起的.证明了面内场作用下VBL的最易消失方向为面内场与畴壁垂直的方向.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
垂直布络赫线论文参考文献
[1].李海涛,尹世忠,顾建军,胡云志,赵淑梅.温度对硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线间平衡间距的影响[J].河北师范大学学报(自然科学版).2009
[2].贾莲芝,封顺珍,胡海宁,孙会元.转动面内场作用下普通硬磁泡畴壁中垂直布洛赫线的消失[J].河北师范大学学报.2004
[3].郭革新.石榴石磁泡膜中硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线的稳定性[D].河北工业大学.2004
[4].郭革新,马丽梅,唐贵德,孙会元,聂向富.3类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线的温度稳定性[J].河北师范大学学报.2003
[5].唐贵德,胡海宁,孙会元,聂向富.垂直布洛赫线间静磁相互作用探讨[J].哈尔滨师范大学自然科学学报.2001
[6].唐贵德,刘英,孙会元,聂向富,李伯臧.硬磁畴稳定性与垂直布洛赫线间静磁相互作用的关系[J].应用科学学报.1998
[7].孙会元,聂向富,郭革新.对面内场作用下硬磁畴壁中垂直布洛赫线链解体方式的探讨[J].河北师范大学学报.1995
[8].霍素国,韩宝善,李伯臧.温度对垂直布洛赫线链解体临界面内磁场区间的影响[J].物理学报.1994
[9].陈善宝,李佐宜.垂直布洛赫线传输的计算机模拟[J].华中理工大学学报.1989
[10].李靖元,于志弘,韩宝善,张寿恭.面内磁场中垂直布洛赫线的消失[J].物理学报.1985